技术领域 [0001] 本申请要求德国专利申请号 10 2015 213 275.7 的优先权,其公开内容通过引用并入本文。 [0002] 技术领域 [0003] 本发明涉及用于光刻曝光设备的反射镜装置和包括这种反射镜装置的光学系统。 背景技术 [0004] 最近,主要使用光刻曝光方法来制造半导体元件,例如计算机芯片和其他精细结构元件。 在这种情况下,使用掩模(标线片)或其他图案形成装置来传送或形成待成像结构的图案,例如半导体元件层的线图案。 该图案位于投影物镜和投影物镜的物平面区域中的照明系统之间的光刻曝光设备中,并由照明系统提供的照明辐射进行照明。 由图案修改的辐射作为投影辐射通过投影物镜,其将图案成像在待曝光的基板上。 衬底的表面位于投影物镜的图像平面中,其与物平面光学共轭。 通常,基板表面涂有辐射敏感层(抗蚀剂)。 [0005] 为了能够制造更精细的结构,人们尝试了各种方法。 作为示例,可以通过扩大投影物镜的像侧数值孔径来增加投影物镜的分辨率能力。 另一种方法包括使用较短波长的电磁辐射。 例如,已经开发出使用电磁辐射的光学系统,特别是来自极紫外范围 (EUV) 的电磁辐射,工作波长范围从 5 纳米 (nm) 到 30 nm。 [0006] 由于较短的波长被在较高波长下透明的已知光学材料吸收,因此来自 EUV 范围的辐射无法借助折射光学元件聚焦或引导。 因此,反射镜系统用于 EUV 光刻。 除了 EUV 光刻中使用的光学系统,还有使用深紫外范围(DUV,工作波长小于 300 nm)或真空紫外范围(VUV,工作波长小于 200 nm)光的光刻光学系统。适用于 [0007] 为了确保光刻成像的最佳可能质量,通常尝试创建由照明系统照明的照明场的明确定义的强度分布,并以尽可能少的像差将掩模的图案成像到图像场中。做。 这些要求不仅必须由光学系统在其交付时满足,而且还必须在光学系统的整个生命周期内保持不变,而不会发生重大变化。 在前一种情况下,可能的偏差主要基于设计残留和制造缺陷,但寿命期间的变化通常实际上是由老化现象引起的。 偏差的一个来源是镜面形状可能与指定表面形状的偏差,可能导致镜面反射光的相对相位变化。 [0008] 许多现代光刻工艺使用分辨率增强技术,例如双重曝光、多重曝光或间隔。 这些技术允许通过一系列后续曝光步骤生成微结构。 这些技术要求在后续步骤中生成的结构必须以连续曝光的高叠加精度进行叠加。 因此,与单次曝光技术相比,基于精确横向图像定位的需求增加了。 [0009] 此外,随着像侧数值孔径 (NA) 的增大和波长的减小,焦平面的精确定位变得更加困难。 例如,焦深范围与波长成正比,与像侧数值孔径的平方成反比。 数值孔径(NA) 大于0.4 的EUV 波长或深紫外范围内的波长,例如数值孔径(NA) 大于1.1,将把焦深范围减小到例如可以小于70nm 的值。 . 因此,需要非常精确地控制焦平面的轴向位置。 [0010] 此外,远心度的影响可能会影响图像相对于所需图像位置的精确定位。 远心度可能导致图像位置相对于辐射传播方向倾斜。 因此,曝光区域的轴向位置的变化可能导致实际图像从期望图像位置发生横向位移,从而以负面方式影响横向重叠精度。 [0011] 总之,必须非常小心地控制焦点在轴向和横向位置的位置。 还应该考虑的是,通常涂有光敏涂层的实际基板表面不一定是平面,而是可能偏离平面。 这可能需要在曝光步骤之间或在单次扫描曝光操作期间调整焦点位置。 还希望能够不仅准确地控制焦点的位置,而且能够准确地控制影响图像质量的其他因素,例如成像比例或像差,例如畸变。 [0012] 较高的像差可能由光学元件的加热引起,这可能引起光学表面的折射率的变化和/或变形。 重力也可能影响光学元件的光学效果,因为光学表面可能由于重力而变形。 此外,不能排除可能导致像差的老化过程。 [0013] 动态机械手系统经常被用来解释时间对光刻工艺质量的影响。 [0014] WO 2012/126954 A1公开了一种用于校正EUV照明系统的照明场内的照明强度分布和照明角度分布的反射镜布置。 反射镜装置包括形成反射镜表面的多个反射镜元件,每个反射镜元件具有施加了多层装置的基板,该多层装置对来自EUV范围的辐射具有反射作用。 每个多层布置包括压电层,其厚度可由相关联的电极阵列产生的电场控制。 这使得反射镜元件的压电层可以彼此独立地控制并且因此可以相对于它们的层厚度单独调节。 结果,反射镜装置的反射特性可以在反射镜表面上受到不同的局部影响,从而允许校正照明强度分布和照明角度分布。 要解决的挑战 [0015] 本发明将解决该问题,本发明提供了一种可用于光刻曝光设备的反射镜装置和具有这种反射镜装置的光学系统,其中该反射镜装置相对于现有技术进行了改进,例如改进了波前校正。它改善了光学性能 解决问题的手段 [0016] 为了解决这个问题,本发明提供了一种包括权利要求1的特征的反射镜布置、包括权利要求2的特征的反射镜阵列以及包括权利要求17的特征的光学系统。 在从属权利要求中阐述了有利的发展。 所有权利要求的语言通过引用并入详细描述的内容中。 [0017] 反射镜装置包括多个反射镜元件,这些反射镜元件相邻地布置并且一起形成反射镜装置的镜面。 镜子元件可以相邻地布置,例如成行和成列,特别是横向布置,使得它们基本上填满镜子表面的区域或完全填满表面区域,或彼此间隔一定距离。 反射镜元件也可以是能够以彼此分离的方式安装的反射镜元件,如果合适的话通过载体结构上的中间空间。 镜面可以是完全平坦的(平面镜)或弯曲的(例如凸面镜、凹面镜、柱面镜或一般的非球面)。 镜面元件可以安装在载体结构上以获得所需形状的镜面。 [0018]每个反射镜元件包括衬底和衬底上的多层布置。 多层布置包括具有辐射入射表面的反射层系统,其中辐射入射表面形成镜面的一部分。 反射层系统包括一个或多个反射层,其引起关于电磁辐射的反射效果。 另外,反射层系统可以包括在一层或多层反射层之上的保护层。 反射层系统的最上层表面形成辐射入射面。 因此,每个反射镜元件包括层结构,该层结构包括基本上平行于辐射入射面的层。 [0019] 此外,反射镜元件的每个多层布置包括布置在辐射入射面和基板之间的压电层。 每个反射镜元件包括与压电层相关联的电极阵列以产生电场,并且压电层在垂直于该层的垂直方向上的层厚度可以由电场控制。 可以通过向电极布置施加电压来产生电场。 每个电极阵列都可以根据需要独立于其他电极阵列进行驱动。 这使得反射镜元件的压电层可以彼此独立地控制并且因此能够相对于它们的层厚度进行调整。 结果,反射镜装置的反射特性可以局部地不同地影响反射镜表面,从而可以校正反射镜表面的不期望的偏差或变化。 [0020] 电极装置的电极可以与压电层接触。 也可以在距离受影响的压电层预定距离处布置一个或多个电极,只要电场能够穿透填充材料或无材料材料之间的空间到达压电层即可。 因此,多层布置的一层或多层,特别是反射层系统的反射层中的一层或多层,可以位于电极和相关联的压电层之间。 [0021] 存在关于反射层系统的一个或多个反射层布置压电层的各种可能性。 例如,压电层可以布置在反射层系统和衬底之间。 在这种情况下,反射层系统作为一个整体可以借助压电层相对于衬底升高或降低。 通过改变相邻布置的反射镜元件的反射层系统的相对高度,可以补偿反射镜表面的可能的不平坦度并且可以对入射辐射的波前进行空间分辨的相位校正。 在这种情况下,校正的横向分辨率(空间分辨率)取决于单个反射镜元件的辐射入射面的横向尺寸。 [0022] 根据要求保护的发明的一个配置,反射镜装置包括互连装置,其将相邻电极装置的相邻第一电极和第二电极电互连。 第一电极在压电层的至少一侧通过间隙区域与相邻电极即第二电极横向分开。 由于第一和第二电极之间的间隙,第一和第二电极之间没有短路,因此相邻的电极布置可以彼此独立地驱动。 [0023] 根据一种配置,互连装置在第一电极和第二电极之间的间隙区域中产生互连电场。 互连电场在第一电极处的第一电场和第二电极处的第二电场之间产生连续转变。 [0024] 根据另一种配置,第一电极和第二电极之间的间隙区域中的互连装置的电阻大于第一电极和第二电极的电阻以及包括第一电极和第二电极的相邻电极装置的压电性。层的电阻。 [0025] 第一和第二电极的电阻可以包括将第一和第二电极与相应的电压源和/或电流源连接的引入连接线的可能电阻。 由于互连装置的电阻(也称为“互连电阻”)大于第一和第二电极的电阻(也称为“互连电阻”),因此第一电极和第二电极之间不会短路第二个电极。 第一和第二电极阵列可以彼此独立地驱动。 互连电阻小于包括第一和第二电极的相邻电极布置的压电层的电阻,也称为“压电电阻”,并且由第一和第二电极提供的电荷在互连布置内. 它可以积累,不会通过相邻电极组件的压电层泄漏而瞬间清空。 随着电荷积累,上述互连电场也积累起来。 [0026] 有利地,间隙区域中的压电材料的电场强度从在第一电极的边界处开始的第一电场到在第二电极的边界处开始的第二电场的连续或平滑过渡是以下的分量镜子元件;特别是,它降低了材料疲劳和压电层开裂的风险。 [0027] 反射镜元件可以这样布置,即它们完全填满反射镜装置的镜面区域,其中相邻反射镜元件的横向边界彼此接触。 特别地,相邻的压电层可以彼此接触。 在这种情况下,第一电极和第二电极可能没有在横向方向上完全覆盖对应的压电层,从而在第一电极和第二电极之间存在间隙,使得第一电极和第二电极彼此不接触。 否则,它们之间可能发生短路,从而阻止第一和第二电极布置彼此独立驱动。 压电层的未覆盖部分在传统反射镜中不变形,通常会在压电层未覆盖部分上方的反射层系统部分中产生尖锐的扭结、台阶或沟槽。 反射层系统中的这种扭结、台阶或沟槽可能对所需的波前校正产生不利影响。 相比之下,互连装置覆盖压电层的至少未被第一电极和第二电极覆盖的部分,并且由互连装置产生的互连电场引起压电层的这些部分的变形。 这减少了由分立的第一和第二电极引起的波前误差源,例如反射层系统和反射镜表面中的尖锐扭结、台阶或沟槽。 [0028] 互连装置的另一个优点是它充当压电层的屏蔽层以抵抗输入连接线产生的电场,例*自互连装置上方或下方的电场。 因此,它消除了从该电场引入的串扰。 [0029] 在本发明的一个实施例中,所述第一电极与第二电极之间的间隙区的互连排列的电阻范围为1千欧(KΩ)至10兆欧(MΩ),优选为10kΩ至1MΩ。的 [0030] 根据另一种配置,第一电极和第二电极之间的间隙区域的互连布置的电导率可以在200至1S/m的范围内,特别是在100至1S/m的范围内。 [0031] 如果互连电阻太高(或者如果电导率太低),则电荷在互连装置内建立的时间常数可能太高。 另一方面,如果互连电阻太低(或者电导率太高),用于维持所施加电压的电流可能会导致电阻发热。 在本发明的一个实施例中,互连装置包括半导体材料。 通常,电极装置包括金属材料。 金属材料的电阻率低于半导体材料,半导体材料的电阻率低于压电材料。 因此,互连电阻可以高于电极电阻并低于压电电阻。 半导体材料可以基于硅或者可以基本上由硅组成。 半导体材料可以被掺杂,其中掺杂允许分别调整互连布置的电阻率、电阻。 [0032] 半导体材料可以基于除硅之外的材料。 例如半导体材料为LaNiO ₃ ; 锶钌 ₃ ; 氧化锆 ₃ ; 钴酸钴 ₃ ; 钴酸锶 ₃ ; 氧化镧 ₃ ; 锶 _{0 . 7} 铈 _{0 . 3} 二氧化锰 ₃ ; 拉 ₂ 铈 ₂ 欧 ₇ ; LaVO ₃ ; 铬酸镧 ₃ ; 镧铁氧体 ₃ ; 钛白粉 ₃ ; 镧铜 ₃ ; La(Mn_0.5 有限公司 _0.5 )O ₃ ; 镧铜 _{0 .4} (锰 _{0 . 5} 有限公司 _{0 . 5} ) _0.6 欧 ₃ ; 拉 _0.7 锶 _0.3 氧化铁 ₃ ; 拉 _{0 . 7} 锶 _{0 . 3} 二氧化锰 ₃ ; 锶铁氧体 ₃ ; 氧化钡 ₃ ; 氧化锶 ₃ ; 巴 _{0 . 5} 锶 _{0 . 5} 二氧化锰 ₃ ; 氧化钡 ₃ ; BaTiO ₃ ; 氧化钙 ₃ ; 铈 _{0 . 8} 是 _{0 . 2} 欧 _{1 .9} ; 氧化镁; 氧化钕 ₃ ; Y稳定氧化锆 ₂ ; 氧化锌 ₃ ; 氧化钙 ₃ ; 钙钛矿 ₃ ; 二氧化钛 ₂ ; 拉 _0.6 锶 _0.4 铁 _0.8 有限公司 _0.2 欧 ₃ ; 拉 _0.85 锶 _0.15 二氧化锰 ₃ 它可以选自由以下组成的组。 [0033] 通常,半导体材料的电阻与温度的关系密切,而金属材料的电阻与温度的关系较小。 因此,包括半导体材料的互连布置的电阻测量可用于确定反射镜布置内的局部温度分布,这可能由反射镜布置内的撞击辐射的吸收引起。 测量温度分布提供了对波前误差源的估计,因此可以用作反射镜阵列的反馈信号,即施加到相应电极阵列的特定电压的离散调整。 [0034] 在本发明的一个实施例中,第一电极和第二电极的电阻小于1kΩ,优选小于100Ω。 因此,沿着第一和第二电极,特别是沿着它们的引出连接线将没有明显的电压降。 [0035] 在本发明的一个实施例中,具有第一和第二电极的相邻电极组件的压电层的电阻为10MΩ或更大,优选地大于100MΩ。 因此,可以抑制通过压电层的泄漏电流,这可能导致互连布置中累积的电荷减少。 [0036] 互连布置可以包括互连层,该互连层通过从第一电极的边界延伸到第二电极的边界而将第一电极和第二电极互连。 在本发明的一些实施例中,反射镜装置的多个部分可以在多个或所有反射镜元件上延伸,这可以简化反射镜装置的制造,特别是反射镜元件。 [0037] 例如,互连装置可以包括互连多个或所有反射镜元件的公共互连层。 公共互连层不仅可以将第一电极和第二电极互连,还可以延伸超出其下方或上方的第一电极和第二电极的边界。 优选地,公共互连层为无间隙的连续层,并且优选覆盖与镜面面积一样大的面积。 因此,公共互连层在制造期间根本不需要结构化,例如通过光刻工艺。 [0038] 几个或所有反射镜元件的压电层形成公共压电层和/或几个或所有反射镜元件的反射层系统形成公共反射层系统也是可能的。 没有任何间隙的普通压电层可以连续变形,并且可能有也可能没有不连续性,例如扭结、台阶或沟槽。 类似地,没有任何间隙的普通反射层系统可以连续变形,并且可能有也可能没有不连续性,例如扭结、台阶或沟槽,特别是当被普通压电层变形时。 [0039] 与第一和第二电极相对的多个或所有反射镜元件的电极布置的电极可以形成公共电极。 因此,不需要所有的电极都通过单独的引出连接线连接到相应的电压源和/或电流源,而只需一根公共的单独引出连接线就可以了。 此外,仅第一电极和第二电极应当构造成在其间具有间隙。 [0040] 多个或所有反射镜元件的基板可以形成公共基板。 因此,反射镜装置的制造,特别是本段中描述的层的制造,可以发生在公共衬底上。 接下来,只需要将公共基板安装在承载结构上。 [0041] 在本发明的一个实施例中,反射层系统被配置为反射波长范围小于300nm、优选小于200nm并且特别是小于20nm的电磁辐射。 低于 300 nm 的波长属于 DUV 范围,例如 KrF 准分子激光器的 248 nm 波长。 低于 200 nm 的波长属于 VUV 范围,例如 ArF 准分子激光器的 193 nm 波长。 小于 20 nm 的波长处于 EUV 范围内,例如气体放电产生的等离子体或激光产生的等离子体的 13.5 nm 波长。 通过适用于这些短波长范围,反射镜装置也可以应用于非常精细结构的光刻曝光设备。 [0042] 介电增强铝镜层可以反射来自例如DUV范围或VUV范围的电磁辐射。 [0043] 在本发明的一个实施例中,反射层系统包括多个具有高折射率层材料和(相对于此)低折射率层材料的交替层的层对。 这样的层对也称为“双层”或“双层”。 具有多个层对的层布置以“分布式布拉格反射器”的方式起作用。 在这种情况下,例如对于EUV辐射,反射层系统模拟晶体,其引起布拉格反射的晶格平面由具有低实部折射率的材料层形成。 层对的最佳周期厚度由针对预定波长和预定入射角(范围)的布拉格方程确定。 对于 EUV 辐射,最佳周期厚度通常在 1 nm 和 10 nm 之间。 除了各自由相对高折射率和相对低折射率材料组成的两层之外,该层对还可以具有一层或多层其他层,例如用于减少相邻层之间的相互扩散的居间阻挡层。 [0044] 在这种情况下,压电层可以位于与衬底间隔开的第一组层对和靠近衬底的第二组层对之间。 通过插入压电层,可以通过施加外部电压来改变层组之间的距离(垂直于辐射入射面测量)。 中间压电层在第一层组中反射的辐射部分和第二层组中反射的部分辐射之间引入光程长度差或相移。 通过施加外部电压,可以以连续可变的方式改变相移的程度,从而改变相应镜面元件的反射率。 第一层组和第二层组之间的集成压电层以集成法布里-珀罗干涉仪(标准具)的方式起作用,其界面之间的距离可电调节,具有反射效果。 [0045]多层布置还可以具有多于一个的压电层,该压电层布置在具有多个层对的两个相邻层组之间并且用于这些层组的辐射的反射部分之间的可控相移。 作为示例,可以提供两个或三个这样的压电层,然后在这些压电层之间同样放置具有多个层对的层组。 [0046] 多层布置可以具有多个压电层,允许反射层系统内周期厚度的变化。 通过改变周期厚度,反射镜元件的反射层系统在工作波长下的反射率以连续可变的方式发生,因为对于给定的工作波长和给定的入射角,只有特定的层周期会引起完美的相长干涉,并且因此最大的反射率。可以改变 此外,反射辐射的相位受到影响,因此空间分辨的波前效应也是可能的。 [0047] 关于多层布置的层结构,特别是反射层系统和压电层的更多可能性,参见WO 2012/126954 A1的内容。 每个的公开内容通过引用并入本文。 [0048] 在本发明的一个实施例中,互连排列的互连层的厚度范围为50nm至200nm,甚至高达500nm。 通常,压电层会具有表面粗糙度,这可能会影响厚度小于50nm的互连层,使得互连层不连续且具有间隙。 要求保护范围内的厚度可以减少由表面粗糙度引起的问题。 [0049] 在本发明的一个实施例中,平行于镜面测量的第一电极和第二电极的最大电极直径在0.5mm至50mm的范围内,具体地在2mm至20mm的范围内。 最大电极直径的定义取决于第一和第二电极在平行于镜面的平面中的形状。 在电极具有圆形形状的情况下,直径可以是圆形的直径。 在多边形电极形状,特别是正方形或六边形形状的情况下,直径可以是多边形的最长对角线。 [0050] 备选地或附加地,第一电极和第二电极之间的间隙区域的宽度可以在从10mm到1mm的范围内。 间隙区域的宽度可以被确定为第一电极的边界到第二电极的相对边界的最短距离。 对于间隙区域的最大电极直径和宽度中的每一个,可以使镜面的形状近似于镜面的期望形状,而不必具有太多的电极,从而不必具有太多的镜面元件,每个都在要求保护的权利要求中范围。 反射镜元件的数量可以约为200个或更少。 特别地,穿过反射镜装置的有用区域(例如反射镜表面)的直径的反射镜元件的数量可以在从50到180的范围内,优选地从例如100到150。 [0051] 本发明还涉及一种包括至少一个反射镜装置的光学系统。 光学系统可以是光刻曝光设备的投影物镜。 反射镜布置可以布置在投射物镜的光瞳平面的区域中,即在相对于物表面和像表面的平面以傅立叶变换方式定位的平面的区域中。 反射镜装置的其他可能有用的位置可能靠近物面、像面等场平面,或者如果可用的话,还有形成实部中间像的位置。 可以优选地在光学不同的位置提供两个或更多个反射镜布置。 [0052] 这些和其他特征从权利要求以及描述和附图中出现,其中在本发明的实施例和其他领域中,各个特征可以在每种情况下单独或以子组合的形式实现,并且可以构建有利的和独特的可保护的实施例。 示例性实施例在附图中示出并且在下面更详细地描述。 附图简要说明 [0053] 具体实施方式图1示意性地示出了反射镜装置的实施例的局部截面的纵向剖视图。 图2示意性地示出了在对应于图1中的第一电极和第二电极的顶部的高度处穿过反射镜装置的部分截面的横截面。 图3示出了没有互连布置的参考镜布置沿着图2的线A-A'的高度分布。 图4示出了根据一个实施例的具有互连装置的图1的反射镜装置的电部件的等效电路图。 图5示出了根据一个实施例的具有互连装置的反射镜装置沿图2的线A-A'的高度分布。 图6示出了包括反射镜布置的实施例的光刻曝光设备的投影物镜。 实施发明的具体细节 [0054] 具体实施方式图1示出了具有多个镜元件2a、2b的镜装置1的部分截面。 如图2中反射镜布置的剖视图所示,多个反射镜元件2a、2b可以以六边形方式相邻布置。 每个反射镜元件2a、2b可以被指定为单独的反射镜并且具有六边形横截面。 [0055] 图1的反射镜装置1包括作为机械支撑的公共衬底4。 如本文所用的术语“公共基板”是指一个单一基板为多个或所有反射镜元件所共用,使得反射镜元件共享公共基板。 如图1所示,基板4可以被横向细分为单独的反射镜元件2a、2b的单独的基板4a、4b。 由于沉积在公共基板4上的层中的应力,公共基板4提供抵抗弯曲的刚度。 在完成反射镜装置1之后,仅公共衬底4必须安装在未示出的载体结构上。 公共基板4例如可以是由诸如玻璃的非晶材料制成的在垂直z方向上具有大约50mm(毫米)的厚度并且具有超低膨胀系数的超低膨胀基板。 [0056] 在公共基板4的表面上,单独的反射镜元件2a、2b的多层布置5a、5b通过合适的涂层技术处理,其中,在本示例的情况下,单独的反射镜元件2a、2b多层布置的多个层形成公共层,即延伸跨过多个相邻反射镜元件的层。 可以使用例如磁控管溅射、电子束溅射或离子束溅射或气流溅射来产生一些或所有单独的层。 如果需要结晶层结构,也可以例如通过脉冲层沉积(PLD)进行涂覆。 [0057] 第一公共粘合层14沉积在公共基板的表面上。 第一公共粘合层14提供从公共衬底4到结晶层顶部的过渡。 这是例如二氧化钛 ₂ ,并且在垂直z方向上可以具有大约10nm(纳米)至20nm的厚度。 [0058] 在公共粘合层14上,例如通过PLD沉积公共电极9c。 公共电极9c可以由例如Pt制成并且在垂直z方向上可以具有50nm至100nm的厚度。 或者,可以使用一些其他导电材料,例如Al或Cr。 在该示例的情况下,公共电极9c电连接到可配置DC电压源的一极,例如地,未示出。 [0059] 第二公共粘合层15沉积在公共电极9c的顶部。 第二公共粘合层15形成导电层,其上可以生长公共压电材料,其同样形成结晶层。 这是例如 LaNiO ₃ 它可以由以下材料制成,并且在垂直z方向上可以具有20nm至50nm的厚度。 [0060]通过例如PLD在第二公共粘着层15的表面上生长公共压电层8。 如本文所用的术语“公共压电层”是指单个压电层为多个或所有反射镜元件所共有,使得反射镜元件共享公共压电层。 如图1所示,压电层8可以横向细分为各个反射镜元件2a、2b的各个压电层8a、8b。 公共压电层8可以由具有较强压电效应的钙钛矿结构材料制成。 具体地,压电层材料为Ba(Sr,Zr)TiO ₃ , Bi(Al,Fe)O ₃ , (Bi,Ga)O ₃ , (Bi,Sc)O ₃ , CdS, (Li,Na,K)(Nb,Ta)O ₃ , Pb(Cd,Co,Fe,In,Mg,Ni,Sc,Yb,Zn,Zr) (Nb,W,Ta,Ti)O ₃ 、ZnO、ZnS、AlSCN 或可包含来自该组的至少一种材料与至少一种其他材料的组合。 在这种情况下,符号(A,B)表示A型元素或离子或B型元素或离子可以存在于晶体结构的特定晶格位置中。 例如,PbZrTiO ₃ 可以选择作为压电材料。 公共压电层8在垂直z方向上可以具有例如1μm至4μm(微米)的厚度tp。 压电常数在 65 至 250 pm/V (d ₃₃ ) 是已知的传统压电层材料。 [0061] 公共互连层10形式的互连装置直接沉积在公共压电层8的表面上。 公共互连层10可以由例如半导体材料制成。 半导体材料可以基于硅或者可以基本上由硅组成。 半导体材料可以被掺杂,其中掺杂允许分别调整公共互连层10的电导率、电阻。 公共互连层10的厚度ti例如为50nm至200nm。 在所述范围内的厚度可以减少由公共压电层8的表面粗糙度引起的问题。 [0062] 结构化的第三粘合层16沉积在公共互连层10上。 使用光刻工艺将第三粘合剂层16结构化到各个反射镜元件2a、2b的接合焊盘16a、16b中,使得这些反射镜元件仅布置在预期电极下方。 第三粘着层16例如是LaNiO ₃ 它可以由以下材料制成,并且在垂直z方向上可以具有20nm至50nm的厚度。 第三粘合剂层可以存在也可以不存在。 [0063] 也可以使用诸如通过掩模沉积或激光烧蚀的其他结构化技术来构造结构化层。 [0064] 在焊盘16a、16b的顶部,每个单独的镜子元件2a、2b包括结构化电极9a、9b,这里也称为第一和第二电极。 第一和第二电极9a、9b可以通过PLD施加并且使用光刻工艺构造。 第一电极9a和第二电极9b可以由例如类似的材料制成并且可以具有与公共电极9c的厚度类似的厚度。 第一电极9a的相对横向部分和第一电极9a下方的公共电极9c形成第一电极排列。 相应地,第二电极9b和公共电极9c的位于相对侧(跨压电层8)的部分形成第二电极排列。 第一和第二电极9a、9b没有在横向方向上完全覆盖对应的单独的压电层8a、8b,同样可以在图2中看出。 第一和第二电极之间存在间隙或间隙区域11,使得第一和第二电极彼此不接触。 否则,它们之间可能发生短路,从而阻止第一和第二电极布置彼此独立驱动。 根据反射镜元件2a、2b的布置和/或形状,第一和第二电极元件9a、9b的横截面也可以形成在横向平面中。 在该示例的情况下,第一电极9a和第二电极9b具有六边形横截面形状,如图2所示。 在该示例的情况下,作为六边形的最长对角线的第一和第二电极9a和9b的最大电极直径D约为5毫米。 第一和第二电极之间的间隙区域11的宽度W,即第一电极9a的边界到第二电极9b的相对边界的最短距离,在该示例的情况下约为20毫米。 [0065] 绝缘体和间隔层17横向层压在接合焊盘16a和16b以及第一和第二电极9a和9b旁边。 绝缘体和间隔层17分别使第一和第二电极9a和9b与焊盘16a和16b彼此电绝缘。 绝缘体和间隔层17例如是SiO ₂ ,或者可以与粘合垫16a和16b以及第一和第二电极9a和9b的总和一样高。 [0066] 第一和第二电极9a、9b分别通过单独结构的引出连接线18a、18b连接到直流电压源的另一极。 结构化线18a和18b例如可以由相似的材料制成,并且可以具有与公共电极9c之一相似的厚度。 结构化线18a、18b通过绝缘体和间隔层17分别与公共互连层10和公共压电层8绝缘。 结构化线18a、18b可以与其他第一和第二电极交叉,其中在它们之间可以有额外的绝缘体层以避免短路。 [0067] 公共平滑层 (19) 沉积在结构化线 (18a, 18b) 以及绝缘体和间隔层 (17) 的顶部。 在应用下一层以获得亚纳米 RMS 平坦度(均方根)之前,可以通过离子束将该层抛光光滑。 共同的平滑层19例如是SiO ₂ ,并且在垂直z方向上可以具有2μm至10μm的厚度。 [0068] 通过例如PLD在公共平滑层19上沉积公共屏蔽层20。 公共屏蔽层20在第一和第二电极9a、9b和导线18a、18b之间提供电屏蔽,并且层沉积在公共平滑层19上。 此外,防止平滑层受到EUV光子的攻击,从而抑制劣化。 在一些情况下,可以省略公共屏蔽层20。 [0069] 公共反射层系统(6)沉积在公共屏蔽层(20)的顶部。 如本文所用的术语“公共反射层系统”是指一个单一的反射层系统对于多个或所有反射镜元件是公共的,使得反射镜元件共享公共反射层系统。 如图1所示,反射层系统6可以被横向细分为各个反射镜元件2a、2b的各个反射层系统6a、6b。 公共反射层系统6包括具有高折射率层材料(也称为“间隔物”)和(相对于此)低折射率层材料(也称为“间隔物”)的交替层12、13的多个层一个“吸收器”)。包含一对 这样的层对也称为“双层”或“双层”。 反射层系统6以“漫射布拉格反射器”的方式起作用。 在示例性实施例中,公共反射层系统6被配置为反射5nm至30nm范围内的EUV辐射。 包含Mo作为吸收材料的薄层12与包含Si作为间隔材料的相对“较厚”的层13交替施加。 层对是至少一个其他层,特别是例如C、B ₄ 丙、硅 _x 否 _y 、SiC 或包含上述材料之一的组合物,并且还可以包括旨在防止界面处相互扩散的中间阻挡层。 由此即使在延长的辐射负荷下也可以确保永久清晰地形成的界面。 [0070]公共反射层系统6包括例如50个总厚度约为350nm的层对,使得周期性堆叠反射来自公共反射层系统6的公共辐射入射面7的入射辐射。 此外,层对的周期以其取决于工作波长和出现的入射角范围的方式选择,使得根据布拉格方程出现最大或接近最大反射率。 如本文所用的术语“公共辐射入射表面”是指单个辐射入射表面为多个或所有反射镜元件所共有,使得反射镜元件共享公共辐射入射表面。 如图1所示,辐射入射面7可以横向细分为各个反射镜元件2a、2b的各个辐射入射面7a、7b。 共同的辐射入射面7和单独的辐射入射面7a、7b一起分别形成反射镜装置1的反射镜表面3。 因此,每个反射镜元件2a、2b包括层结构,该层结构包括基本上平行于辐射入射面7a、7b的层。 [0071] 对于给定的电极直径 D 和间隙区域宽度 W,不必分别具有太多的电极 9a、9b 和因此太多的反射镜元件 2a、2b,同时反射镜表面 3) 达到所需的反射镜形状表面。 特别是在镜子装置 1 的有用区域(例如镜子表面 3)的直径上的镜子元件 2a、2b 的数量,例如沿图 2 中的线 AA' 进一步向右和向左.例如可以在20到200的范围内。 [0072] 单独反射镜元件2a、2b的多层布置5a、5b的层配置被设计成使得反射镜布置1作为整体可以以空间分辨率方式用作有效的波前校正装置。 [0073] 第一和第二电极 9a、9b 通过导线 18a、18b 连接到可切换的直流电压源,由此,如果需要,可以在第一电极 9a 和公共电极9c和/或第二电极9b与公共电极9c之间。 相邻的第一和第二电极9a和9b之间的电压差(Va-Vb)可以高达几伏。 通常,第一和第二电极9a、9b中的每一个都有单独的可切换或连续可变设置的DC电压源。 因此,第一和第二电极9a、9b中的每一个可以独立于其他电极而被放置在相对于公共电极9c的合适电势。 因此,各个压电层 8a、8b 或层部分在第一和/或第二电极 9a、9b 下通过相应的第一和第二电场局部传输,并且它们的层厚度 tp 以依赖于所施加电压的方式局部变化; 反射镜元件2a、2b的各个压电层8a、8b在它们的层厚度方面被单独地调整。 因此,可以创建在x方向上延伸的层厚度分布。 [0074] 这利用了公共压电层8在局部电场作用下局部可逆变形的逆压电效应。 在这种情况下,压电层的晶体材料,例如 Pb(Zr,Ti)O ₃ 不经历相变,而是仅发生压电层材料的晶体结构内的正负电荷质心的可逆位移。 [0075] 设定范围(调谐范围)主要由压电层材料的弹性和屈服应力决定。 屈服应力 (σ _y ) 超过时,层材料开始发生不可逆变形。 屈服应力与材料的弹性(由其弹性模量 (E) 描述,也称为杨氏模量)和材料的尺寸变化或变形有关,其中应变 (ε) 用作归一化度量。 在没有材料塑性变形(应变)的情况下,层厚度可能发生尺寸变化(ε _max = Δtp/tp),屈服应力与弹性模量的关系为ε _max =σ _y /E 给出。 在这种情况下,tp 是初始层厚度,Δtp 是层厚度的变化。 压电材料的屈服应力通常为 1% 至 5%,而 BaTiO ₃ 对于 [R.F.Cook、C.J. 费尔班克斯,B.R. 草坪和 Y.-W。 Mai “界面桥接的抗裂性:它在确定强度特性中的作用”,J. Mater Res.,2, 345-356 (1987)]。 [0076] 如果然后打算在整个反射镜表面 3 上提供依赖于位置的(空间分辨的)波前校正,则不同大小的电压 Va、Vb 将激励各个反射镜元件 2a、2b 的压电层 8a、8b。),使得在第一和/或第二电极9a、9b下方的压电层8a、8b的不同层厚度设置在单独的反射镜元件2a、2b内。 在这种情况下,具有辐射入射面 7a、7b 的独立反射层系统 6a、6b 分别相对于独立基板 4a、4b 和公共基板 4 由压电层 8a、8b 辅助。或者在第一和第二电极 9a 和 9b 上局部降低 通过改变相邻布置的反射镜元件 2a、2b 的反射层系统 6a、6b 的相对高度,可以补偿反射镜表面 3 的可能的不平坦度或其他不希望的偏差,并且入射辐射的波前是可能的执行空间分辨率相位校正 在这种情况下,校正的横向分辨率(空间分辨率)取决于各个反射镜元件2a、2b的辐射入射面7a、7b的横向尺寸。 [0077] 如果没有公共互连层10,压电层8a、8b在间隙11下方的部分在工作期间不会被电场传输,因此不会变形。 图3以任意单位(a.u.)示出了沿图2的线AA'在第一和第二电极9a、9b上方的没有互连布置的反射镜布置的z高度分布。 在压电层8a和8b不变形的间隙区域11中,绝缘体和间隔层17的z高度保持在恒定水平,在该示例的情况下为z=0。 除了间隙区域11之外,第一和第二电极9a、9b的z高度通过相应压电层8a、8b的外部控制变形而改变。 因此,沿高度剖面存在尖锐的扭结、台阶和沟槽。 相应地,在第一和第二电极9a、9b以及绝缘体和间隔层17之上的公共反射层系统6和镜面3中的每一个都可以呈现尖锐的扭结、台阶和沟槽。 公共反射层系统6和镜面3中的这种扭结、台阶或沟槽可能导致反射光的波前畸变。 [0078] 相比之下,根据该实施例的反射镜布置包括互连布置,如在图1的示例的情况下以公共互连层10的形式。 这覆盖了间隙区域11中未被第一电极9a和第二电极9b覆盖的压电层8a和8b的部分。 [0079] 图4示出了具有所述互连布置的图1的反射镜布置的电部件的等效电路图。 图1中第一和第二电极9a、9b之间的间隙区域11中的互连装置10的电阻,也称为“互连电阻”Ri,是“电极电阻”(The electrical resistance of the第一电极9a加上引入连接线18a,也表示为Rw,超过第二电极9b加上引出连接线18b的电阻(Rw。)超过 此外,互连电阻Ri大于包括第一和第二电极9a、9b的相邻电极布置的压电层8a、8b的电阻,也称为“压电电阻”R1,较小。 通常,电极9a、9b、9c和引线18a、18b的金属材料具有比公共互连层10的半导体材料低的电阻率,半导体材料是压电层8a、8b。具有电阻率低于压电材料。 因此,互连电阻 Ri 可以根据需要高于电极电阻 Rw 并低于压电电阻 Rl。 [0080]由于互连电阻Ri大于电极电阻Rw,因此第一和第二电极9a、9b之间不会发生短路。 第一和第二电极布置仍然可以彼此独立地驱动并且因此保持在合适的电势。 由于互连电阻Ri小于压电电阻Rl,第一和第二电极9a、9b提供的电荷可以在互连装置10中积累,并且压电层8a,不会通过8b泄漏而被瞬间清空). [0081] 在该示例的情况下,电极电阻Rw可以是100欧姆(Ω)或更小。 因此,沿着第一和第二电极9a和9b,特别是沿着它们的引入连接线18a和18b,不会有明显的电压降。 [0082] 在此示例的情况下,互连电阻 (Ri) 的范围可以从 10 千欧 (KΩ) 到 1 兆欧 (MΩ)。 如果互连电阻太高,则间隙区11中公共互连层10中电荷积累的时间常数τc可能太高。 时间常数 τc 可以估计为 τc = Cg×Ri/2,给出 2.5 毫秒到 0.25 秒的 τc,其中 Cg = 0.5 微法拉是间隙区域 11 中的压电层 8a、8b 的电容。 该时间常数目前被认为对于反射镜装置1作为波前校正装置的期望用途来说足够低,由此施加电压Va、Vb的调整例如在每次晶片交换之后进行,这通常可以每20秒进行一次. Cp是第一和第二电极9a、9b下方的压电层8a、8b的电容,其可具有对应于电容Cg的值。 另一方面,如果互连电阻 Ri 太低,则由施加在第一和第二电极 9a、9b 处的电压产生的第一和第二电极 9a、9b 之间的互连电流流过层 10 可能导致不希望的电阻加热。 对于第一和第二电极9a和9b之间2V的电压差(Va-Vb),电阻加热(P)是在4到400μW(微瓦)范围内的P=(Va-Vb) ² /Ri,目前认为对于反射镜装置 1 的预期用途而言足够低。 对应于间隙区11的尺寸,互连布置的电阻率可以在ρi = Ri×ti×W/D的范围内,得到5×10 ^-4 Ωm 至 2×10 ^-1 它提供 Ωm 范围内的值,这是半导体材料的典型值。 [0083] 在该示例的情况下,压电电阻R1可以是100MΩ或更大。 因此,可以抑制可能导致互连装置10中累积的电荷减少的通过压电层8a和8b的泄漏电流。 [0084] 当第一和/或第二电极9a和9b被置于适当的电压或电势Va和Vb时,第二电极9b的左侧从Va处在第一电极9a的右边界处在图上有连续的或平滑的间隙区11中的公共互连层10中的电势或电压转变到边界处的Vb。 电荷在公共互连层10中积累导致互连电场在互连层10和在间隙区11处的下面的公共电极9c之间垂直地在间隙区11中积累。 互连电场在第一电极9a处或下方的第一电场与第二电极9b处或下方的第二电场之间产生连续的横向转变。 [0085] 图5是根据一个实施例的用于具有互连装置的反射镜装置的第一和第二电极9a、9b的顶部处沿着图2中的线AA'的任意单位(a.u.)的z高度分布;显示 由互连布置产生的互连电场穿过间隙区域11中的压电层8a和8b。 由此,产生间隙区域11中的压电层8a和8b的部分的连续或平滑变形。 整体上,公共压电层8连续变形,没有任何间隙,其厚度分布没有台阶或沟槽等不连续性。 相应地,电极和绝缘体和间隔层17的顶部的z高度在图5中仅从左向右升高。 相应地,公共反射层系统6连续变形而没有任何间隙并且没有诸如台阶或沟槽的不连续性。 它仅在 z 高度上从左到右上升。 这减少了由分立的第一和第二电极9a、9b引起的波前误差源,例如反射层系统6a、6b和镜面3.do中的尖锐扭结、台阶或沟槽。 反射镜装置1相对于现有技术进行了改进并且具有改进的光学特性,例如改进的波前校正。 此外,降低了反射镜元件2a、2b的部件的材料疲劳和破裂的风险。 [0086] 公共互连层10形式的互连装置的附加优点在于,在本示例的情况下,它与引入的连接线18a、18b例如从互连装置上方产生的电场相关。 ,特别是在间隙区域11中,可以充当压电层8a和8b的屏蔽。 因此,它消除了从该电场引入的串扰。 [0087] 通常,互连装置10的半导体材料的电阻将强烈地取决于温度,而电极9a、9b的金属材料的电阻将较少地取决于温度。 因此,包括半导体材料的互连装置的电阻测量可用于确定反射镜装置1内的局部温度分布,这可能由反射镜装置1内的入射辐射的吸收引起。 可以通过测量从第一电极9a通过互连装置10到第二电极9b的电流Ii来进行电阻测量,其中Ri=(Va-Vb)/Ii可以计算为Ri。 测量温度分布提供了对波前误差来源的估计,因此也可以使用到反射镜装置1的反馈信号,即施加到相应电极装置9a、9b、9c、Vb的特定电压Va)作为单独的调整。 [0088] 在压电层的帮助下,能够在反射镜装置的反射镜表面上对波前轮廓进行空间分辨设置的反射镜装置可用于各种任务,例如在光学系统中。 下面介绍光刻曝光设备在投影物镜的背景下的可能用途。 [0089] 图6示出了投影物镜PO的图像平面IS的视图,其中反射图案形成装置或掩模M的图案的至少一个图像布置在投影物镜PO的物平面OS的区域中。光刻的光学组件示出了用于对布置在区域中的辐射敏感基板(SUB)进行曝光的曝光设备(WSC)。 [0090] 设备 WSC 使用来自初级辐射源 RS 的辐射来操作。 照明系统 ILL 用于接收来自主辐射源 RS 的辐射并将定向照明辐射整形到图案上。 投影物镜PO用于对感光基板SUB上的图案结构成像。 [0091] 在EUV光刻的应用领域中,初级辐射源RS具体可以是激光等离子体源或气体放电等离子体源或基于同步加速器的辐射源。 这些辐射源产生波长在 EUV 范围内,特别是在 4 nm 和 30 nm 之间的辐射 (RAD)。 为了使照明系统 ILL 和投影物镜 PO 能够在此波长范围内工作,它们由反射 EUV 辐射的组件构成。 [0092] 来自辐射源 RS 的辐射 RAD 由集中器 COL 收集并导入照明系统 ILL。 在这种情况下,辐射穿过中间焦平面,在该中间焦平面中可以提供用于分离不需要的辐射部分的装置。 照明系统 ILL 对辐射 RAD 进行整形,从而照亮位于投影物镜 PO 的物平面 OS 中或附近的照明场。 在这种情况下,照明场的形状和大小决定了物平面 IS 中有效使用的物镜场的形状和大小。 [0093]在设备WSC的操作期间,反射掩模版M或一些其他反射图案化装置被布置在物平面OS中。 [0094] 投影物镜PO具有六个反射镜M1至M6,其具有沿公共光轴AX布置的曲面镜面。 投影物镜以缩小的比例将掩模的图案成像到图像平面中,在该图像平面中布置有待曝光的衬底,例如半导体晶片。 从掩模M传递到衬底的投射辐射PR被六个反射镜(第一反射镜M1至第六反射镜M6)连续反射。 与物场 OF 光学共轭的像场 IF 位于像平面中。 实部中间像IMI与物场光学共轭,在第六反射镜M6的边缘几何附近的第五反射镜M5和第四反射镜M4之间光学形成像场。 存在第一光瞳平面P1,主光线在第二反射镜M2处或附近与光轴AX相交。 第二光瞳平面P2大致在第五和第六反射镜M5和M6之间的几何中间。 [0095] 所有镜子都覆盖有多层反射涂层,该涂层对 EUV 辐射具有反射效果,并且可以包括例如 Mo/Si 层对(双层)。 [0096] 用于保持和操纵掩模 M (分划板) 的装置 (分划板台) 使得布置在掩模上的图案位于投影物镜 PO 的物平面 OS 内, 这里也称为分划板平面。 掩模可在扫描驱动器的帮助下在垂直于投影透镜的参考轴AX(z方向)的扫描方向(y方向)上在该平面中移动以用于扫描仪操作。 [0097] 待曝光的衬底SUB由包括扫描仪驱动器的装置(晶片台)保持以在扫描方向(y方向)上与垂直于参考轴AX的掩模M同步地移动衬底。 取决于投影透镜PO的设计,掩模和衬底的这些移动可以相对于彼此以平行或反平行的方式进行。 [0098] 晶圆台和分划板台是由扫描控制装置控制的扫描仪装置的一部分,扫描控制装置在本实施例中集成到投射曝光设备的中央控制装置中。 [0099] 投射曝光设备WSC的所有光学部件都容纳在可抽真空的外壳中。 投影曝光设备在真空下操作。 [0100] 具有类似基本构造的EUV投射曝光设备例如从WO 2009/100856 A1中已知。 EP 1178356 A2(图 4)中公开了具有类似基本配置的投影物镜。 这些文件在这方面的公开内容通过引用并入本说明书的内容中。 [0101] 第一至第六反射镜M1至M6中的一个或多个可以包括根据本文描述的实施例的反射镜布置。 根据镜子的类型及其沿光路的位置,镜子布置可以提供不同的有用功能。 [0102] 例如,第二反射镜M2是位于或非常靠近与照明系统ILL的光瞳平面光学共轭的第一光瞳平面P1处的凹面镜。 因此,该反射镜上辐射的空间强度分布将由照明系统提供的照明设置类型决定。 例如,如果使用偶极设置,则撞击在第二反射镜M2上的辐射将集中在对应于照明设置的极点的两个直接相对的区域中,从而导致第二反射镜上的辐射负载不均匀。 这可能导致镜子的不均匀加热,从而导致不均匀变形和相关的像差。 然后可以控制反射镜装置的反射镜面,使得可以至少部分地补偿不均匀辐射负载的影响,从而减少否则会出现在系统中的图像误差。 [0103] 第六反射镜M6并没有精确定位在光瞳面内,而是相对靠近光瞳面的位置,由此不均匀的辐射负载可能导致某些照明设置。 与第二反射镜一样,自适应反射镜布置可以至少部分地补偿否则会发生的像差。 此外,第六反射镜M6的大部分在操作期间被光学地使用。 具体而言,第六镜是所有镜中光学使用面积最大的镜。 大镜子可能对重力对镜子形状的影响特别敏感。 这些影响可以通过相应地控制反射镜装置的整体表面形状来补偿。 [0104] 作为另一个示例,第五反射镜M5(几何上最靠近图像表面)是凸面镜,其定位使得EUV辐射的大范围入射角存在于反射镜表面上。 此外,最大入射角可能出现在该反射镜上。 在这些条件下,该反射镜的反射行为对多层系统层结构中的小缺陷特别敏感。 当第五反射镜被设计为根据该实施例的反射镜布置时,可以至少部分地补偿由层结构中的小缺陷引起的问题。 [0105] 作为另一示例,第四反射镜M4的光学使用的凹面反射表面被定位为在光学上靠近场平面,特别是在其上形成中间图像IMI的场平面。 控制靠近场平面的反射镜的表面形状可用于补偿场相关像差。 [0106] 第三反射镜M3具有光学布置在中间范围内的凸反射面,该反射面不太靠近场平面并且不太靠近光瞳平面。 处于该中间位置的镜子也可以具有根据实施例的镜子布置。 [0107] 当考虑波前校正问题时,典型的 EUV 投影物镜通常具有相对较少数量的实际有助于图像形成的光学表面,例如 4、6 或 8 个反射镜。 因此,只有有限数量的自由度可用于通过波前校正操纵器影响波前。 因此,根据本申请的实施例,为投影物镜的多于一个反射镜提供反射镜布置可能是有用的。 例如,靠近光瞳面的至少一个反射镜、靠近场面的至少一个反射镜和位于中间位置的至少一个反射镜可以设计为根据本发明的反射镜布置,使得多个度数将提供波前校正的自由度。 [0108] 如上所述,根据本发明实施例的反射镜布置的使用不限于用于EUV光刻的光学系统。 例如,根据一个实施例的反射镜装置可以用作折反射投影物镜中的曲面镜,该反射折射投影物镜设计用于深紫外范围内的波长,例如约248nm或约193nm。 例如,反射镜装置的光滑连续镜面可以具有整体凹形,从而可以提供能够适配凹面镜的表面形状的有源凹面镜。 [0109] 已经基于示例性实施例描述了反射镜布置在光刻曝光设备的投影物镜中的几种可能用途。 备选地或附加地,还可以根据反射镜布置的实施例来配置照明系统ILL的至少一个反射镜。 WO 2012/126954 A1中描述的镜子可以根据本申请的实施例进行设计。 [0110] 反射镜装置的整个反射镜表面可以像平面镜一样平坦。 也可以设计凸曲面或凹曲面镜面的镜面布置。 在示例中,单独的辐射入射面分别是平坦的表面。 然而,这不是强制性的。 反射镜元件的每个或所有单独的辐射入射面也可以是凸出或凹入弯曲的。 另外,单独的反射镜元件可以安装在载体结构上,从而获得所需形状的反射镜表面。 [0111] 各个镜子元件的形状可以适应所需的应用。 [0112]多层布置在连续层对区域中的层配置可以适应所寻求的应用。 在示例性实施例中,压电层布置在反射层系统和基板的多个层对之间,对应于WO 2012/126954 A1的图9的示例。 单独反射镜元件的多层布置的层配置被设计成使得反射镜布置作为整体可以空间分辨率方式用作有效的波前校正装置,而不会针对不同的操作模式出现反射率的不同空间分布。 [0113] 或者,压电层可以位于与衬底间隔开的第一组层对和在衬底附近的第二组层对之间,对应于WO 2012/126954 A1的图1的示例。 相应地,可以定位互连装置以能够向压电层提供互连场。 通过插入压电层,可以通过施加外部电压来改变层组之间的距离(垂直于辐射入射面测量)。 中间压电层在第一层组中反射的辐射部分和第二层组中反射的部分辐射之间引入光程长度差或相移。 通过施加外部电压,可以以连续可变的方式改变相移的程度,从而改变相应镜面元件的反射率。 第一层组和第二层组之间的集成压电层以集成法布里-珀罗干涉仪(标准具)的方式起作用,其界面之间的距离可电调节,具有反射效果。 [0114] 在具有压电层和位于与衬底间隔开的第一组层对和衬底附近的第二组层对之间的互连布置的多层布置中,特别是用于使用互连布置材料的辐射考虑必须给予以确保它具有低吸光度。 [0115] 多层布置还可以具有多于一个的压电层,该压电层布置在具有多个层对的两个相邻层组之间并且用于这些层组的辐射的反射部分之间的可控相移。 例如,对应于WO 2012/126954 A1的图8的示例,可以提供两个或三个这样的压电层,然后同样地在这些压电层之间布置具有多个层对的层组。 相应地,多层布置可以具有多于一个的互连布置以使得能够为每个压电层提供互连场。 [0116] 多层布置可以具有多个压电层,允许反射层系统内周期厚度的变化。 通过改变周期厚度,反射镜元件的反射层系统在工作波长下的反射率以连续可变的方式发生,因为对于给定的工作波长和给定的入射角,只有特定的层周期会引起完美的相长干涉,并且因此最大反射率。可以改变 此外,反射辐射的相位受到影响,因此空间分辨的波前效应也是可能的。 [0117] 如果对于相对小的入射角范围需要高的最大反射率,则完全周期性的层对序列可能是有利的。 相反,如果需要角空间中的宽带配置和/或光谱宽带配置,则还可以组合具有不同周期的层对(参见例如DE 101 55 711 B4或WO 2010/118928 A1)。 为了降低反射率对入射角的依赖性,层布置原则上也可以以其他方式配置。 特别地,可以为多层布置的层对提供不同的材料配对。 在这种配置中,通过将电场施加到压电层,如果适当地连续可变的话,可以在多层布置中的层的周期性中产生变化。 [0118] 失谐或改变层的周期也可用于使反射率适应可能偏离期望值的中心波长,以便例如补偿光源光谱或整个光学系统的光谱传输的偏差可以执行。会有 备选地或附加地,适应优选地或不希望地改变的镜子的角度也是可能的。 [0119] 关于多层布置的层结构,特别是反射层系统和压电层的更多可能性,参见WO 2012/126954 A1的内容。 每个的公开内容通过引用并入本文。 [0120] 本发明的实施例也可用于光刻的光学系统。 例如,可以在 X 射线显微镜领域中使用,特别是在 EUV 掩模计量学领域中。 实施例可用于监测 EUV 航拍图像的系统,例如国际公开号 WO 2011/012267 A1 和 WO 2011/012266 A1 中所公开的。 还考虑了在 EUV 系统计量中的应用。 进一步考虑在 EUV 天文学领域和同步加速器系统的光学组件中的应用。 [0121] 在示例性实施例中,反射层系统被配置为反射EUV辐射。 备选地或附加地,反射层系统可以被配置为反射DUV或VUV电磁辐射。 作为多个层对的替代方案,反射层系统可以包括为此目的的介电增强铝镜层。 [0122] 在该示例的情况下,各个反射镜元件的多层布置的示例性多层或组件形成公共层或组件。 特别地,各个反射镜元件的基板形成公共基板。 此外,单独的反射镜元件共享与第一和第二电极相对的公共电极、公共压电层和公共反射层系统。 或者,镜子元件可以是分离的,即具有分离的基板、在压电层的相对侧上的分离的电极、分离的压电层和/或分离的反射层系统。 反射镜元件也可以是能够以彼此分离的方式安装的反射镜元件,如果合适的话通过载体结构上的中间空间。 [0123] 在压电层的两个相对侧上的分离电极的情况下,两侧将有间隙区域。 因此,互连装置可以包括在压电层的相对侧上的互连层以向其提供互连场。 作为所示公共互连层在第一和第二电极的边界之上延伸并超出其边界的替代方案,互连布置开始于第一电极的边界并结束于第二电极的边界,从而形成第一和第二电极它还可以包括互连电极的互连层。