KR102520380B1
有效
一种用于光刻曝光设备的反射镜阵列和包括该反射镜阵列的光学系统
청구항 1
리소그래피 노광 장치(WSC)용 미러 배열체(1)이며,- 인접하게 배열되고 상기 미러 배열체(1)의 미러면(3)을 함께 형성하는 복수의 미러 요소(2a, 2b)를 포함하고,- 각각의 미러 요소(2a, 2b)는 기판(4a, 4b) 및 상기 기판(4a, 4b) 상의 다층 배열체(5a, 5b)를 포함하고,- 상기 다층 배열체(5a, 5b)는 미러면(3)의 부분을 형성하는 방사선 입구면(7a, 7b)을 갖는 반사층 시스템(6a, 6b) 및 상기 방사선 입구면(7a, 7b)과 상기 기판(4a, 4b) 사이에 배열된 압전층(8a, 8b)을 포함하고,- 각각의 미러 요소(2a, 2b)는 전기장을 발생하기 위해 상기 압전층(8a, 8b)과 연계된 전극 배열체(9a, 9b, 9c)를 포함하고, 상기 압전층(8a, 8b)의 층 두께(tp)는 전기장에 의해 제어될 수 있는, 미러 배열체(1)에 있어서,상호접속 전기장이 제1 및 제2 전극(9a, 9b) 사이에서 간극 구역(11)에 발생하도록, 상호접속 배열체(10)가 인접한 전극 배열체(9a, 9b, 9c)의 인접한 제1 및 제2 전극(9a, 9b)을 전기적으로 상호접속하고, 상기 상호접속 전기장은 상기 제1 전극(9a)에서의 제1 전기장과 상기 제2 전극(9b)에서의 제2 전기장 사이에 연속적인 전이를 발생하는 것을 특징으로 하는, 미러 배열체(1).
청구항 2
리소그래피 노광 시스템(WSC)용 미러 배열체(1)이며,- 인접하게 배열되고 상기 미러 배열체(1)의 미러면(3)을 함께 형성하는 복수의 미러 요소(2a, 2b)를 포함하고,- 각각의 미러 요소(2a, 2b)는 기판(4a, 4b) 및 상기 기판(4a, 4b) 상의 다층 배열체(5a, 5b)를 포함하고,- 상기 다층 배열체(5a, 5b)는 미러면(3)의 부분을 형성하는 방사선 입구면(7a, 7b)을 갖는 반사층 시스템(6a, 6b) 및 상기 방사선 입구면(7a, 7b)과 상기 기판(4a, 4b) 사이에 배열된 압전층(8a, 8b)을 포함하고,- 각각의 미러 요소(2a, 2b)는 전기장을 발생하기 위해 상기 압전층(8a, 8b)과 연계된 전극 배열체(9a, 9b, 9c)를 포함하고, 상기 압전층(8a, 8b)의 층 두께(tp)는 전기장에 의해 제어될 수 있는, 미러 배열체(1)에 있어서,상호접속 배열체(10)가 인접한 전극 배열체(9a, 9b, 9c)의 인접한 제1 및 제2 전극(9a, 9b)을 전기적으로 상호접속하고, 상기 제1 및 제2 전극(9a, 9b) 사이에서 간극 구역(11) 내의 상기 상호접속 배열체(10)의 전기 저항(Ri)은 상기 제1 및 제2 전극(9a, 9b)의 전기 저항(Rw)보다 크고 상기 제1 및 제2 전극(9a, 9b)을 갖는 인접한 전극 배열체(9a, 9b, 9c)의 압전층(8a, 8b)의 전기 저항(Rl)보다 작은 것을 특징으로 하는, 미러 배열체(1).
청구항 3
제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 전극(9a, 9b) 사이에서 상기 간극 구역(11) 내의 상기 상호접속 배열체(10)의 전기 저항(Ri)은 상기 제1 및 제2 전극(9a, 9b)의 전기 저항(Rw)보다 크고 상기 제1 및 제2 전극(9a, 9b)을 갖는 인접한 전극 배열체(9a, 9b, 9c)의 압전층(8a, 8b)의 전기 저항(Rl)보다 작은, 미러 배열체(1).
청구항 4
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 전극(9a, 9b) 사이에서 상기 간극 구역(11) 내의 상기 상호접속 배열체(10)의 전기 저항(Ri)은 1 킬로오옴 내지 10 메가오옴의 범위인, 미러 배열체(1).
청구항 5
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 상호접속 배열체(10)는 반도체 재료를 포함하는, 미러 배열체(1).
청구항 6
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 전극(9a, 9b)의 전기 저항(Rw)은 1 킬로오옴 이하인, 미러 배열체(1).
청구항 7
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 전극(9a, 9b)을 갖는 인접한 전극 배열체(9a, 9b, 9c)의 압전층(8a, 8b)의 전기 저항(Rl)은 10 메가오옴 이상인, 미러 배열체(1).
청구항 8
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 상호접속 배열체는 다수의 또는 모든 미러 요소(2a, 2b)를 상호접속하는 공통 상호접속층(10)을 포함하는, 미러 배열체(1).
청구항 9
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 다수의 또는 모든 미러 요소(2)의 압전층(8a, 8b)은 공통 압전층(8)을 형성하는 것을 특징으로 하는, 미러 배열체(1).
청구항 10
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 다수의 또는 모든 미러 요소(2)의 반사층 시스템(6a, 6b)은 공통 반사층 시스템(6)을 형성하는 것을 특징으로 하는, 미러 배열체(1).
청구항 11
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반사층 시스템(6a, 6b)은 300 나노미터 미만의 파장 범위에서 전자기 방사선을 반사하기 위해 구성되는, 미러 배열체(1).
청구항 12
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반사층 시스템(6a, 6b)은 고굴절률층 재료 및 저굴절률층 재료의 교번적인 층(12, 13)을 갖는 복수의 층 쌍(12, 13)을 포함하는, 미러 배열체(1).
청구항 13
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 상호접속 배열체의 상호접속층(10)의 두께(ti)는 50 나노미터 내지 500 나노미터의 범위인, 미러 배열체(1).
청구항 14
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 전극(9a, 9b)의 최대 전극 직경(D)은 0.5 내지 50 밀리미터의 범위인, 미러 배열체(1).
청구항 15
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 전극(9a, 9b) 사이에서 상기 간극 구역(11)의 폭(W)은 10 ㎛ 내지 1 밀리미터의 범위인, 미러 배열체(1).
청구항 16
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 미러 배열체(1)의 유용한 영역의 직경에 걸친 미러 요소(2)의 수는 20 내지 200개의 범위인, 미러 배열체(1).
청구항 17
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 따른 적어도 하나의 미러 배열체(1)를 포함하는, 광학 시스템.
청구항 18
제17항에 있어서, 상기 광학 시스템은 리소그래피 노광 장치(WSC)의 투영 대물부(PO)인, 광학 시스템.
