JP2023052274A 审中 无损检测系统、中子辐照源和中子辐照方法
提高无损检测中靶产生的中子中用于检测的中子的产额,提高检测方向的自由度。 一种安装在移动体2上的​​无损检测系统,包括中子辐照源3和中子检测单元14,中子检测单元14能够检测从中子辐照源3辐射出并穿过被检物体6a的中子Nb。1、中子照射源3具有直线加速器11、能够相对于从直线加速器11射出的带电粒子P的射出方向大致垂直地偏转的对置磁铁12a、12b、以及能够通过照射产生中子N的靶部13。穿过第一磁铁单元12的带电粒子P基本平行,靶段13设置在屏蔽管15内,屏蔽管15的轴线与带电粒子入射靶段13的轴平行.
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专利时间轴
  • 10 Jan 2023 申请日
    JP/2023001502
    优先权
  • 10 Jan 2023 申请日
    JP/2023052274
    当前专利 申请号
  • 11 Apr 2023 公开(公告)日期
    JP2023052274A
    申请号
专利类型/受理局 APPLICATION( JP)
[标]当前申请(专利权)人 株式会社トプコン,国立研究開発法人理化学研究所
当前申请(专利权)人 株式会社トプコン,国立研究開発法人理化学研究所

東京都板橋区蓮沼町75番1号,埼玉県和光市広沢2番1号

[标]原始申请(专利权)人 株式会社トプコン,国立研究開発法人理化学研究所
原始申请(专利权)人 株式会社トプコン,国立研究開発法人理化学研究所

東京都板橋区蓮沼町75番1号,埼玉県和光市広沢2番1号

IPC分类号
IPC(8): G01N23/204H05H7/04G01T3/00G21K5/02H05H9/00 +5
技术主题分类
应用领域分类
发明人

永野 繁憲 (東京都板橋区蓮沼町75-1株式会社トプコン内)

塚田 央 (東京都板橋区蓮沼町75-1株式会社トプコン内)

大竹 淑恵 (埼玉県和光市広沢2番1号 国立研究開発法人理化学研究所内)

井門 孝治 (埼玉県和光市広沢2番1号 国立研究開発法人理化学研究所内)

吉村 雄一 (埼玉県和光市広沢2番1号 国立研究開発法人理化学研究所内)

須長 秀行 (埼玉県和光市広沢2番1号 国立研究開発法人理化学研究所内)

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