【請求項2】

前記線形加速器は、前記荷電粒子として照射断面が扁平形状となる陽子ビームを照射可能であり、

前記第１の磁石部は、前記磁石が対向する方向を前記陽子ビームの照射断面短径方向に配置する請求項１に記載の非破壊検査システム。

【請求項3】

前記第１の磁石部は、前記磁石が電磁石であり、前記電磁石に通電する電流を変化させることで前記磁石の間の磁束密度を変化させ、前記荷電粒子としての陽子ビームを偏向させることで前記ターゲット部への照射位置を変化可能である請求項１又は２に記載の非破壊検査システム。

【請求項4】

前記第１の磁石部は、前記磁石の対向する距離を変化させることで前記磁石の間の磁束密度を変化させ、前記荷電粒子としての陽子ビームを偏向させることで前記ターゲット部への照射位置を変化可能である請求項１から３のいずれか一項に記載の非破壊検査システム。

【請求項5】

前記第１の磁石部は、前記荷電粒子の出射方向を軸としたときに、前記磁石が当該軸を中心に回動させ、前記荷電粒子としての陽子ビームを偏向させることで前記ターゲット部への照射位置を変化可能である請求項１から４のいずれか一項に記載の非破壊検査システム。

【請求項6】

前記中性子照射源は、第２の磁石部を更に備え、

前記第２の磁石部は、前記第１の磁石部を構成する前記２つの磁石の対向する方向と直交するように対向する磁石を有する請求項１から５のいずれか一項に記載の非破壊検査システム。

【請求項7】

前記第２の磁石部は、前記第２の磁石部の当該対向する磁石の間の磁束密度を変化させ、前記荷電粒子としての陽子ビームを偏向させることで前記ターゲット部への照射位置を変化可能である請求項６に記載の非破壊検査システム。

【請求項8】

前記遮蔽筒は、前記ターゲット部の下部から前記移動体の荷台を貫通して前記被検査物の表面まで延びている請求項１から７のいずれか一項に記載の非破壊検査システム。

【請求項9】

前記中性子検出部は、前記被検査物の内部にて後方散乱した中性子を検出可能である請求項１から８のいずれか一項に記載の非破壊検査システム。

【請求項10】

前記中性子検出部は、前記被検査物を透過した中性子を検出可能である請求項１から９のいずれか一項に記載の非破壊検査システム。

【請求項11】

前記中性子検出部により検出した中性子の情報に基づいて前記被検査物の内部解析を行う解析部と、

を更に備える請求項１から１０のいずれか一項に記載の非破壊検査システム。