屏蔽设备 101 包括设备 103 和屏蔽层 105。设备 103 以不同的量衰减穿过设备 103 的 X 射线,提供第一跨度的 X 射线衰减,并且屏蔽层 105 包括一层 X 射线衰减材料 109 将 X 射线在屏蔽层 105 上衰减不同的量,从而提供衰减的第二跨度。 第二个跨度的幅度是第一个跨度的 20-120%。 公开了一种制造装置 101 的方法,由此将一层 x 射线衰减材料 109 应用于屏蔽,并且屏蔽 105 被布置为拦截用于成像设备 103 的 x 射线。x 射线衰减可以变化 随机穿过屏蔽105的全部或一部分。屏蔽105的一部分可以具有非随机的x射线衰减变化。 x射线衰减材料109可以具有跨屏蔽的变化的厚度。 x射线衰减材料109可以包括连续层,并且它可以包括施加到衬底111的涂层。屏蔽105可以包括分散在衬底材料111内的x射线衰减材料109的区域,其可以是多个 X 射线衰减粒子(709,图 4)。