屏蔽装置 技术领域 本公开涉及一种屏蔽装置,其包括装置和护罩,护罩包括一层x射线衰减材料。 本公开还涉及一种制造屏蔽装置的方法。 背景 安全设备可能需要屏蔽,以便它们在使用、部署或运输过程中不可见,并且它们不能被检测或识别,至少在没有检测或识别证据的情况下是这样。 防护罩可用于阻挡可见光,确保设备在使用、部署和运输过程中不可见。 这种防护罩可以临时使用,例如,在部署或运输期间使用,或者可以永久定位以屏蔽设备。 已知的防护物例如是板、盒或容器。 用于此类屏蔽的类型、尺寸和材料通常取决于要屏蔽的设备和所需的保护级别。 然而,已知的防护罩可能无法提供针对除可见光之外的检测设备方法的保护。 例如,X 射线辐射可用于检测、识别和成像设备; 传统防护罩可能无法提供针对 X 射线辐射的保护,并且使用 X 射线辐射通常不会在设备或防护罩上留下任何痕迹,因此使用 X 射线并不明显。 因此,第三方可能能够在设备的合法处理者不知情的情况下使用 X 射线检测、识别和成像设备。 X射线衰减材料是已知的,并且用于各种领域以完全或部分地衰减X射线辐射。 为了充分阻挡 X 射线,通常需要笨重、庞大且笨重的防护罩。 部分衰减 X 射线的防护罩用于为设备提供一定程度的保护。 将分散注意力的图案或消息引入到 X 射线生成的图像中的屏蔽是已知的。 这可以在一定程度上防止检测和/或识别设备; 然而,已知技术可以补偿此类​​图案/信息(例如简单地从 X 射线图像中减去图案或信息),因此这不是用于屏蔽设备免受 X 射线影响的稳健可靠的方法。 因此,需要开发改进的和更稳健的方法来屏蔽设备免受 x 射线检测。 发明概要 根据第一方面,本公开提供了一种根据权利要求1的屏蔽装置。根据第五方面,本公开提供了一种根据权利要求19的制造屏蔽装置的方法。 应当理解,关于本公开的一个方面描述的特征可以并入本公开的其他方面。 例如,本公开的方法可以结合参考本公开的装置描述的特征,反之亦然。 图纸说明 图1是本领域已知的屏蔽设备的示意性侧视图; 图2是根据本发明实施例的被屏蔽设备的侧视示意图。 图3(a)是根据本公开的实施例的用于屏蔽设备的屏蔽件的透视图。 图3(b)是根据本公开的实施例通过使用图3(a)的屏蔽的屏蔽设备截取的示意性横截面侧视图; 图4是通过根据本公开的一个实施例的屏蔽设备截取的示意性横截面侧视图,其中屏蔽包括分布在基板内的x射线衰减颗粒的悬浮液,并且其中在屏蔽之间存在气隙。 基板和设备; 图5是通过根据本公开的实施例的屏蔽设备截取的示意性横截面侧视图,其中屏蔽包括分布在基板内的x射线衰减颗粒的悬浮液,并且其中之间没有气隙 基板和设备; 图6是通过根据本公开的实施例的屏蔽设备截取的示意性横截面侧,其中屏蔽包括在盒子中的x射线衰减粒子的悬浮液; 图7是示出当试图使用X射线对器件成像时使用根据本公开的实施例的屏蔽设备的示意图; 图8是根据本公开的一个实施例的用于屏蔽设备的屏蔽的俯视图,其中根据本发明的一个实施例,屏蔽的一部分具有非随机的x射线衰减变化; 图9为本发明实施例提供的一种屏蔽装置,其中屏蔽件构成盒盖。 图10是根据本发明一个实施例的屏蔽装置,其中屏蔽装置是盒子,装置是导弹,盒子的每个壁上都涂有一层X射线衰减材料。 图11是根据本公开的一个实施例的屏蔽装置,其中屏蔽是公文包并且设备是机密原型,并且其中公文包具有包含在其内衬中的X射线衰减材料层; 和 图12是根据本公开的一个实施例的屏蔽设备,其中屏蔽是保险箱,设备是膝上型电脑,并且其中公文包在其内衬内具有一层X射线衰减材料; 和 图13是示出根据本公开的实施例的制造屏蔽装置的方法的流程图。 详细说明 根据第一方面,本公开提供了一种屏蔽装置,包括装置。 该设备在设备的不同部分以不同的量衰减 x 射线,从而提供 x 射线衰减的第一跨度。 该设备包括护罩。 该防护罩包括一层 X 射线衰减材料,该材料可将 X 射线衰减一定量,该量在整个防护罩中变化,从而提供 X 射线衰减的第二跨度。 第二个衰减跨度的幅度在第一个衰减跨度的幅度的 20% 和 120% 之间。 该装置可以包括电子元件,或多个电子元件,例如电路板,以及电子板或电路板的组件。 该装置可以包括多个铜部件、硅部件和/或导线,它们可以具有不同的衰减。 该设备可以是机械设备。 该设备可以是武器,例如导弹。 该装置可以是车辆的部件,例如发动机。 该设备可以是计算机。 该设备可以是膝上型计算机。 该设备可能是机密原型。 该装置可以包括具有不同x射线衰减系数和/或不同材料厚度的不同材料,从而产生x射线衰减的第一跨度。 装置的x射线衰减对于装置的不同部分将不同,例如,因为存在表面特征或包含不同材料或不同厚度的材料的区域。 例如,该装置可以是包括多个特征的电路板。 这些特征可能会导致整个设备发生变化的 X 射线衰减。 类似地,x射线衰减层可以具有变化的厚度和/或包括具有不同x射线衰减系数的不同材料,从而产生第二跨度的x射线衰减。 第二衰减跨度的幅度在第一衰减跨度的20%和100%之间。 如果尝试使用 x 射线对设备成像,则 x 射线衰减材料层会导致将用于形成图像的 x 射线的额外衰减。 防护罩可以相对于设备布置,使得如果尝试使用x射线对设备成像,则防护罩将在x射线入射到设备上之前和/或它们入射到设备上之后中断x射线 . 如果尝试使用 X 射线对设备成像,则 X 射线衰减材料层可能会在图像中引入噪声图案。 这可能导致图像的某些部分饱和度不足,而图像的其他部分饱和度过高。 第二衰减跨度可以具有在第一衰减跨度内的最小衰减。 第二衰减跨度可以具有与第一衰减跨度的最大值相等或相当的最小衰减,使得屏蔽比被屏蔽的设备衰减更多。 衰减的第二跨度可能有最小值 在衰减的第一个跨度内衰减高达最大衰减的两倍。 因此,屏蔽的衰减可能至少是被屏蔽设备的两倍。 X射线衰减材料层的厚度可以在整个屏蔽层上变化。 屏蔽层上的厚度变化可能取决于要屏蔽的设备、可能用于尝试对设备成像的 X 射线的预期能量以及用于形成屏蔽层的材料。 例如,用于屏蔽电子电路板的护罩可以具有厚度在0.1mm和1mm之间变化的x射线衰减层。 用于屏蔽发动机部件的护罩可以具有厚度在 0.1 毫米和 400 毫米之间变化的 X 射线衰减层。 整个屏蔽的厚度变化可以是厚度的逐步变化。 x射线衰减层可以包括多个x射线衰减材料像素,像素具有不同的厚度。 屏蔽上的 x 射线衰减变化可以与设备上的 x 射线衰减变化相同或相当。 因此,如果尝试使用 X 射线对设备进行成像,屏蔽可能会引入一种噪声模式,从而混淆设备的图像。 X 射线衰减可能会在屏蔽层上随机变化。 因此,如果尝试使用 X 射线对设备进行成像,则屏蔽可能会将随机模式的噪声引入设备的图像中。 X 射线衰减材料的衰减可以在整个屏蔽上随机变化。 因此,如果尝试使用 X 射线对设备进行成像,防护罩可能会混淆设备的整个图像。 X 射线衰减材料的衰减可以在屏蔽的一部分上随机变化。 因此,如果尝试使用 X 射线对设备进行成像,则防护罩可能会混淆设备的部分图像。 防护罩的一部分可能具有 X 射线衰减的非随机变化,这将导致在由穿过防护罩的 X 射线形成的图像中生成编码消息。 编码消息可以是基于文本的消息。 X 射线衰减材料/材料的选择和/或 X 射线衰减材料的厚度可能取决于被屏蔽的设备,和/或可能用于成像的 X 射线能量范围 装置。 用于屏蔽的X射线衰减材料的厚度和/或选择将被选择为使得第二衰减跨度在第一X射线衰减跨度的20%和120%之间。 x射线衰减材料层可包括连续层。 X射线衰减材料层可以施加到屏蔽件的表面。 X射线衰减材料层可以部分地或完全地覆盖护罩的表面。 x射线衰减材料层可以包括施加到基底的涂层。 防护罩可以包括衬底,该衬底可以是不会显着衰减x射线的材料。 基材可以是树脂或粘合剂。 防护罩可包括分散在基底材料内的x射线衰减材料区域。 颗粒可以悬浮在基底材料内。 基材可以是固体或液体。 防护罩还可以包括用于容纳衬底的封闭盒。 基材可以是粘合剂,例如树脂。 基底可包含不显着衰减x射线的材料。 X射线衰减材料的区域可以是颗粒,例如粉末颗粒。 因此,防护罩可以包括分散在衬底内的多个x射线衰减颗粒。 X 射线衰减材料的区域可以是 3D 打印的微结构或形状。 这些区域可以具有相同的大小和形状,或者可以具有不同的大小和形状并且因此可以引起不同水平的x射线衰减。 具有不同大小和形状的颗粒可能有助于掩盖设备的不同大小的特征。 这些区域可以包括不同的材料。 这些区域可以是铜颗粒或钨颗粒。 防护罩可包括设置在盒子内的多个x射线衰减颗粒。 颗粒可以在盒子内自由移动。 颗粒可以在盒子内沿至少一个方向自由移动。 粒子可以在盒子内以任何方向自由移动。 这些粒子可能能够在盒子内相对于彼此重新排列。 颗粒可以具有相同的尺寸和形状,或者可以具有不同的尺寸和形状,因此可以引起不同水平的x射线衰减。 颗粒可以是相同的x射线衰减材料的颗粒,或多种不同的射线衰减材料的颗粒。 颗粒可包括粉末颗粒。 颗粒可以包含 3D 打印的微结构或形状。 具有不同大小和形状的颗粒可能有助于掩盖设备的不同大小的特征。 护罩还可以包括用于相对于设备定位盒子的支撑框架。 防护罩可包括分散在基板内的多个x射线衰减区域或粒子的组合,以及跨越防护罩的x射线衰减材料的厚度变化。 厚度的变化可以是由多个像素引起的厚度的阶梯式变化,或者 像素列。 分散在固体基底内的多个x射线衰减区域或颗粒可以形成为不同厚度的柱,并且这些柱可以分布在屏蔽上。 防护罩可以是面板、板或盒子。 防护罩可以是公文包、保险箱或集装箱。 防护罩可以是平面面板或弯曲面板。 护罩可包括多个邻接或连接的面板。 防护罩可以形成盒子、保险箱、公文包或容器的一部分,例如,防护罩可以是容器或盒子的盖子或者可以形成盖子的一部分。 护罩可以是带有用于移除和/或插入设备的可移除和/或可重新密封的盖子的盒子。 防护罩可以用于临时屏蔽装置,例如,在运输、部署或储存期间。 护罩可以可移除地附接到设备或固定到设备。 护罩可以是更永久的结构,用于在设备使用期间或存储期间保护设备。 防护罩可以位于设备前面,这样如果尝试使用 X 射线对设备成像,则防护罩可以在 X 射线到达设备之前中断它们。 防护罩可以位于设备后面,这样如果尝试使用 x 射线对设备成像,则防护罩可以在 x 射线用于形成设备图像之前中断 x 射线。 防护罩可以完全或部分包围设备。 屏蔽层可能与设备直接接触。 屏蔽层和设备之间可能存在气隙。 或者,屏蔽和设备之间可能没有气隙。 屏蔽可以焊接或拧到设备上。 防护罩可以是尺寸与设备相当或略大于设备的板。 X射线衰减材料层包括从由钛、铁、镍、铜、锌、钡、钨、汞、铅、铋和铀组成的列表中选择的材料。 X射线衰减材料层的厚度可取决于材料的选择。 例如,由于铀比钛更能衰减 x 射线,因此可以使用较薄的铀层来实现与较厚的钛层相同的衰减。 X射线衰减材料可以包括多种不同的材料。 可以根据要屏蔽的设备来选择材料。 材料的选择和材料的厚度可取决于可用于尝试使装置成像的可能的X射线能量范围。 根据第二方面,本公开提供了一种制造屏蔽装置的方法。 屏蔽装置包括装置,其中该装置在装置的不同部分以不同的量衰减x射线,从而提供第一跨度的x射线衰减。 这 设备包括屏蔽。 该屏蔽包括一层 x 射线衰减材料,该材料将 x 射线衰减一定量,该量在整个屏蔽上变化,从而提供第二跨度的 x 射线衰减。 屏蔽装置可包括上述任何特征。 该方法包括产生穿过x射线衰减材料层的衰减变化,其中第二衰减跨度具有在第一衰减跨度的量值的20%和120%之间的量值。 该方法包括将x射线衰减材料层施加到防护罩。 该方法包括相对于设备布置防护罩,使得如果尝试使用x射线对设备成像,则防护罩将拦截用于对设备成像的x射线。 如果防护罩是盒子、公文包、保险箱或容器,则相对于设备布置防护罩可包括将设备放置在盒子、公文包、保险箱或容器中。 该方法可包括密封盒子或容器,或关闭公文包或保险箱。 相对于设备布置护罩可包括使用护罩完全或部分包围设备。 相对于设备布置屏蔽可以包括将屏蔽定位在设备前面,使得如果试图使用x射线对设备成像,则屏蔽会在x射线到达设备之前中断它们。 相对于设备布置防护罩可以包括将防护罩定位在设备后面。 在这种情况下,防护罩可以在 X 射线落入设备之后但在使用 X 射线形成图像之前拦截 X 射线。 将x射线衰减材料层施加到防护罩可以包括将该层涂覆到基底上或防护罩的表面上。 将x射线衰减材料层施加到屏蔽可以包括将x射线衰减层的区域分散在基板中。 可以以任何顺序执行产生衰减变化、将层施加到屏蔽以及相对于装置布置屏蔽的方法步骤。 例如,该层可以在产生x射线衰减变化的步骤之前或在产生x射线衰减变化之后施加到屏蔽。 产生衰减变化可以包括产生横跨x射线衰减材料层的厚度变化。 可以使用附加层制造来产生穿过x射线衰减材料层的衰减变化。 这可用于生成连续的 x 射线衰减材料层。 该方法可以包括将该层施加到可以形成屏蔽的一部分的衬底。 使用附加层制造可以提供产生厚度的精细尺度变化的有效方法。 可以使用 CNC 加工产生穿过 x 射线衰减材料层的衰减变化。 该方法可以包括 使用 CNC 加工在屏蔽层上产生随机厚度变化。 可以使用铸造来产生穿过x射线衰减材料层的衰减变化。 单独的像素可以被铸造然后组装以形成x射线衰减材料层。 或者,X射线衰减材料层可以整体浇铸。 制造方法可能取决于所需厚度变化的规模。 现有技术的屏蔽设备 1 包括(图 1)具有第一跨度的 x 射线衰减的设备 3 和设置在设备 3 前面的屏蔽层 5。屏蔽层 5 具有恒定的厚度并且包括部分衰减的材料 X光片。 因此,对于相同能量的 X 射线,屏蔽 5 上的 X 射线衰减将是恒定的。 如果尝试使用 x 射线形成设备 3 的图像 7,则沿箭头 2 的方向指向设备 3 的 x 射线在它们落下之前将被护罩 5 中断 入射在设备 3 上。防护罩 5 会在 X 射线入射到设备 3 上之前对其进行部分衰减。如果使用已经穿过设备 3 和防护罩的 X 射线形成图像 7,则由 X 射线引起的衰减 屏蔽以均匀的方式降低了图像 7 的对比度。 根据本公开的第一示例实施例的屏蔽装置101(图2)包括具有第一跨度的x射线衰减的装置103和屏蔽105。屏蔽105包括x射线衰减材料层109 它在屏蔽层 105 上的衰减发生变化,从而提供第二个衰减跨度。 第二个衰减跨度的幅度在第一个衰减跨度的幅度的 20% 到 120% 之间。 第一衰减跨度是由设备 103 表面上提供的多个特征 104a、104b 引起的。这些特征 104a、104b 由不同的材料形成,与设备的其余部分具有不同的衰减系数,并且局部增加 装置103的厚度。 X射线衰减材料层109设置在形成屏蔽罩105的一部分的衬底111上。X射线衰减材料层包括多个像素112a、112b、112c,每个像素112a、112b、112c 具有不同的厚度。 X射线衰减材料109具有恒定的X射线衰减系数,但是层109上的不同厚度将导致层109上的衰减发生变化。 防护罩 105 位于设备 103 的前面。如果尝试使用 X 射线形成设备的图像,则防护罩 105 将拦截指向设备的 X 射线(例如,在所示方向上 通过箭头 102)。 X射线衰减材料层109将部分地 衰减 X 射线,较厚的像素(例如 112c)比较薄的像素(例如 112b)导致更大的衰减。 由于跨层的厚度变化是随机的,这会将随机噪声模式引入入射到设备103上的x射线中。这又将随机噪声模式或随机对比度降低引入形成的图像107中 从 X 射线。 使用穿过屏蔽105的衰减的变化来将噪声图案引入由已经穿过屏蔽105的x射线形成的图像使得能够使用比已知屏蔽更薄且因此更轻的屏蔽来有效地混淆图像。 在屏蔽层 105 上使用厚度的随机变化有助于防止对图像进行滤波以消除由屏蔽层 105 引入的噪声。 根据本公开的第二个示例性实施例(图 3(a)),用于屏蔽设备 201 的屏蔽件 205 包括形成板的 x 射线衰减材料层 209 和侧壁 2143、214b、214c , 214d 从板垂直方向延伸。 X射线衰减材料层209包括具有不同厚度的多个像素212a、212b。 像素212a、212b引起屏蔽205上衰减的变化。屏蔽205的板具有10cm×10cm的面积。 每个像素212a、212b基本上为立方体形状。 每个像素 212a、212b 在板平面中的面积在 0.5 um x 0.5 pm 和 1 mm x 1 mm 之间。 每个像素212a、212b具有在0.1mm和1mm之间的厚度(在垂直于板平面的方向上测量)。 在使用中,屏蔽 205 位于电路板 203 的前面或顶部,如图 3(b) 所示,并且可以焊接到电路板 203。如果尝试使用 x射线,可以使用能量在40keV至100keV范围内的x射线。 如果要使用沿箭头 202 指示的方向穿过屏蔽的 X 射线生成图像,则由于像素 212a、212b 的厚度变化,噪声的随机模式将被引入图像中 . 在其他实施例(未示出)中,护罩可以拧到电子电路板或电子元件上,或者临时放置在电子电路板或电子元件的顶部或前面。 根据本公开的第二示例性实施例(图4)的屏蔽装置701包括具有第一跨度的x射线衰减的装置703和屏蔽705。屏蔽705包括多个x射线衰减铜颗粒709a 、709b、709c,悬浮在固体树脂基板710内。在其他实施例中(未示出),基板可以是液体基板,并且 底物和颗粒可以封闭在容器内。 树脂基板710不会显着衰减x射线。 X射线衰减颗粒709a、709b、709′具有不同的尺寸和形状,直径范围在10μm至10mm之间,因此对X射线的衰减量不同。 屏蔽由此提供了第二个衰减跨度。 第二个衰减跨度的幅度在第一个衰减跨度的幅度的 20% 到 120% 之间。 第一衰减跨度由设置在装置703的表面上的多个特征704a、704b引起。在这种情况下,装置703是电子电路板,包括多个面积大约为5mm x 5mm的硅组件 . 这些特征704a、704b局部增加了装置703的厚度。 防护罩 705 位于设备 703 的顶部。如果尝试使用 X 射线形成设备 703 的图像,则防护罩 705 将拦截指向设备的 X 射线(例如,在 如箭头702所示)。 X射线衰减粒子709a、709b、709c将部分衰减X射线,其中较大的粒子(例如709a)比较小的粒子(例如709b)引起更大的衰减。 由于粒子 709a、709b、709c 的分布是随机的,这会将随机模式的噪声引入入射到设备 703 上的 X 射线中。这又会引入随机模式的噪声或随机对比度降低, 变成由 X 射线形成的图像。 根据本公开的第三示例实施例的屏蔽设备1001(图5)包括具有第一跨度的x射线衰减的装置1003和屏蔽1005。屏蔽1005包括多个x射线衰减铜颗粒1009a ,1009b,1009¢,悬浮在固体基底1010内。基底1010不显着衰减x射线。 X射线衰减颗粒109a、109b、109c具有不同的尺寸和形状,直径范围在10um和10mm之间,因此将衰减不同的X射线量。 屏蔽1005由此提供第二范围的衰减。 第二个衰减跨度的幅度在第一个衰减跨度的幅度的 20% 到 120% 之间。 第一衰减跨度由设置在设备1003的表面上的多个特征1004a、1004b引起。设备1003是电子板。 这些特征1004a、1004b局部增加了装置1003的厚度。 防护罩 1005 位于设备 1003 的顶部和周围。与图 4 中所示的屏蔽设备 701 不同,防护罩 1005 和设备 1003 之间没有气隙。如果试图形成图像 对于使用 x 射线的设备 1003,防护罩 1005 将拦截指向设备的 x 射线(例如,沿箭头 1002 所示的方向)。 X 射线衰减粒子 1009a、1009b、1009c¢ 将部分衰减 X 射线,具有较大的粒子(例如, 1009a) 比较小的颗粒(例如 1009b)引起更大的衰减。 由于粒子 1009a、1009b、1009c 的分布是随机的,这会将随机模式的噪声引入入射到设备 1003 上的 x 射线中。这又会引入随机模式的噪声或随机对比度降低, 变成由 X 射线形成的图像。 根据本公开的第三示例实施例的屏蔽装置801(图6)包括具有第一跨度的x射线衰减的装置803和屏蔽805。屏蔽805包括多个x射线衰减铜颗粒809a 809b、809c包含在框810内。粒子809a、809b、809c可以在框810内相对于彼此来回移动。x射线衰减粒子809a、809b、809c具有不同的大小和形状,其中 直径在 10 um 和 10 mm 之间,因此会以不同的量衰减 X 射线。 护罩805由此提供由盒子810内的x射线衰减粒子809a、809b、809c的分布引起的衰减的第二跨度。x射线衰减粒子809a、809b、809c的分布可以改变,例如, 如果移动装置801,则如果移动装置801,则屏蔽805上的衰减的变化可能会改变。 第二个衰减跨度的幅度在第一个衰减跨度的幅度的 20% 到 120% 之间。 第一衰减跨度由设置在装置803的表面上的多个特征804a、804b引起。这些特征804a、804b局部增加了装置803的厚度。装置803是电子电路板。 防护罩 805 位于设备 805 的顶部并通过支撑框架 811 悬挂在设备上方。如果尝试使用 X 射线形成设备 803 的图像,则防护罩 805 将拦截 X 射线 指向设备(例如,在箭头802所示的方向)。 X射线衰减粒子809a、809b、809c将部分衰减X射线,其中较大的粒子(例如809a)比较小的粒子(例如909b)引起更大的衰减。 由于粒子 809a、809b、809c 的分布是随机的,这会将随机模式的噪声引入入射到设备 803 上的 x 射线中。这又会引入随机模式的噪声或随机对比度降低, 到由 X 射线形成的图像 807 中。 如果设备 801 移动,则 X 射线衰减粒子 809a、809b、809c 在框 810 内的排列可能会发生变化,并且如果进一步尝试使用 X 射线对设备成像,则防护罩 805 可能会引入一个 不同模式的噪声转化为落入设备 803 的 X 射线。 在图6所示的实施例中,x射线衰减铜颗粒809a、809b、809c包含在悬挂在电子板上方的盒子810内。 在其他实施例中, X 射线衰减粒子可能不包含在单独的盒子中。 防护罩的壁可以将装置和 X 射线衰减粒子封闭在同一空间内。 在本公开的其他实施例(未示出)中,屏蔽可以包括不同材料的x射线衰减颗粒,例如铜和钨。 X射线衰减材料的颗粒可以与形成板的X射线衰减材料层结合使用(如图3(a)和3(b)所示)。 根据本公开的实施例的屏蔽设备301(图7)可以用在预期可以使用x射线对安全设备303成像的尝试中。 如图 7 所示,x 射线可以从发射器 316 沿设备 303 的方向(由箭头 302 所示)发射。屏蔽装置 301 包括护罩 305,并且来自发射器 216 的 x 射线 x- 射线在到达器件 303 之前入射到屏蔽层 305 上。屏蔽层 305 包括衬底和 X 射线衰减材料层 309。X 射线衰减材料层 309 的厚度在屏蔽层 305 上变化,并且这 引起穿过屏蔽305的x射线衰减的变化。屏蔽305因此将噪声的随机模式引入到入射在屏蔽305上的x射线中。屏蔽不会完全衰减x射线和x射线 因此,由护罩305引入的具有噪声的辐射将入射到装置303上。已经穿过护罩305和装置305的X射线将被接收器318检测,并且可以形成图像307。 由于屏蔽层 305 将噪声引入到 X 射线中,因此设备 303 的图像 307 将变得模糊。 本公开的实施例的屏蔽设备(图8)可以包括屏蔽件405,屏蔽件405包括具有非随机厚度变化的部分。 如果尝试使用 X 射线对设备成像,则此类屏蔽 405 可能会在图像中产生编码消息。 屏蔽层 405 包括一层 x 射线衰减材料 409。x 射线衰减层 409 的一部分具有跨屏蔽层 405 随机变化的厚度。x 射线衰减材料 409 的一部分具有非随机厚度 厚度的变化,其形成字符410。如果x射线辐射入射到屏蔽405上并且该辐射稍后用于形成图像,则可以将编码消息引入到图像中。 根据本公开的实施例(图9),屏蔽装置501包括形成盒盖的屏蔽件505和放置在盒内的装置503。 防护罩 505 包括一层 X 射线衰减材料 509。如果尝试使用 如果 X 射线沿箭头 502 指示的方向指向设备,则防护罩会将噪声模式引入 X 射线中,这将混淆生成的图像。 根据本公开的实施例(图10),屏蔽装置601包括盒形式的屏蔽件605。 盒子605围绕导弹603。一层x射线衰减材料609被施加到盒子605的每个表面。如果x射线从任何角度入射到盒子605上,x射线衰减材料609将引入 X 射线中的噪声模式。 根据本公开的示例实施例(图11),屏蔽装置1101包括公文包形式的屏蔽1105。 公文包1105容纳机密原型形式的设备1103。 该原型包括尺寸在 0.1 毫米和 30 毫米之间的铁特征。 X射线衰减层1109包含在公文包1105的衬里内。X射线衰减层1109包括尺寸在0.005mm和5mm之间的多个X射线衰减颗粒的颗粒(未示出)。 颗粒是不同材料的颗粒。 有些颗粒是钨,有些是铅,有些是聚合物,有些是陶瓷。 颗粒悬浮在钡填充树脂粘合剂中。 树脂粘合剂不会显着衰减 X 射线。 树脂粘合剂和悬浮颗粒排列成在公文包1105的内衬内形成像素列。像素列的宽度在5mm和50mm之间,高度在5mm和30mm之间。 如果 X 射线从任何角度入射到公文包 1105 上,则公文包 1105 衬里内的 X 射线衰减材料会将噪声模式引入 X 射线中。 入射在公文包 1105 上的 X 射线可能具有 40 keV 至 300 keV 范围内的能量。 在其他实施例(未示出)中,x射线衰减层可以包含在公文包的专用区域中,而不是包含在衬里中。 根据本公开的示例实施例(图12),屏蔽装置1201包括保险箱形式的屏蔽1205。 笔记本电脑形式的设备1203容纳在保险箱1205内。保险箱1205具有30cm高、40cm深和40cm宽的内部体积。 保险箱1205被设计成保护膝上型计算机1203免受能量在大约400和400keV之间的X射线。 膝上型计算机1203包括引起衰减的第一跨度的特征。 这些特征的尺寸约为 0.05 至 50 毫米,并且具有与 10 毫米铜相似的衰减。 保险箱1205包括呈分布在保险箱表面上的多个铜像素列形式的x射线衰减材料层1209。 列的高度范围从 0 毫米到 20 毫米。 如果 X 射线入射到保险箱 1205 上,铜像素会在 X 射线中引入噪声模式。 在另一个示例性实施例(未示出)中,除了铜像素之外或代替铜像素,保险箱的表面包括悬浮在基板中的 x 射线衰减材料颗粒,或提供在基板内的 x 射线衰减材料颗粒 一个盒子,以提供额外的屏蔽。 根据本公开的示例实施例(未示出),被屏蔽设备是容纳具有发动机的车辆的集装箱。 防护罩是构成容器一部分的安全面板。 被屏蔽的设备是车辆的发动机。 该发动机包括几何形状在 5 到 50 毫米之间的特征。 该发动机具有与 200 毫米铁类似的衰减。 如果尝试使用 X 射线对运输容器成像,则可以使用 40 keV 至 8 MeV 之间的 X 射线能量。 安全面板包括一层x射线衰减材料,其包括多个列像素。 列像素的高度范围为2.5mm至100mm,并且列像素包含铁。 每个列像素的顶面都有纹理以产生额外的 X 射线衰减。 像素高度变化在整个安全面板上随机变化。 在另一个示例性实施例(未示出)中,被屏蔽装置是运输容器,并且屏蔽是形成容器的一部分的安全面板。 安全面板包括多个 X 射线衰减粒子。 颗粒是直径在2.5mm和10mm之间的铁颗粒。 颗粒具有不同的横截面、形状和尺寸。 如果尝试使用 X 射线对容器的内容物进行成像,并且 X 射线入射到安全面板上,则粒子将在 X 射线中引入噪声模式。 根据本公开的示例实施例(未示出),屏蔽装置包括电子电路板形式的装置。 电路板包括多个电子元件,例如宽度为5mm左右的硅元件和宽度为20μm左右的走线。 电路板包括厚度为0.5mm的铜层。 该防护罩包括一个面板,该面板包括一层 X 射线衰减材料。 该层包括多个像素列。 像素柱的厚度为0.1~1mm,截面为正方形。 面板用螺丝固定在电路板的顶部。 该面板可保护电路板免受能量介于 40keV 和 100keV 之间的 X 射线的影响。 根据本公开的实施例(未示出),屏蔽装置包括屏蔽物,屏蔽物包括悬浮在衬底中的多个x射线衰减粒子, 引起穿过屏蔽的x射线衰减的变化,另外,包括多个不同厚度的x射线衰减材料的像素化列,引起穿过屏蔽的x射线衰减的额外变化。 这种屏蔽可以用于屏蔽电子电路板。 像素化柱可用于屏蔽电路的硅部件,悬浮​​在衬底中的x射线衰减材料颗粒可用于屏蔽电路线。 根据本公开的一个实施例(未示出),屏蔽装置包括一叠电路板(器件),它们在屏蔽壳内彼此堆叠。 箱子的面积约为 50 厘米 x 50 厘米,深度约为 20 厘米。 本公开的一个实施例(图13)提供了一种制造屏蔽装置的方法1301。 屏蔽装置包括装置,其中该装置在装置的不同部分以不同的量衰减x射线,提供衰减的第一跨度,和屏蔽。 该屏蔽包括一层 x 射线衰减材料,该材料将 x 射线衰减一定量,该量在屏蔽上变化,从而提供第二跨度的 x 射线衰减。 在第一步骤1303中,该方法包括产生穿过x射线衰减材料层的衰减变化,使得第二衰减跨度具有在第一衰减跨度的20%和120%之间的幅度。 在第二个步骤1305中,该方法包括将x射线衰减材料层施加到屏蔽。 在第三步1307中,该方法包括相对于设备布置防护罩,使得如果尝试使用x射线对设备成像,则防护罩将拦截用于对设备成像的x射线。 虽然已经参考特定实施例描述和说明了本公开,但是本领域普通技术人员将理解本公开适用于本文未具体说明的许多不同变体。 其中在前面的描述中提到的整数或元素具有已知的、明显的或合理可预见的等同物,则这些等同物被并入本文,如同单独阐述一样。 应参考权利要求以确定本公开的真实范围,其应被解释为包含任何此类等同物。 读者还将理解,描述为优选的、有利的、方便的等的本公开的整体或特征是可选的并且不限制独立权利要求的范围。 此外,应当理解,此类可选的整体和特征虽然在本公开的一些实施例中可能有益,但在其他实施例中可能不是期望的并且因此可能不存在。