1.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：
半导体结构，包括：第一接合半导体芯片，具有位于其上部中的第一有源层；第二接合半导体芯片，位于第一接合半导体芯片上，第二接合半导体芯片具有位于其下部中以面对第一有源层的第二有源层，并且第二接合半导体芯片在水平方向上的剖面面积小于第一接合半导体芯片在水平方向上的剖面面积；芯片连接垫，位于第一接合半导体芯片与第二接合半导体芯片之间；以及线接合垫，位于第一接合半导体芯片上且位于第二接合半导体芯片外侧；
第一堆叠半导体芯片，位于半导体结构上，并且包括位于其上表面上的第一芯片垫；
第二堆叠半导体芯片，位于第一堆叠半导体芯片上以暴露第一芯片垫，并且第二堆叠半导体芯片包括位于其上表面上的第二芯片垫；以及
接合线，被配置为将线接合垫与第一芯片垫、线接合垫与第二芯片垫和第一芯片垫与第二芯片垫中的至少一组连接。
2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，半导体结构的第一接合半导体芯片包括：
缓冲区域，被配置为存储第二接合半导体芯片、第一堆叠半导体芯片和第二堆叠半导体芯片中的至少任意一个的数据；
逻辑区域，包括纠错码电路，纠错码电路被配置为对第二接合半导体芯片、第一堆叠半导体芯片和第二堆叠半导体芯片中的至少任意一个的数据错误进行检测和校正；以及
输入/输出区域，包括频率提升接口电路，频率提升接口电路被配置为对第二接合半导体芯片、第一堆叠半导体芯片和第二堆叠半导体芯片中的至少一个的数据信号的频率进行放大，其中，线接合垫安装在输入/输出区域上。
3.根据权利要求2所述的半导体封装件，其中，缓冲区域形成在第一接合半导体芯片的在竖直方向上与第二接合半导体芯片叠置的部分中，
其中，逻辑区域位于缓冲区域的侧部上且在竖直方向上不与第二接合半导体芯片叠置，并且
其中，输入/输出区域位于第一接合半导体芯片的外围部分上。
4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，半导体结构的第一接合半导体芯片包括：
缓冲区域，被配置为存储第二接合半导体芯片、第一堆叠半导体芯片和第二堆叠半导体芯片中的至少任意一个的数据；以及
逻辑区域，包括纠错码电路，纠错码电路被配置为对第二接合半导体芯片、第一堆叠半导体芯片和第二堆叠半导体芯片中的至少任意一个的数据错误进行检测和校正。
5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，半导体结构的第一接合半导体芯片包括：
缓冲区域，被配置为存储第二接合半导体芯片、第一堆叠半导体芯片和第二堆叠半导体芯片中的至少任意一个的数据；以及
输入/输出区域，包括频率提升接口电路，频率提升接口电路被配置为对第二接合半导体芯片、第一堆叠半导体芯片和第二堆叠半导体芯片中的至少一个的数据信号的频率进行放大，其中，线接合垫位于输入/输出区域上。
6.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：
封装基底，支撑半导体结构；以及
模制层，位于封装基底上，并且围绕半导体结构、第一堆叠半导体芯片和第二堆叠半导体芯片中的每个。
7.根据权利要求6所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括粘合层，粘合层位于封装基底与半导体结构之间，位于半导体结构与第一堆叠半导体芯片之间并且位于第一堆叠半导体芯片与第二堆叠半导体芯片之间。
8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，当在平面图中观看半导体结构时，第二接合半导体芯片位于第一接合半导体芯片上，使得第二接合半导体芯片的中心与第一接合半导体芯片的中心以一定距离分开。
9.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：
半导体结构，包括：第一接合半导体芯片，具有位于其上部中的第一有源层；第二接合半导体芯片，位于第一接合半导体芯片上，第二接合半导体芯片具有位于其下部中以面对第一有源层的第二有源层，并且第二接合半导体芯片在水平方向上的剖面面积与第一接合半导体芯片在水平方向上的剖面面积相同；多个芯片连接垫，位于第一接合半导体芯片与第二接合半导体芯片之间；线接合垫，位于第二接合半导体芯片上；以及上穿透电极，被配置为在竖直方向上穿透第二接合半导体芯片的至少一部分，以将多个芯片连接垫中的至少任意一个连接到线接合垫；
第一堆叠半导体芯片，位于半导体结构上，并且具有位于其上表面上的第一芯片垫；
第二堆叠半导体芯片，位于第一堆叠半导体芯片上以暴露第一芯片垫，并且具有位于其上表面上的第二芯片垫；以及
接合线，被配置为将线接合垫与第一芯片垫、线接合垫与第二芯片垫和第一芯片垫与第二芯片垫中的至少一组连接。
10.根据权利要求9所述的半导体封装件，其中，第一接合半导体芯片的侧表面和第二接合半导体芯片的侧表面在同一平面上。
11.根据权利要求9所述的半导体封装件，其中，半导体结构的第一接合半导体芯片包括：
缓冲区域，被配置为存储第二接合半导体芯片、第一堆叠半导体芯片和第二堆叠半导体芯片中的至少任意一个的数据；
逻辑区域，包括纠错码电路，纠错码电路被配置为对第二接合半导体芯片、第一堆叠半导体芯片和第二堆叠半导体芯片中的至少任意一个的数据错误进行检测和校正；以及
输入/输出区域，包括频率提升接口电路，频率提升接口电路被配置为对第二接合半导体芯片、第一堆叠半导体芯片和第二堆叠半导体芯片中的至少一个的数据信号的频率进行放大，其中，线接合垫位于输入/输出区域上。
12.根据权利要求9所述的半导体封装件，其中，半导体结构的第一接合半导体芯片包括：
缓冲区域，被配置为存储第二接合半导体芯片、第一堆叠半导体芯片和第二堆叠半导体芯片中的至少任意一个的数据；以及
逻辑区域，包括纠错码电路，纠错码电路被配置为对第二接合半导体芯片、第一堆叠半导体芯片和第二堆叠半导体芯片中的至少任意一个的数据错误进行检测和校正。
13.根据权利要求9所述的半导体封装件，其中，半导体结构的第一接合半导体芯片包括：
缓冲区域，被配置为存储第二接合半导体芯片、第一堆叠半导体芯片和第二堆叠半导体芯片中的至少任意一个的数据；以及
输入/输出区域，包括频率提升接口电路，频率提升接口电路被配置为对第二接合半导体芯片、第一堆叠半导体芯片和第二堆叠半导体芯片中的至少一个的数据信号的频率进行放大。
14.根据权利要求9所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：
封装基底，支撑半导体结构；以及
模制层，位于封装基底上，并且围绕半导体结构、第一堆叠半导体芯片和第二堆叠半导体芯片中的每个。
15.根据权利要求14所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括粘合层，粘合层位于封装基底与半导体结构之间，位于半导体结构与第一堆叠半导体芯片之间并且位于第一堆叠半导体芯片与第二堆叠半导体芯片之间。
16.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：
半导体结构，包括：第一接合半导体芯片，具有位于其上部中的第一有源层；第二接合半导体芯片，位于第一接合半导体芯片上，第二接合半导体芯片具有位于其下部中以面对第一有源层的第二有源层，并且第二接合半导体芯片在水平方向上的剖面面积小于第一接合半导体芯片在水平方向上的剖面面积；芯片连接垫，位于第一接合半导体芯片与第二接合半导体芯片之间；线接合垫，位于第一接合半导体芯片上且位于第二接合半导体芯片的外侧；以及下穿透电极，被配置为在竖直方向上穿透第一接合半导体芯片的至少一部分，并且连接到芯片连接垫；
再分布结构，位于半导体结构下方，再分布结构包括：再分布绝缘层，支撑半导体结构；以及再分布图案，在再分布绝缘层中延伸并且连接到下穿透电极；
第一堆叠半导体芯片，位于半导体结构上，并且具有位于其上表面上的第一芯片垫；
第二堆叠半导体芯片，位于第一堆叠半导体芯片上以暴露第一芯片垫，并且具有位于其上表面上的第二芯片垫；以及
接合线，被配置为将线接合垫与第一芯片垫、线接合垫与第二芯片垫和第一芯片垫与第二芯片垫中的至少一组连接。
17.根据权利要求16所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：
模制层，位于再分布结构上，并且围绕半导体结构、第一堆叠半导体芯片和第二堆叠半导体芯片中的每个。
18.根据权利要求16所述的半导体封装件，其中，半导体结构的第一接合半导体芯片包括：
缓冲区域，被配置为存储第二接合半导体芯片、第一堆叠半导体芯片和第二堆叠半导体芯片中的至少任意一个的数据；
逻辑区域，包括纠错码电路，纠错码电路被配置为对第二接合半导体芯片、第一堆叠半导体芯片和第二堆叠半导体芯片中的至少任意一个的数据错误进行检测和校正；以及
输入/输出区域，包括频率提升接口电路，频率提升接口电路被配置为对第二接合半导体芯片、第一堆叠半导体芯片和第二堆叠半导体芯片中的至少一个的数据信号的频率进行放大，输入/输出区域在其上具有线接合垫。
19.根据权利要求18所述的半导体封装件，其中，缓冲区域形成在第一接合半导体芯片的在竖直方向上与第二接合半导体芯片叠置的部分中，
其中，逻辑区域位于缓冲区域的侧部上且在竖直方向上不与第二接合半导体芯片叠置，并且
其中，输入/输出区域位于第一接合半导体芯片的外围部分上。
20.根据权利要求16所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括粘合层，粘合层位于再分布结构与半导体结构之间，位于半导体结构与第一堆叠半导体芯片之间，并且位于第一堆叠半导体芯片与第二堆叠半导体芯片之间。
