CN114657640B
有效
高质量氮化镓体单晶及其生长方法和制备系统
本发明公开了一种高质量氮化镓体单晶及其生长方法和制备系统。所述方法包括：先在籽晶上生长形成高掺杂氮化镓层，之后在所述高掺杂氮化镓层上进行三维岛状氮化镓以及二维氮化镓的生长。本发明实施例提供的一种利用助熔剂法生长高质量、无裂纹氮化镓体单晶的方法，通过控制生长条件依次进行高掺氮化镓层以及三维岛状氮化镓、二维氮化镓的生长，从而较好地释放助熔剂法氮化镓和HVPE籽晶界面之间由于晶格失配导致的应力，避免氮化镓单晶生长过程中产生裂纹。
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| 专利时间轴 | |
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| 专利类型/受理局 | PATENT( CN) |
| [标]当前申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 当前申请（专利权）人 |
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 215123 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号 |
| [标]原始申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 原始申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 215123 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号 |
| IPC分类号 |
IPC(8):
C30B29/40C30B19/02C30B19/10C30B19/12
+4
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| 技术主题分类 | |
| 应用领域分类 | |
| 发明人 |
司志伟 刘宗亮 徐科 |
| 代理机构 |
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) (王锋) |
