1.一种助熔剂法生长高质量氮化镓体单晶的方法，其特征在于包括：
在反应室内置入包含金属镓、碱金属、氮化碳添加剂和籽晶的生长反应体系，并向反应室内通入氮气，从而以助熔剂法实现氮化镓体单晶的液相外延生长，
并且，在以助熔剂法生长氮化镓体单晶时，通过调控生长条件，先在籽晶上生长形成高掺杂氮化镓层，之后在所述高掺杂氮化镓层上进行三维岛状氮化镓以及二维氮化镓的生长，其中，在氮化镓体单晶生长初期生长所述高掺杂氮化镓层时，控制反应室内的生长温度为500℃~800℃、氮气压力为3-5Mpa，在生长三维岛状氮化镓时，控制反应室内的生长温度为500℃~800℃、氮气压力为5-10Mpa，在生长二维氮化镓时，控制反应室内的生长温度为800-1300℃、氮气压力为3-5Mpa。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于具体包括：在以助熔剂法生长氮化镓体单晶时，通过调控生长条件，先进行高掺杂氮化镓层的生长，再依次交替进行三维岛状氮化镓和二维氮化镓的生长。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于具体包括：控制反应室内的氮气压力为3-5Mpa、生长温度在800-1300℃范围内以0.1-100℃/h的速率变化，以生长形成二维氮化镓。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于具体包括：使反应室内的氮气压力以脉冲形式变化，从而实现三维岛状氮化镓与二维氮化镓的交替生长。
5. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述氮化碳添加剂的用量为金属镓与碱金属总用量的0.005~1.0 mol%。
6.由权利要求1-5中任一项所述方法制备的高质量氮化镓体单晶。
