KR102520536B1 有效 半导体装置、包含其的显示面板、显示装置、通信装置
根据实施例的半导体器件包括发光结构,该发光结构包括第一导电类型半导体层、设置在第一导电类型半导体层上的有源层和设置在有源层上的第二导电类型半导体层; 晶体管配置于发光结构上且包括半导体层、源极、栅极以及漏极。 第一电极电性连接于第一电性半导体层。 第二电极设置于第二电性半导体层上,且电性连接漏极与第二电性半导体层。 可以包括
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专利时间轴
  • 30 Mar 2016 申请日
    KR/1020160038240
    优先权
  • 30 Mar 2016 申请日
    KR/102520536
    当前专利 申请号
  • 12 Apr 2023 公开(公告)日期
    KR102520536B1
    申请号
  • 06 Apr 2023 公开(公告)日期
    授权日
    KR102520536B1
    当前专利 申请号
专利类型/受理局 PATENT( KR)
[标]当前申请(专利权)人 엘지이노텍 주식회사
当前申请(专利权)人 엘지이노텍 주식회사

서울특별시 강서구 마곡중앙10로 30(마곡동)

[标]原始申请(专利权)人 LG INNOTEK CO., LTD.,엘지이노텍 주식회사
原始申请(专利权)人 LG INNOTEK CO., LTD.,엘지이노텍 주식회사

*, Magokjungang *-ro, Ga,*, Magokjungang *-ro, Ga

IPC分类号
IPC(8): H01L33/00H01L33/02H01L33/38H04B10/116H05B33/12H05B45/00 +6
技术主题分类
应用领域分类
发明人

이상열 (서울특별시 중구 한강대로 416 (남대문로5가)

김청송 ( 서울스퀘어))

문지형 (서울특별시 중구 한강대로 416 (남대문로5가)

박선우 ( 서울스퀘어))

송준오 (서울특별시 중구 한강대로 416 (남대문로5가)

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