技术领域 [0001] 该实施例涉及一种半导体器件。 此外,实施例涉及包括半导体装置的显示面板、显示装置和通信装置。 背景技术 [0002] 发光二极管(LED)是当电流施加到其上时发光的半导体器件之一。 该发光器件能够在低电压下高效率地发光,具有优异的节能效果。 随着发光器件的亮度问题得到改善,发光器件正在应用于各种装置,例如液晶显示装置的光源、电子显示板、显示器和家用电器。 这种半导体器件可以包括发光器件、激光二极管、量子点器件等。 [0003] 同时,正在对通过将晶体管连接到发光器件来有效地驱动发光器件的方法进行研究。 由于构成发光元件和晶体管的材料存在差异,因此正在对构成发光元件和晶体管的材料和制造方法进行研究。 此外,正在研究改进发光器件和晶体管的特性以及提高制造成品率的方法。 要解决的挑战 [0004] 实施例可以提供一种能够提高光提取效率并有效地驱动的半导体器件、显示面板和包括该半导体器件的显示装置。 [0005] 实施例可以提高光提取效率,有效地控制,并提供能够使用光传输数据的通信设备。 解决问题的手段 [0006] 根据实施例的半导体器件包括发光结构,该发光结构包括第一导电类型半导体层、设置在第一导电类型半导体层上的有源层和设置在有源层上的第二导电类型半导体层; 晶体管配置于发光结构上且包括半导体层、源极、栅极以及漏极。 第一电极电性连接于第一电性半导体层。 第二电极设置于第二电性半导体层上,且电性连接漏极与第二电性半导体层。 可以包括 [0007] 根据一个实施例的显示面板,包括基板; 半导体装置设置于基板上,其中半导体装置包括第一电性半导体层、设置于第一电性半导体层上的主动层以及设置于主动层上的第二电性半导体层。 ; 晶体管配置于发光结构上且包括半导体层、源极、栅极以及漏极。 第一电极电性连接于第一电性半导体层。 第二电极设置于第二电性半导体层上,且电性连接漏极与第二电性半导体层。 可以包括 [0008] 根据实施例的显示装置包括基板; 半导体装置配置于基板上; 控制单元控制半导体装置的发光,其中半导体装置包括第一导电型半导体层、设置在第一导电型半导体层上的有源层以及设置在有源上的第二导电型半导体层。层:发光结构; 晶体管配置于发光结构上且包括半导体层、源极、栅极以及漏极。 第一电极电性连接于第一电性半导体层。 第二电极设置于第二电性半导体层上,且电性连接漏极与第二电性半导体层。 可以包括 [0009] 根据实施例的通信装置包括基板; 半导体装置配置于基板上; 控制器控制和调制半导体器件的光发射以传输数据,其中半导体器件包括第一导电类型半导体层、设置在第一导电类型半导体层上的有源层以及第二导电类型半导体层设置在有源层上,发光结构包括导电半导体层; 晶体管配置于发光结构上且包括半导体层、源极、栅极以及漏极。 第一电极电性连接于第一电性半导体层。 第二电极设置于第二电性半导体层上,且电性连接漏极与第二电性半导体层。 可以包括 发明效果 [0010] 根据本实施方式的半导体装置、显示面板及包含该半导体装置的显示装置,具有光取出效率提高、能够高效驱动的优点。 [0011] 根据本实施方式的通信装置,具有提高光提取效率并有效地控制从而能够利用光传输数据的优点。 附图简要说明 [0012] 图1是说明根据本发明示例性实施例的半导体器件的示图。 图2至图7是说明图1所示的半导体装置的制造方法的图。 图8是表示本发明的实施方式的半导体装置的另一例的图。 图9是图8所示的半导体装置的等效电路图。 图10至图15是说明图8所示的半导体装置的制造方法的图。 图16是表示本发明的实施方式的半导体装置的另一例的图。 图17至图24是说明图16所示的半导体装置的制造方法的图。 图25是表示本发明的实施方式的半导体装置的另一例的图。 图26~图33是用于说明图25所示的半导体装置的制造方法的图。 图34是示出根据本发明实施例的显示面板的视图。 图35是图34所示的半导体装置的等效电路图。 图36是图示根据本发明实施例的显示装置的示图。 实施发明的具体细节 [0013] 在实施例的描述中,各层(膜)、区域、图案或结构在衬底、各层(膜)、区域、焊盘或图案“之上”或“之下”。在被描述为形成的情况下in,“上/上”和“下/下”包括“直接”或“间接”通过另一层形成。 此外,将基于附图描述用于每一层的上/上或下/下的标准。 [0014] 以下,将参照附图详细描述根据本发明实施例的半导体装置、显示面板、显示装置和通信装置。 [0015] 图1是说明根据本发明示例性实施例的半导体器件的示图。 [0016] 如图1所示,根据实施例的半导体器件可以包括发光结构10和晶体管30。 例如,晶体管30可以设置在发光结构10上。 晶体管30可以电连接到发光结构10。 根据实施例的半导体器件,可以通过控制晶体管30的驱动来控制发光结构10的发光。 可以提供晶体管30作为顶栅晶体管结构的示例。 [0017] 发光结构10可以包括第一导电类型半导体层11、有源层12和第二导电类型半导体层13。 活性层12可设置于第一电性半导体层11与第二电性半导体层13之间。 例如,有源层12可以设置在第一电性半导体层11上,第二电性半导体层13可以设置在有源层12上。 [0018]例如,第一导电型半导体层11由添加n型掺杂剂作为第一导电型掺杂剂的n型半导体层形成,第二导电型半导体层13为第二导电型。 -型掺杂剂它可以由添加有p型掺杂剂的p型半导体层形成。 或者,第一导电型半导体层11可以由p型半导体层形成,第二导电型半导体层13可以由n型半导体层形成。 以下,作为一例,对第1导电型半导体层11为n型半导体层、第2导电型半导体层13为p型半导体层的情况进行说明。 [0019] 在发光结构10中,产生的光的波段可以根据构成有源层12的材料而改变。 构成第一导电型半导体层11和第二导电型半导体层13的材料的选择可以根据构成有源层12的材料而改变。 发光结构10可以实现为化合物半导体。 发光结构10可以实现为例如II-VI族化合物半导体或III-V族化合物半导体。 例如,发光结构10包括选自包括铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)、磷(P)、砷(As)和氮(N)的组中的至少两种元素。可以实施包括。 [0020] 在有源层12中,通过第一导电型半导体层11注入的电子(或空穴)与通过第二导电型半导体层13注入的空穴(或电子)相遇,它是通过a发光的层能带的带隙根据活性层12的形成材料而不同。 有源层12可以由单阱结构、多孔结构、量子点结构或量子线结构中的任何一种形成。 有源层12可以实施为化合物半导体。 有源层12可以实现为例如II-VI族或III-V族化合物半导体。 [0021] 当活性层12产生蓝色波段或绿色波段的光时,活性层12例如为In _x 阿尔 _y 镓 _{1 -x- y} 它可以实现为具有N(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。 当有源层12实现为多孔结构时,可以通过堆叠多个阱层和多个势垒层来实现有源层12。 另外,当活性层12产生红色波段的光时,活性层12例如为(Al _x 镓 _{1 -x} ) _y 在 _{1 - y} 它可以实现为具有P(0≤x≤1,0≤y≤1)的组成式的半导体材料。 有源层12可以选自例如AlGaInP、AlInP、GaP、GaInP等。 [0022] 第一导电型半导体层11可以包括例如n型半导体层。 第一导电型半导体层11可以实施为化合物半导体。 第一导电类型半导体层11可以实现为例如II-VI族化合物半导体或III-V族化合物半导体。 例如,当有源层12产生蓝色波段或绿色波段的光时,第一导电类型半导体层11为In _x 阿尔 _y 镓 _{1 -x- y} 它可以实现为具有N(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。 另外,当有源层12产生红色波段的光时,第一导电型半导体层11为(Al _x 镓 _{1 -x} ) _y 在 _{1 - y} 它可以实现为具有P(0≤x≤1,0≤y≤1)的组成式的半导体材料。 在第一导电类型半导体层11的组成式中,y可以具有0.5的值并且x可以具有0.5至0.8的值。 第一导电半导体层11可以选自包括例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInP、AlInP、GaInP等的组。可以掺杂有诸如Si、Ge、Sn、Se或Te的n型掺杂剂。 [0023] 第二导电类型半导体层13可以实施为化合物半导体。 第二导电类型半导体层13可以实现为例如II-VI族化合物半导体或III-V族化合物半导体。 例如,当在有源层12中产生蓝色波长带或绿色波长带的光时,第二导电类型半导体层13,例如In _x 阿尔 _y 镓 _{1 -x-y} 它可以实现为具有N(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。 另外,当从有源层12产生红色波段的光时,第二导电类型半导体层13为(Al _x 镓 _{1 -x} ) _y 在 _{1 - y} 它可以实现为具有P(0≤x≤1,0≤y≤1)的组成式的半导体材料。 第二导电半导体层13可以选自包括例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInP、AlInP、GaInP等的组。可以掺杂有诸如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba的p型掺杂剂。 [0024] 另外,第一导电型半导体层11与有源层12之间可以形成第一导电型InGaN/GaN超晶格结构或InGaN/InGaN超晶格结构。 此外,第二导电类型半导体层13和有源层12之间可以形成第二导电类型AlGaN层。 [0025] 晶体管30可以包括半导体层31、源电极32、栅电极33和漏电极34。 晶体管30可以设置在发光结构10上。 晶体管30可以设置在第二导电半导体层13上。 当从半导体器件的上方看时,晶体管30的面积可以小于第二导电类型半导体层13的面积。 晶体管30可以设置在有源层12上。 当从半导体器件的顶部看时,晶体管30的面积可以小于有源层12的面积。 [0026] 半导体层31可以由例如与形成发光结构10的材料不同的材料形成。 例如,半导体层31可以包括从包括非晶硅、多晶硅、单晶硅和氧化物半导体的组中选择的材料。 构成半导体层31的材料可以选自可以在比发光结构10的形成温度低的温度下形成的材料。 因此,即使在形成发光结构体10之后形成半导体层31,也不会影响发光结构体10的物理性质并且防止发光结构体10的光提取效率降低。能够做到。 氧化物半导体可以选自包括例如氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟镓(IGO)和氧化铟锌(IZO)的组。 [0027] 源电极32可以电连接到半导体层31的第一区域。 源电极32可以设置在半导体层31的第一区域上。 漏电极34可以电连接到半导体层31的第二区域。 漏电极34可以设置在半导体层31的第二区域上。 [0028]栅电极33可以设置在半导体层31的第一区域和第二区域之间。 栅电极33可以设置在半导体层31的第一区域和第二区域之间。 例如,与设置在栅电极33下方的半导体层31的第三区域相比,半导体层31的第一区域和第二区域可以包含相对高浓度的杂质。 栅电极33可以与半导体层31间隔开。 栅电极33的下表面可以与半导体层31的上表面间隔开。 第二绝缘层43可以设置在栅电极33和半导体层31之间。 例如,栅电极33和半导体层31可以彼此间隔开第二绝缘层43的厚度。 [0029] 根据实施例,可以根据施加到栅电极33的电压的大小来控制从源电极32到漏电极34的电流。 也就是说,当超过晶体管30的阈值电压的电压被施加到栅电极33时,电流可以从源电极32流向漏电极34。 [0030] 同时,根据实施例的半导体器件可以包括第一电极21和第二电极22,如图1所示。 第一电极21和第二电极22可以电连接到发光结构10。 第一电极21可以电连接到第一导电半导体层11。 例如,第一电极21可以设置在第一电性半导体层11上。 第一电极21可以与有源层12的侧表面间隔开。 第二电极22可以电连接到第二导电类型半导体层13。 例如,第二电极22可以设置在第二电性半导体层13上。 第二电极22可以设置在有源层12上。 发光结构10可以由施加到第一电极21和第二电极22的电力驱动。 可以通过施加在第一电极21和第二电极22之间的电力在发光结构10的有源层12中产生光。 [0031] 例如,第一电极21可以包括与第一导电型半导体层11欧姆接触的区域。 第一电极21为单一材料,包括选自Cr、Ni、Ti、Ge、Zn、Mg、Ca、Al、Ag、Rh、W、Pt、Au、AuGe、AuGe/Ni/Au中的至少一种,以及喜欢。它可能包含层或多个层。 [0032] 例如,第二电极22可以包括与第二导电类型半导体层13欧姆接触的材料。 第二电极22可以包括例如透明导电氧化物。 例如,第二电极22可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铝锌(AZO)、氧化铝镓锌(AGZO)、氧化铟锌锡(IZTO)或氧化铟铝( IAZO). Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx, NiO ,Pt,它可以包括选自Ag和Ti中的至少一种材料。 [0033] 如图1所示,根据实施例的半导体器件可以包括第一绝缘层41。 第一绝缘层41可以设置在发光结构10上。 第一绝缘层41可以设置在第二导电半导体层13上。 第一绝缘层41可以设置在有源层12上。 第一绝缘层41可以设置在晶体管30下方。 第一绝缘层41可以设置在发光结构10和晶体管30之间。 第一绝缘层41可以设置在第二导电半导体层13和晶体管30之间。 第一绝缘层41的宽度可以小于第二导电半导体层13的宽度。 [0034] 根据实施例,半导体层31可以设置在第一绝缘层41上。 第二电极22可以电连接到漏电极34。 漏电极34的第一区域可以电连接到半导体层31。 漏电极34的第一区域可以设置在半导体层31上。 漏电极34的第二区域可以电连接到第二电极22。 漏电极34的第二区域可以设置在第二电极22上。 因此,从源电极32到漏电极34的电流可以通过施加到栅电极33和第二电极通过漏电极34的功率来控制。可以将功率施加到(22)。 根据本实施例,可以通过控制栅电极33来控制施加在第一电极21和第二电极22之间的功率,从而控制发光结构10是否发光。 [0035] 第一绝缘层41可以反射从发光结构10提供的光。 第一绝缘层41可以反射从有源层12提供的光。 第一绝缘层41可以接收从有源层12产生的光并将其向下反射。 因此,可以防止活性层12中产生的光入射到晶体管30而熄灭,并且可以提高半导体装置的光提取效率。 [0036] 例如,第一绝缘层41可以包括绝缘材料。 第一绝缘层41可以包括氧化物或氮化物。 第一绝缘层41可以包括硅基氧化物或硅基氮化物。 第一绝缘层41可以包括金属氧化物。 第一绝缘层41例如为SiO ₂ , 氮化硅 _x , 铝 ₂ 欧 ₃ 可以选择至少一种材料。 第一绝缘层41为TiO ₂ 它可能含有含金属氧化物。 [0037] 第一绝缘层41可以设置为具有不同折射率的多个层。 例如,在第一绝缘层41中,可以将具有第一折射率的第一层和具有不同于第一折射率的第二折射率的第二层堆叠成对,并且可以依次堆叠多对。分层。 因此,第一绝缘层41可以设置为DBR(分布式布拉格反射器)层,并且通过反射从发光结构10入射的光,可以防止由发光结构10产生的光在晶体管30中耗散。 作为示例,第一绝缘层41为SiO ₂ 层和二氧化钛 ₂ 层可以形成一对并且可以堆叠和提供多对。 [0038]如图1所示,根据实施例的半导体器件可以包括第二绝缘层43。 第二绝缘层43可以设置在发光结构10的顶表面和侧表面上。 第二绝缘层43可以设置在第二电极22上。 第二绝缘层43可以设置在半导体层31上。 栅电极33可以设置在第二绝缘层43上。 例如,源极32可以设置在第二绝缘层43上,源极32的一端穿透第二绝缘层43形成半导体层31。 此外,漏极34可设置于第二绝缘层43上,且漏极34的一端穿透第二绝缘层43与半导体层31电性连接。 [0039] 例如,第二绝缘层43可以包括绝缘材料。 第二绝缘层43可以包括氧化物、氮化物或有机材料。 第二绝缘层43例如为SiO ₂ , 氮化硅 _x , 铝 ₂ 欧 ₃ 可以选择至少一种材料。 [0040] 根据实施例的半导体器件可以包括如图1所示的衬底5。 例如,衬底5可以是可以在其上生长发光结构10的生长衬底。 例如,可以在基板5的上表面设置凹凸结构。 衬底5上设置的凹凸结构可以减少发光结构10生长过程中的缺陷,提高晶体质量,并且可以通过反射有源层12发出的光来提高发光效率。 基板5例如是蓝宝石基板(Al ₂ 欧 ₃ )、SiC、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Ge等。 [0041] 如上所述,根据实施例的半导体器件可以通过晶体管30的控制来控制来自发光结构10的光发射。 根据实施例,由于可以通过使用晶体管30的控制来控制发光结构10是否发光,所以可以更精确地控制发光结构10是否发光。时间和排放间隔可以更容易地实施。 [0042] 此外,有源层12的尺寸可以通过将晶体管30设置在发光结构10上而最大化。 如果晶体管30设置在有源层12的一侧,则有源层12的尺寸不可避免地减小了晶体管30的尺寸。 然而,根据实施例,可以通过将晶体管30设置在有源层12上来防止有源层12的面积减小。 由于在发光结构10中产生的光量受有源层12的面积影响,根据实施例,在有源层12中产生的光量增加,并且作为整体的光提取效率增加并提高亮度。 [0043] 同时,虽然图1示出了其中提供一个发光结构10和一个晶体管30的半导体器件,但是根据实施例的半导体器件可以包括多个发光结构和多个晶体管。 当提供多个晶体管时,根据电路设计,多个晶体管可以并联或串联提供。 因此,可以增加电路设计的自由度,并且可以根据需要有效地控制从多个发光结构发出的光的程度。 此外,根据实施例的半导体器件可以包括多个发光结构,并且多个发光结构可以发射不同波段的光。 因此,根据本实施方式的半导体装置,通过控制多个晶体管,能够选择性且独立地控制波段不同的多个发光结构体的发光。 [0044] 根据有源层的选择,上述半导体器件可以被实施为发射各种波段的光。 例如,构成一个颜色像素的显示面板或显示装置可以使用上述蓝色半导体元件、绿色半导体元件和红色半导体元件来实现。 根据实施例的半导体器件可以应用于需要光源的各种领域。 根据该实施例的半导体器件可以被应用为通过应用于例如电子显示板、大型显示装置和标牌来实现高分辨率的光源。 此外,根据实施例的半导体装置可以应用于通信装置。 作为示例,根据实施例的半导体器件可以应用于使用光来传输数据的可见光通信(VLC)或光WiFi(LiFi)。 [0045] 然后,参考图2至图7,将依次描述图1所示的半导体器件的制造方法的示例。 图2至7是说明根据本发明实施例的制造半导体器件的方法的图。 在图2~图7中,各图的(a)表示俯视图,各图的(b)表示俯视图的A-A线剖视图。 [0046] 根据实施例的半导体器件制造方法,如图2所示,发光结构10可以形成在基板5上。 例如,可以通过在衬底5上生长来形成发光结构10。 发光结构10可以包括第一导电类型半导体层11、有源层12和第二导电类型半导体层13。 [0047] 例如,第一导电型半导体层11由添加n型掺杂剂作为第一导电型掺杂剂的n型半导体层形成,第二导电型半导体层13为第二导电型。 -型掺杂剂它可以由添加有p型掺杂剂的p型半导体层形成。 或者,第一导电型半导体层11可以由p型半导体层形成,第二导电型半导体层13可以由n型半导体层形成。 以下,作为一例,对第1导电型半导体层11为n型半导体层、第2导电型半导体层13为p型半导体层的情况进行说明。 [0048] 在发光结构10中,产生的光的波段可以根据构成有源层12的材料而改变。 构成第一导电型半导体层11和第二导电型半导体层13的材料的选择可以根据构成有源层12的材料而改变。 发光结构10可以实现为化合物半导体。 发光结构10可以实现为例如II-VI族化合物半导体或III-V族化合物半导体。 例如,发光结构10包括选自包括铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)、磷(P)、砷(As)和氮(N)的组中的至少两种元素。可以实施包括。 [0049] 在有源层12中,通过第一导电型半导体层11注入的电子(或空穴)与通过第二导电型半导体层13注入的空穴(或电子)相遇,它是通过a发光的层能带的带隙根据活性层12的形成材料而不同。 有源层12可以由单阱结构、多孔结构、量子点结构或量子线结构中的任何一种形成。 有源层12可以实施为化合物半导体。 有源层12可以实现为例如II-VI族或III-V族化合物半导体。 [0050] 当活性层12产生蓝色波段或绿色波段的光时,活性层12例如为In _x 阿尔 _y 镓 _{1 -x- y}它可以实现为具有N(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。 当有源层12实现为多孔结构时,可以通过堆叠多个阱层和多个势垒层来实现有源层12。 另外,当活性层12产生红色波段的光时,活性层12例如为(Al _x 镓 _{1 -x} ) _y 在 _{1 - y} 它可以实现为具有P(0≤x≤1,0≤y≤1)的组成式的半导体材料。 有源层12可以选自例如AlGaInP、AlInP、GaP、GaInP等。 [0051] 第一导电型半导体层11可以包括例如n型半导体层。 第一导电型半导体层11可以实施为化合物半导体。 第一导电类型半导体层11可以实现为例如II-VI族化合物半导体或III-V族化合物半导体。 例如,当有源层12产生蓝色波段或绿色波段的光时,第一导电类型半导体层11为In _x 阿尔 _y 镓 _{1 -x- y} 它可以实现为具有N(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。 另外,当有源层12产生红色波段的光时,第一导电型半导体层11为(Al _x 镓 _{1 -x} ) _y 在 _{1 - y} 它可以实现为具有P(0≤x≤1,0≤y≤1)的组成式的半导体材料。 在第一导电类型半导体层11的组成式中,y可以具有0.5的值并且x可以具有0.5至0.8的值。 第一导电半导体层11可以选自包括例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInP、AlInP、GaInP等的组。可以掺杂有诸如Si、Ge、Sn、Se或Te的n型掺杂剂。 [0052] 第二导电类型半导体层13可以实施为化合物半导体。 第二导电类型半导体层13可以实现为例如II-VI族化合物半导体或III-V族化合物半导体。 例如,当在有源层12中产生蓝色波长带或绿色波长带的光时,第二导电类型半导体层13,例如In _x 阿尔 _y 镓 _{1 -x-y} 它可以实现为具有N(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。 另外,当从有源层12产生红色波段的光时,第二导电类型半导体层13为(Al _x 镓 _{1 -x} ) _y 在 _{1 - y} 它可以实现为具有P(0≤x≤1,0≤y≤1)的组成式的半导体材料。 第二导电半导体层13可以选自包括例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInP、AlInP、GaInP等的组。可以掺杂有诸如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba的p型掺杂剂。 [0053] 例如,衬底5可以是可以在其上生长发光结构10的生长衬底。 例如,可以在基板5的上表面设置凹凸结构。 衬底5上设置的凹凸结构可以减少发光结构10生长过程中的缺陷,提高晶体质量,并且可以通过反射有源层12发出的光来提高发光效率。 基板5例如是蓝宝石基板(Al ₂ 欧 ₃ )、SiC、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Ge等。 [0054] 此外,可以在发光结构10上形成第一绝缘层41。 第一绝缘层41可以设置在第二导电半导体层13上。 例如,第一绝缘层41可以设置在第二导电类型半导体层13的上部的一侧。 第一绝缘层41可以包括绝缘材料。 例如,第一绝缘层41可以包括氧化物或氮化物。 第一绝缘层41可以包括硅基氧化物或硅基氮化物。 第一绝缘层41可以包括金属氧化物。 第一绝缘层41例如为SiO ₂ , 氮化硅 _x , 铝 ₂ 欧 ₃ 可以选择至少一种材料。 第一绝缘层41为TiO ₂ 它可能含有含金属氧化物。 [0055] 第一绝缘层41可以设置为具有不同折射率的多个层。 例如,在第一绝缘层41中,可以将具有第一折射率的第一层和具有不同于第一折射率的第二折射率的第二层堆叠成对,并且可以依次堆叠多对。分层。 因此,第一绝缘层41可以设置为DBR(分布式布拉格反射器)层,并且可以反射从发光结构10入射的光。 作为示例,第一绝缘层41为SiO ₂ 层和二氧化钛 ₂ 层可以形成一对并且可以堆叠和提供多对。 [0056] 接下来,如图3所示,可以在发光结构10上形成第二电极22。 第二电极22可以设置在第二导电类型半导体层13上。 第二电极22的部分区域可以设置在第一绝缘层41上。 [0057] 例如,第二电极22可以设置有与第二导电类型半导体层13形成欧姆接触的材料。 第二电极22可以包括例如透明导电氧化物。 例如,第二电极22可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铝锌(AZO)、氧化铝镓锌(AGZO)、氧化铟锌锡(IZTO)或氧化铟铝( IAZO). Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx, NiO ,Pt,它可以包括选自Ag和Ti中的至少一种材料。 [0058] 随后,如图4所示,可以通过对发光结构10的刻蚀工艺暴露出部分第一电性半导体层11的上表面。 通过刻蚀部分第二电性半导体层13和部分有源层12,可以部分暴露出第一电性半导体层11的部分上表面。 此时。 还可以对第一导电型半导体层11的部分区域进行刻蚀,第一导电型半导体层11可以根据区域设置为不同厚度的台阶结构。 [0059] 并且,如图5所示,可以在第一绝缘层41上形成半导体层31。 半导体层31可以设置在第一绝缘层41的上表面的部分区域上。 半导体层31可以设置在第一绝缘层41上与第二电极22间隔开预定距离。 [0060]半导体层31可以由例如与形成发光结构10的材料不同的材料形成。 例如,半导体层31可以选自非晶硅、多晶硅、单晶硅、氧化物半导体等。 构成半导体层31的材料可以选自可以在比发光结构10的形成温度低的温度下形成的材料。 因此,即使在形成发光结构体10之后形成半导体层31,也不会影响发光结构体10的物理性质并且防止发光结构体10的光提取效率降低。做吧。 氧化物半导体可以选自包括例如氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟镓(IGO)和氧化铟锌(IZO)的组。 [0061] 接下来,如图6所示,可以在发光结构10的顶表面和侧表面上形成第二绝缘层43。 第二绝缘层43可以包括第一接触孔51、第二接触孔52、第三接触孔53和第四接触孔54。 半导体层31的第一区域可以被第一接触孔51暴露。 半导体层31的第二区域可以被第二接触孔52暴露。 第三接触孔53可以暴露第二电极22的部分区域。 第一导电类型半导体层11的部分区域可以被第四接触孔54暴露。 第二绝缘层43可以设置在发光结构10的顶表面和侧表面上。 第二绝缘层43可以设置在第二电极22上。 第二绝缘层43可以设置在半导体层31上。 [0062] 例如,第二绝缘层43可以包括绝缘材料。 第二绝缘层43可以包括氧化物、氮化物或有机材料。 第二绝缘层43例如为SiO ₂ , 氮化硅 _x , 铝 ₂ 欧 ₃ 可以选择至少一种材料。 [0063] 并且,如图7所示,可以在第二绝缘层43上形成栅电极33。 栅电极33可以形成在半导体层31上。 例如,可以通过使用栅电极33作为掩模的注入工艺将杂质添加到半导体层31。 因此,在半导体层31中,与源电极32电连接的第一区域和与漏电极34电连接的第二区域可以形成为高浓度杂质区域。 [0064] 随后,如图7所示,可以在第二绝缘层43上形成源电极32、漏电极34和第一电极21。 源电极32可以通过第一接触孔51电连接到半导体层31的第一区域。 漏电极34可以通过第二接触孔52电连接到半导体层31的第二区域并且通过第三接触孔53电连接到第二电极22。 半导体层31的第二区域和第二电极22可以通过漏电极34电连接。 [0065] 源电极32可以电连接到半导体层31的第一区域。 源电极32可以设置在半导体层31的第一区域上。 漏电极34可以电连接到半导体层31的第二区域。 漏电极34可以设置在半导体层31的第二区域上。 [0066] 栅电极33可以设置在半导体层31的第一区域和第二区域之间。 栅电极33可以设置在半导体层31的第一区域和第二区域之间。 例如,与设置在栅电极33下方的半导体层31的第三区域相比,半导体层31的第一区域和第二区域可以包含相对高浓度的杂质。 栅电极33可以与半导体层31间隔开。 栅电极33的下表面可以与半导体层31的上表面间隔开。 第二绝缘层43可以设置在栅电极33和半导体层31之间。 例如,栅电极33和半导体层31可以彼此间隔开第二绝缘层43的厚度。 [0067] 根据实施例,可以根据施加到栅电极33的电压的大小来控制从源电极32到漏电极34的电流。 也就是说,当超过晶体管30的阈值电压的电压被施加到栅电极33时,电流可以从源电极32流向漏电极34。 [0068] 同时,根据实施例的半导体器件可以包括第一电极21和第二电极22,如图7所示。 第一电极21和第二电极22可以电连接到发光结构10。 第一电极21可以电连接到第一导电半导体层11。 例如,第一电极21可以设置在第一电性半导体层11上。 第一电极21可以与有源层12的侧表面间隔开。 第二电极22可以电连接到第二导电类型半导体层13。 例如,第二电极22可以设置在第二电性半导体层13上。 第二电极22可以设置在有源层12上。 发光结构10可以由施加到第一电极21和第二电极22的电力驱动。 可以通过施加在第一电极21和第二电极22之间的电力在发光结构10的有源层12中产生光。 [0069] 例如,第一电极21可以包括与第一导电型半导体层11欧姆接触的区域。 第一电极21为单一材料,包括选自Cr、Ni、Ti、Ge、Zn、Mg、Ca、Al、Ag、Rh、W、Pt、Au、AuGe、AuGe/Ni/Au中的至少一种,以及喜欢。它可能包含层或多个层。 例如,源电极32、栅电极33和漏电极34可以由与第一电极21相同的材料形成。 此外,源电极32、栅电极33和漏电极34可以由与第一电极21的材料不同的材料形成。 [0070] 根据上述实施例的半导体器件制造方法是一个示例,本领域技术人员可以理解各种修改和应用是可能的。 [0071] 同时,图8是图示根据本发明实施例的半导体器件的另一示例的示图,图9是图8所示的半导体器件的等效电路图。 在参考图8和图9描述根据示例性实施例的半导体器件时,可以省略与参考图1至图7描述的内容重复的内容的描述。 [0072] 如图8和9所示,根据实施例的半导体器件可以包括发光结构110、第一晶体管130和第二晶体管160。 例如,第一晶体管130可以设置在发光结构110上。 第二晶体管160可以设置在发光结构110上。 根据实施例的半导体器件,可以通过控制第一晶体管130和第二晶体管160的驱动来控制发光结构110的发光。 例如,第一晶体管130和第二晶体管160可以设置在顶栅晶体管结构中。 此外,第一晶体管130和第二晶体管160可以设置为底栅晶体管结构。 [0073] 发光结构110可以包括第一导电类型半导体层111、有源层112和第二导电类型半导体层113。 有源层112可以设置在第一导电类型半导体层111和第二导电类型半导体层113之间。 例如,有源层112可以设置在第一电性半导体层111上,第二电性半导体层113可以设置在有源层112上。 [0074] 例如,第一导电类型半导体层111由添加n型掺杂剂作为第一导电类型掺杂剂的n型半导体层形成,第二导电类型半导体层113是第二导电类型-型掺杂剂它可以由添加有p型掺杂剂的p型半导体层形成。 或者,第一导电型半导体层111可以由p型半导体层形成,第二导电型半导体层113可以由n型半导体层形成。 在下文中,作为示例,将描述第一导电类型半导体层111被设置为n型半导体层并且第二导电类型半导体层113被设置为p型半导体层的情况。 [0075] 在发光结构110中,产生的光的波段可以根据构成有源层112的材料而改变。 构成第一导电型半导体层111和第二导电型半导体层113的材料的选择可以根据构成有源层112的材料而改变。 发光结构110可以实现为化合物半导体。 发光结构110可以实现为例如II-VI族化合物半导体或III-V族化合物半导体。 例如,发光结构110包括选自包括铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)、磷(P)、砷(As)和氮(N)的组中的至少两种或更多种元素。 .它可以执行包括。 [0076] 在有源层112中,通过第一导电型半导体层111注入的电子(或空穴)与通过第二导电型半导体层113注入的空穴(或电子)相遇,从而发射出根据有源层112的形成材料,通过能带的带隙差异产生光。 有源层112可以形成为单阱结构、多孔结构、量子点结构或量子线结构中的任一种。 有源层112可以实现为化合物半导体。 有源层112可以实现为例如II-VI族或III-V族化合物半导体。 [0077] 当有源层112产生蓝色波段或绿色波段的光时,有源层112例如是In _x 阿尔 _y 镓 _{1 -x- y} 它可以实现为具有N(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。 当有源层112实现为多孔结构时,可以通过堆叠多个阱层和多个势垒层来实现有源层112。 此外,当活性层112产生红色波段的光时,活性层112例如(Al _x 镓 _{1 -x} ) _y 在 _{1 - y} 它可以实现为具有P(0≤x≤1,0≤y≤1)的组成式的半导体材料。 有源层112可以选自例如AlGaInP、AlInP、GaP、GaInP等。 [0078] 第一导电型半导体层111可以包括例如n型半导体层。 第一导电类型半导体层111可以实现为化合物半导体。 第一导电类型半导体层111可以实现为例如II-VI族化合物半导体或III-V族化合物半导体。 例如,当有源层112产生蓝色波段或绿色波段的光时,第一电性半导体层111为In _x 阿尔 _y 镓 _{1 -x-y} 它可以实现为具有N(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。 另外,当有源层112产生红色波段的光时,第一导电型半导体层111为(Al _x 镓 _{1 -x} ) _y 在 _{1 - y} 它可以实现为具有P(0≤x≤1,0≤y≤1)的组成式的半导体材料。 在第一导电型半导体层111的组成式中,y可以具有0.5的值并且x可以具有0.5至0.8的值。 第一导电类型半导体层111可以选自包括例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInP、AlInP、GaInP等的组.它可以掺杂有诸如Si、Ge、Sn、Se或Te的n型掺杂剂。 [0079] 第二导电类型半导体层113可以实现为化合物半导体。 第二导电类型半导体层113可以实现为例如II-VI族化合物半导体或III-V族化合物半导体。 例如,当在有源层112中产生蓝色波长带或绿色波长带的光时,第二导电类型半导体层113,例如In _x 阿尔 _y 镓 _1-x-y 它可以实现为具有N(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。 另外,当有源层112产生红色波段的光时,第二导电类型半导体层113为(Al _x 镓 _{1 -x} ) _y 在 _{1 - y} 它可以实现为具有P(0≤x≤1,0≤y≤1)的组成式的半导体材料。 第二导电半导体层113可以选自包括例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInP、AlInP、GaInP等的组。可以掺杂有诸如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba的p型掺杂剂。 [0080] 第一晶体管130可以包括第一半导体层131、第一源电极132、第一栅电极133和第一漏电极134。 第一晶体管130可以设置在发光结构110上。 第一晶体管130可以设置在第二导电半导体层113上。 当从半导体器件的上方向看时,第一晶体管130的面积可以小于第二导电类型半导体层113的面积。 第一晶体管130可以设置在有源层112上。 当从半导体器件的上方向看时,第一晶体管130的面积可以小于有源层112的面积。 [0081] 第二晶体管160可以包括第二半导体层161、第二源电极162、第二栅电极163和第二漏电极164。 第二晶体管160可以设置在发光结构110上。 第二晶体管160可以设置在第二导电半导体层113上。 当从半导体器件的上方向看时,第二晶体管160的面积可以小于第二导电类型半导体层113的面积。 第二晶体管160可以设置在有源层112上。 当从半导体器件的上方方向看时,第二晶体管160的面积可以小于有源层112的面积。 [0082]第一半导体层131和第二半导体层161可以由例如与形成发光结构110的材料不同的材料形成。 例如,第一半导体层131和第二半导体层161可以选自包括非晶硅、多晶硅、单晶硅和氧化物半导体的组。 第一半导体层131和第二半导体层161可以由相同的材料形成。 此外,第一半导体层131和第二半导体层161可以由不同的材料形成。 构成第一半导体层131和第二半导体层161的材料可以选自可以在比发光结构110的形成温度低的温度下形成的材料。 因此,即使在形成发光结构110之后形成第一半导体层131和第二半导体层161,也不影响发光结构110的物理性质,并且可以防止发光结构(110)使光提取效率恶化。 氧化物半导体可以选自包括例如氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟镓(IGO)和氧化铟锌(IZO)的组。 [0083] 第一源电极132可以电连接到第一半导体层131的第一区域。 第一源电极132可以设置在第一半导体层131的第一区域上。 第一漏电极134可以电连接到第一半导体层131的第二区域。 第一漏极134可以设置在第一半导体层131的第二区域上。 [0084] 第一栅电极133可以设置在第一半导体层131的第一区域和第二区域之间。 第一栅电极133可以设置在第一半导体层131的第一区域和第二区域之间。 例如,与设置在第一栅电极133下方的第一半导体层131的第三区域相比,第一半导体层131的第一区域和第二区域具有相对高的杂质浓度。它可以被设置为包括。 第一栅电极133可以与第一半导体层131间隔开。 第一栅电极133的下表面可以与第一半导体层131的上表面间隔开。 第二绝缘层143可以设置在第一栅电极133和第一半导体层131之间。 例如,第一栅电极133和第一半导体层131可以彼此间隔开第二绝缘层143的厚度。 [0085] 第二源电极162可以电连接到第二半导体层161的第一区域。 第二源电极162可以设置在第二半导体层161的第一区域上。 第二漏电极164可以电连接到第二半导体层161的第二区域。 第二漏极164可以设置在第二半导体层161的第二区域上。 [0086] 第二栅电极163可以设置在第二半导体层161的第一区域和第二区域之间。 第二栅电极163可以设置在第二半导体层161的第一区域和第二区域之间。 例如,与设置在第二栅电极163下方的第二半导体层161的第三区域相比,第二半导体层161的第一区域和第二区域具有相对高的杂质浓度。它可以被设置为包括。 第二栅电极163可以与第二半导体层161间隔开。 第二栅电极163的下表面可以与第二半导体层161的上表面间隔开。 第二绝缘层143可以设置在第二栅电极163和第二半导体层161之间。 例如,第二栅电极163和第二半导体层161可以彼此间隔开第二绝缘层143的厚度。 [0087] 另外,根据实施例的半导体器件,如图8和图9所示,第一晶体管130的第一漏极134和第二晶体管160的第二漏极134和栅极163可以电连接。连接的。 [0088] 根据实施例,可以根据施加到第一栅电极133的电压的大小来控制从第一源电极132流到第一漏电极134的电流。 也就是说,当超过第一晶体管130的阈值电压的电压被施加到第一栅电极133时,电流可以从第一源电极132流到第一漏电极134。 [0089] 并且,当电流在第一栅电极133的控制下流过第一漏电极134时,电力被提供给电连接到第一漏电极134的第二栅电极163。 此时,当超过第二晶体管160的阈值电压的电压被施加到第二栅电极163时,电流可以从第二源电极162流到第二漏电极164。 [0090] 同时,根据实施例的半导体器件可以包括第一电极121和第二电极122,如图8和图9所示。 第一电极121和第二电极122可以电连接到发光结构110。 第一电极121可以电连接到第一导电类型半导体层111。 例如,第一电极121可以设置在第一导电类型半导体层111上。 第一电极121可以与有源层112的侧表面间隔开。 第二电极122可以电连接到第二导电类型半导体层113。 例如,第二电极122可以设置在第二导电类型半导体层113上。 第二电极122可以设置在有源层112上。 发光结构110可以由施加到第一电极121和第二电极122的电力驱动。 可以通过施加在第一电极121和第二电极122之间的电力在发光结构110的有源层112中产生光。 [0091] 例如,第一电极121可以包括与第一导电类型半导体层111欧姆接触的区域。 第一电极121为单一材料,包括选自Cr、Ni、Ti、Ge、Zn、Mg、Ca、Al、Ag、Rh、W、Pt、Au、AuGe、AuGe/Ni/Au中的至少一种,以及喜欢。它可能包含层或多个层。 [0092] 例如,第二电极122可以包括与第二导电类型半导体层113欧姆接触的材料。 第二电极122可以包括例如透明导电氧化物。 例如,第二电极122可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌铝(AZO)、氧化铝镓锌(AGZO)、氧化铟锌锡(IZTO)或氧化铟铝( IAZO). Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx, NiO ,Pt,它可以包括选自Ag和Ti中的至少一种材料。 [0093]如图8所示,根据实施例的半导体器件可以包括第一绝缘层141。 第一绝缘层141可以设置在发光结构110上。 第一绝缘层141可以设置在第二导电半导体层113上。 第一绝缘层141可以设置在有源层112上。 第一绝缘层141可以设置在第一晶体管130下方。 第一绝缘层141可以设置在第二晶体管160下方。 第一绝缘层141可以设置在发光结构110和第一晶体管130之间。 第一绝缘层141可以设置在发光结构110和第二晶体管160之间。 第一绝缘层141可以设置在第二导电半导体层113和第一晶体管130之间。 第一绝缘层141可以设置在第二导电半导体层113和第二晶体管160之间。 第一绝缘层141的宽度可以小于第二导电半导体层113的宽度。 当从半导体器件的顶部看时,第一绝缘层141的尺寸可以小于第二导电半导体层113的尺寸。 当从半导体器件的顶部看时,第一绝缘层141的尺寸可以小于有源层112的尺寸。 [0094] 根据实施例,第一半导体层131和第二半导体层161可以设置在第一绝缘层141上。 第二电极122可以电连接到第二漏电极164。 第二漏电极164的第一区域可以电连接到第二半导体层161。 第二漏电极164的第一区域可以设置在第二半导体层161上。 第二漏电极164的第二区域可以电连接到第二电极122。 第二漏电极164的第二区域可以设置在第二电极122上。 因此,从第二源电极162到第二漏电极164的电流可以通过施加到第二栅电极163的功率来控制,并且第二漏电极(164)可以施加功率到第二电极122。 根据本实施例,可以通过控制第二栅电极163来控制施加在第一电极121和第二电极122之间的功率,从而可以控制发光结构110中是否发光。 [0095] 同时,根据实施例的半导体器件,如图8和图9所示,可以提供电连接到第二栅电极163的金属层124。 例如,金属层124可以在垂直方向上与第二源极162的部分区域重叠。 因此,电容器Cst可以设置在金属层124和第二源电极162之间。 例如,金属层124可以设置在与第二电极122相同的层上。 金属层124可由与第二电极122相同的材料制成。 此外,金属层124可以设置有与第二电极122的材料不同的材料。 [0096] 根据一个实施例,第一晶体管130可以称为一种开关晶体管,而第二晶体管160可以称为一种驱动晶体管。 第一晶体管130中的电流可以根据施加到第一晶体管130的第一栅电极133的电压来控制,并且第一晶体管130可以被驱动。第二晶体管160中的电流可以被控制。 同时,即使从第一漏极134流向第二栅极163的电流从导通状态变为截止状态,电容Cst也维持一定时间,电流可以流过第二晶体管160。 电容器Cst可以称为存储电容器。 在电容器Cst中,金属层124的一部分可以用作下电极并且源电极162的一部分可以用作上电极。 因此,通过控制第一晶体管130和第二晶体管160的驱动,可以主动控制发光结构110是否发光以及发光时间。 根据实施例的半导体器件,例如,可以授权向第一电极121、第一源电极132、第一栅电极133和第二源电极162提供外部电力。 [0097] 第一绝缘层141可以反射从发光结构110提供的光。 第一绝缘层141可以反射从有源层112提供的光。 第一绝缘层141可以接收从有源层112产生的光并将其向下反射。 因此,可以防止在有源层112中产生的光入射到第一晶体管130或第二晶体管160而熄灭,并且可以提高半导体器件的光提取效率。 [0098] 例如,第一绝缘层141可以包括绝缘材料。 第一绝缘层141可以包括氧化物或氮化物。 第一绝缘层141可以包括硅基氧化物或硅基氮化物。 第一绝缘层141可以包括金属氧化物。 第一绝缘层141例如为SiO ₂ , 氮化硅 _x , 铝 ₂ 欧 ₃ 可以选择至少一种材料。 第一绝缘层141为TiO ₂ 它可能含有含金属氧化物。 [0099] 第一绝缘层141可以设置为具有不同折射率的多个层。 例如,在第一绝缘层141中,具有第一折射率的第一层和具有不同于第一折射率的第二折射率的第二层可以成对堆叠,并且可以顺序堆叠多对。可以分层。 因此,第一绝缘层141可以设置为DBR(分布式布拉格反射器)层,并且通过反射从发光结构110入射的光,由发光结构110产生的光在第一晶体管130或第二晶体管130中消散可以防止晶体管160。 作为示例,第一绝缘层141为SiO ₂ 层和二氧化钛 ₂ 层可以形成一对并且可以堆叠和提供多对。 [0100] 如图8所示,根据实施例的半导体器件可以包括第二绝缘层143。 第二绝缘层143可以设置在发光结构110的顶表面和侧表面上。 第二绝缘层143可以设置在第二电极122上。 第二绝缘层143可以设置在第一半导体层131上。 第一栅电极133可以设置在第二绝缘层143上。 例如,第一源电极132可以设置在第二绝缘层143上,并且第一源电极132的一端穿透第二绝缘层143以形成第二绝缘层143。1可以电连接到半导体层131。 此外,第一漏极134可设置于第二绝缘层143上,且第一漏极134的一端穿透第二绝缘层143而形成第一漏极134。其可电性连接至半导体层131。 [0101]此外,第二绝缘层143可以设置在第二半导体层161上。 第二栅电极163可以设置在第二绝缘层143上。 例如,第二源极162可以设置在第二绝缘层143上,第二源极162的一端穿透第二绝缘层143形成第二绝缘层143。2可以与半导体层电连接161。 此外,第二漏极164可设置于第二绝缘层143上,且第二漏极164的一端穿透第二绝缘层143而形成第二绝缘层143。其可电性连接至半导体层161。 第二漏电极164的另一端可以电连接到第二电极122。 [0102] 例如,第二绝缘层143可以包括绝缘材料。 第二绝缘层143可以包括氧化物、氮化物或有机材料。 第二绝缘层143例如为SiO ₂ , 氮化硅 _x , 铝 ₂ 欧 ₃ 可以选择至少一种材料。 [0103] 根据实施例的半导体器件可以包括如图8所示的衬底105。 例如,衬底105可以是可以在其上生长发光结构110的生长衬底。 例如,可以在基板105的上表面设置凹凸结构。 设置在衬底105上的凹凸结构可以在发光结构110的生长过程中减少缺陷并提高晶体质量,并且可以通过反射从有源层112发出的光来提高发光效率。 基板105例如为蓝宝石基板(Al ₂ 欧 ₃ )、SiC、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Ge等。 [0104] 如上所述,根据实施例的半导体器件可以通过控制第一晶体管130和第二晶体管160来主动控制发光结构110的发光。 根据实施例,由于可以通过使用第一晶体管130和第二晶体管160的控制来控制发光结构110是否发光,因此可以更精确地控制发光结构110是否发光,更容易实现对发光时间和发光间隔的控制。 [0105] 此外,通过在发光结构110上设置第一晶体管130和第二晶体管160,可以最大化有源层112的尺寸。 如果第一晶体管130或第二晶体管160设置在有源层112的一侧,则有源层(112)的尺寸不可避免地减小。 然而,根据实施例,通过将第一晶体管130和第二晶体管160设置在有源层112上,可以防止有源层112的面积减小。 由于发光结构110产生的光量受有源层112的面积影响,根据本实施例,有源层112产生的光量增加,整体光提取效率增加. 并提高亮度。 [0106] 同时,图8和图9示出了半导体器件设置有一个发光结构110和两个晶体管130和160的情况,但是根据一个实施例的半导体器件可以包括多个发光结构和多个晶体管。包括 当提供多个晶体管时,根据电路设计,多个晶体管可以并联或串联提供。 因此,可以增加电路设计的自由度,并且可以根据需要有效地控制从多个发光结构发出的光的程度。 此外,根据实施例的半导体器件可以包括多个发光结构,并且多个发光结构可以发射不同波段的光。 因此,根据本实施方式的半导体装置,通过控制多个晶体管,能够选择性且独立地控制波段不同的多个发光结构体的发光。 [0107] 根据有源层的选择,上述半导体器件可以被实施为发射各种波段的光。 例如,构成一个颜色像素的显示面板或显示装置可以使用上述蓝色半导体元件、绿色半导体元件和红色半导体元件来实现。 根据实施例的半导体器件可以应用于需要光源的各种领域。 根据该实施例的半导体器件可以被应用为通过应用于例如电子显示板、大型显示装置和标牌来实现高分辨率的光源。 此外,根据实施例的半导体装置可以应用于通信装置。 作为示例,根据实施例的半导体器件可以应用于使用光来传输数据的可见光通信(VLC)或光WiFi(LiFi)。 [0108] 然后,参照图10至图15,依次说明图8所示的半导体装置的制造方法。 图10至15是说明根据本发明实施例的制造半导体器件的方法的图。 在图10~图15中,各图的(a)表示平面图,各图的(b)表示沿平面图的B-B线的剖视图。 [0109] 根据实施例的半导体器件制造方法,如图10所示,可以在衬底105上形成发光结构110。 例如,可以通过在衬底105上生长来形成发光结构110。 发光结构110可以包括第一导电类型半导体层111、有源层112和第二导电类型半导体层113。 [0110] 例如,第一导电类型半导体层111由添加n型掺杂剂作为第一导电类型掺杂剂的n型半导体层形成,第二导电类型半导体层113是第二导电类型-型掺杂剂它可以形成为添加有p型掺杂剂的p型半导体层。 或者,第一导电型半导体层111可以由p型半导体层形成,第二导电型半导体层113可以由n型半导体层形成。 在下文中,作为示例,将描述第一导电类型半导体层111被设置为n型半导体层并且第二导电类型半导体层113被设置为p型半导体层的情况。 [0111] 在发光结构110中,产生的光的波段可以根据构成有源层112的材料而改变。 构成第一导电型半导体层111和第二导电型半导体层113的材料的选择可以根据构成有源层112的材料而改变。 发光结构110可以实现为化合物半导体。 发光结构110可以实现为例如II-VI族化合物半导体或III-V族化合物半导体。 例如,发光结构110包括从包括铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)、磷(P)、砷(As)和氮(N)的组中选择的至少两种元素。可以实施包括。 [0112] 在有源层112中,通过第一导电型半导体层111注入的电子(或空穴)与通过第二导电型半导体层113注入的空穴(或电子)相遇,从而发射出根据有源层112的形成材料,通过能带的带隙差异产生光。 有源层112可以由单阱结构、多孔结构、量子点结构或量子线结构中的任一种形成。 有源层112可以实现为化合物半导体。 有源层112可以实现为例如II-VI族或III-V族化合物半导体。 [0113] 当活性层112产生蓝色波段或绿色波段的光时,活性层112例如是In _x 阿尔 _y 镓 _{1 -x-y} 它可以实现为具有N(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。 当有源层112实现为多孔结构时,可以通过堆叠多个阱层和多个势垒层来实现有源层112。 此外,当活性层112产生红色波段的光时,活性层112例如(Al _x 镓 _{1 -x} ) _y 在 _{1 - y} 它可以实现为具有P(0≤x≤1,0≤y≤1)的组成式的半导体材料。 有源层112可以选自例如AlGaInP、AlInP、GaP、GaInP等。 [0114] 第一导电型半导体层111可以包括例如n型半导体层。 第一导电类型半导体层111可以实现为化合物半导体。 第一导电类型半导体层111可以实现为例如II-VI族化合物半导体或III-V族化合物半导体。 例如,当有源层112产生蓝色波段或绿色波段的光时,第一电性半导体层111为In _x 阿尔 _y 镓 _{1 -x-y} 它可以实现为具有N(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。 另外,当有源层112产生红色波段的光时,第一导电型半导体层111为(Al _x 镓 _{1 -x} ) _y 在 _{1 - y} 它可以实现为具有P(0≤x≤1,0≤y≤1)的组成式的半导体材料。 在第一导电型半导体层111的组成式中,y可以具有0.5的值并且x可以具有0.5至0.8的值。 第一导电类型半导体层111可以选自包括例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInP、AlInP、GaInP等的组.它可以掺杂有诸如Si、Ge、Sn、Se或Te的n型掺杂剂。 [0115] 第二导电类型半导体层113可以实现为化合物半导体。 第二导电类型半导体层113可以实现为例如II-VI族化合物半导体或III-V族化合物半导体。 例如,当在有源层112中产生蓝色波长带或绿色波长带的光时,第二导电类型半导体层113,例如In _x 阿尔 _y 镓 _1-x-y 它可以实现为具有N(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。 另外,当有源层112产生红色波段的光时,第二导电类型半导体层113为(Al _x 镓 _{1 -x} ) _y 在 _{1 - y} 它可以实现为具有P(0≤x≤1,0≤y≤1)的组成式的半导体材料。 第二导电半导体层113可以选自包括例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInP、AlInP、GaInP等的组。可以掺杂有诸如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba的p型掺杂剂。 [0116] 例如,衬底105可以是可以在其上生长发光结构110的生长衬底。 例如,可以在基板105的上表面设置凹凸结构。 设置在衬底105上的凹凸结构可以在发光结构110的生长过程中减少缺陷并提高晶体质量,并且可以通过反射从有源层112发出的光来提高发光效率。 基板105例如为蓝宝石基板(Al ₂ 欧 ₃ )、SiC、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Ge等。 [0117] 此外,可以在发光结构110上形成第一绝缘层141。 第一绝缘层141可以设置在第二导电半导体层113上。 例如,第一绝缘层141可以设置在第二导电半导体层113的一侧上。 第一绝缘层141可以包括绝缘材料。 例如,第一绝缘层141可以包括氧化物或氮化物。 第一绝缘层141可以包括硅基氧化物或硅基氮化物。 第一绝缘层141可以包括金属氧化物。 第一绝缘层141例如为SiO ₂ , 氮化硅 _x , 铝 ₂ 欧 ₃ 可以选择至少一种材料。 第一绝缘层141为TiO ₂ 它可能含有含金属氧化物。 [0118] 第一绝缘层141可以设置为具有不同折射率的多个层。 例如,在第一绝缘层141中,具有第一折射率的第一层和具有不同于第一折射率的第二折射率的第二层可以成对堆叠,并且可以顺序堆叠多对。可以分层。 因此,第一绝缘层141可以设置为DBR(分布式布拉格反射器)层,并且可以反射从发光结构110入射的光。 作为示例,第一绝缘层141为SiO ₂ 层和二氧化钛 ₂ 层可以形成一对并且可以堆叠和提供多对。 [0119] 接下来,如图11所示,可以在发光结构110上形成第二电极122。 第二电极122可以设置在第二导电类型半导体层113上。 第二电极122的部分区域可以设置在第一绝缘层141上。 此外,可以在第一绝缘层141上形成金属层124。 第二电极122和金属层124可以彼此间隔开。 [0120] 例如,第二电极122可以设置有与第二导电类型半导体层113欧姆接触的材料。 第二电极122可以包括例如透明导电氧化物。 例如,第二电极122可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌铝(AZO)、氧化铝镓锌(AGZO)、氧化铟锌锡(IZTO)或氧化铟铝( IAZO). Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx, NiO ,Pt,它可以包括选自Ag和Ti中的至少一种材料。 例如,金属层124可以设置有与第二电极122相同的材料。 此外,金属层124可以设置有与第二电极122的材料不同的材料。 [0121] 随后,如图12所示,通过对发光结构110的蚀刻工艺,可以暴露第一导电类型半导体层111的部分上表面。 可以通过蚀刻部分第二导电类型半导体层113和部分有源层112来暴露第一导电类型半导体层111的部分上表面。 此时。 还可以刻蚀第一导电型半导体层111的部分区域,第一导电型半导体层111可以根据区域设置为具有不同厚度的阶梯结构。 [0122]并且,如图13所示,可以在第一绝缘层141上形成第一半导体层131和第二半导体层161。 第一半导体层131和第二半导体层161可以设置在第一绝缘层141的上表面的部分区域上。 第一半导体层131和第二半导体层161可以设置在第一绝缘层141上并且可以与第二电极122分开预定距离设置。 [0123] 第一半导体层131和第二半导体层161可以包括例如与形成发光结构110的材料不同的材料。 例如,第一半导体层131和第二半导体层161可以包括从包括非晶硅、多晶硅、单晶硅和氧化物半导体的组中选择的材料。 构成第一半导体层131和第二半导体层132的材料可以选自可以在比发光结构110的形成温度低的温度下形成的材料。 因此,即使在形成发光结构110之后形成第一半导体层131或第二半导体层161,也不影响发光结构110的物理性质,并且可以防止发光结构(110)使光提取效率恶化。 氧化物半导体可以选自包括例如氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟镓(IGO)和氧化铟锌(IZO)的组。 [0124] 接下来,如图14所示,可以在发光结构110的顶表面和侧表面上形成第二绝缘层143。 第二绝缘层143包括第一接触孔151、第二接触孔152、第三接触孔153、第四接触孔154和第五接触孔155。 可以包括第六接触孔156和第七接触孔157。 第二半导体层161的第一区域可以被第一接触孔151暴露。 第二半导体层161的第二区域可以被第二接触孔152暴露。 第一导电类型半导体层111的部分区域可以被第三接触孔153暴露。 第一半导体层131的第一区域可以被第四接触孔154暴露。 第一半导体层131的第二区域可以被第五接触孔155暴露。 金属层124的部分区域可以被第六接触孔156暴露。 第二电极122的部分区域可以被第七接触孔157暴露。 第二绝缘层143可以设置在发光结构110的顶表面和侧表面上。 第二绝缘层143可以设置在第二电极122上。 第二绝缘层143可以设置在第一半导体层131上。 第二绝缘层143可以设置在第二半导体层161上。 [0125] 例如,第二绝缘层143可以包括绝缘材料。 第二绝缘层143可以包括氧化物、氮化物或有机材料。 第二绝缘层143例如为SiO ₂ , 氮化硅 _x , 铝 ₂ 欧 ₃ 可以选择至少一种材料。 [0126] 并且,如图15所示,可以在第二绝缘层143上形成第一栅电极133和第二栅电极163。 第一栅电极133可以形成在第一半导体层131上。 第二栅电极163可以形成在第二半导体层161上。 在这种情况下,从第二栅电极163延伸的区域可以通过第六接触孔156电连接到金属层124。 并且,例如,可以添加通过使用第一栅电极133和第二栅电极163作为掩模的注入工艺从第一半导体层131和第二半导体层161去除杂质。 因此,在第一半导体层131中,与第一源电极132电连接的第一区域和与第一漏电极134电连接的第二区域可以形成为高浓度杂质区域。 另外,在第二半导体层161中,与第二源电极162电连接的第一区域和与第二漏电极164电连接的第二区域可以由高浓度杂质区域形成。 [0127] 随后,如图15所示,在第二绝缘层143上形成第一源电极132、第一漏电极134、第二源电极162和第二漏电极164。可以形成第一电极121。 . 第一源电极132可以通过第四接触孔154电连接到第一半导体层131的第一区域。 第一漏电极134可以通过第五接触孔155电连接到第一半导体层131的第二区域。 第二源电极162可以通过第一接触孔151电连接到第二半导体层161的第一区域。 第二漏电极164可以通过第二接触孔152电连接到第二半导体层161的第二区域并且可以通过第七接触孔157电连接到第二区域。它可以电连接到电极122。 第二半导体层161的第二区域和第二电极122可以通过第二漏电极164电连接。 [0128] 第一源电极132可以电连接到第一半导体层131的第一区域。 第一源电极132可以设置在第一半导体层131的第一区域上。 第一漏电极134可以电连接到第一半导体层131的第二区域。 第一漏极134可以设置在第一半导体层131的第二区域上。 第一漏电极134可以电连接到第二栅电极163。 [0129] 第一栅电极133可以设置在第一半导体层131的第一区域和第二区域之间。 第一栅电极133可以设置在第一半导体层131的第一区域和第二区域之间。 例如,与设置在第一栅电极133下方的第一半导体层131的第三区域相比,第一半导体层131的第一区域和第二区域具有相对高的杂质浓度。它可以被设置为包括。 第一栅电极133可以与第一半导体层131间隔开。 第一栅电极133的下表面可以与第一半导体层131的上表面间隔开。 第二绝缘层143可以设置在第一栅电极133和第一半导体层131之间。 例如,第一栅电极133和第一半导体层131可以彼此间隔开第二绝缘层143的厚度。 [0130] 第二源电极162可以电连接到第二半导体层161的第一区域。 第二源电极162可以设置在第二半导体层161的第一区域上。 第二漏电极164可以电连接到第二半导体层161的第二区域。 第二漏极164可以设置在第二半导体层161的第二区域上。 第二源电极162的部分区域可以在垂直方向上与金属层124的部分区域重叠。 因此,可以在重叠的第二源电极162和金属层124之间提供电容器。 [0131]第二栅电极163可以设置在第二半导体层161的第一区域和第二区域之间。 第二栅电极163可以设置在第二半导体层161的第一区域和第二区域之间。 例如,与设置在第二栅电极163下方的第二半导体层161的第三区域相比,第二半导体层161的第一区域和第二区域具有相对高的杂质浓度。它可以被设置为包括。 第二栅电极163可以与第二半导体层161间隔开。 第二栅电极163的下表面可以与第二半导体层161的上表面间隔开。 第二绝缘层143可以设置在第二栅电极163和第二半导体层161之间。 例如,第二栅电极163和第二半导体层161可以彼此间隔开第二绝缘层143的厚度。 [0132] 根据实施例,可以根据施加到第一栅电极133的电压的大小来控制从第一源电极132流到第一漏电极134的电流。 也就是说,当超过第一晶体管130的阈值电压的电压被施加到第一栅电极133时,电流可以从第一源电极132流到第一漏电极134。 [0133] 并且,当电流在第一栅电极133的控制下流过第一漏电极134时,电力被提供给电连接到第一漏电极134的第二栅电极163。 此时,当超过第二晶体管160的阈值电压的电压被施加到第二栅电极163时,电流可以从第二源电极162流到第二漏电极164。 [0134] 同时,根据实施例的半导体器件可以包括第一电极121和第二电极122,如图15所示。 第一电极121和第二电极122可以电连接到发光结构110。 第一电极121可以电连接到第一导电类型半导体层111。 例如,第一电极121可以设置在第一导电类型半导体层111上。 第一电极121可以与有源层112的侧表面间隔开。 第二电极122可以电连接到第二导电类型半导体层113。 例如,第二电极122可以设置在第二导电类型半导体层113上。 第二电极122可以设置在有源层112上。 发光结构110可以由施加到第一电极121和第二电极122的电力驱动。 可以通过施加在第一电极121和第二电极122之间的电力在发光结构110的有源层112中产生光。 [0135] 例如,第一电极121可以包括与第一导电类型半导体层111欧姆接触的区域。 第一电极121为单一材料,包括选自Cr、Ni、Ti、Ge、Zn、Mg、Ca、Al、Ag、Rh、W、Pt、Au、AuGe、AuGe/Ni/Au中的至少一种,以及喜欢。它可能包含层或多个层。 [0136] 例如,第二电极122可以包括与第二导电类型半导体层113欧姆接触的材料。 第二电极122可以包括例如透明导电氧化物。 例如,第二电极122可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铝锌(AZO)、氧化铝镓锌(AGZO)、氧化铟锌锡(IZTO)或氧化铟铝( IAZO). Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx, NiO ,Pt,它可以包括选自Ag和Ti中的至少一种材料。 [0137] 根据实施例,第一半导体层131和第二半导体层161可以设置在第一绝缘层141上。 第二电极122可以电连接到第二漏电极164。 第二漏电极164的第一区域可以电连接到第二半导体层161。 第二漏电极164的第一区域可以设置在第二半导体层161上。 第二漏电极164的第二区域可以电连接到第二电极122。 第二漏电极164的第二区域可以设置在第二电极122上。 因此,从第二源电极162到第二漏电极164的电流可以通过施加到第二栅电极163的功率来控制,并且第二漏电极(164)可以施加功率到第二电极122。 根据本实施例,可以通过控制第二栅电极163来控制施加在第一电极121和第二电极122之间的功率,从而可以控制发光结构110中是否发光。 [0138] 同时,根据实施例的半导体器件,可以提供电连接到第二栅电极163的金属层124。 例如,金属层124可以在垂直方向上与第二源极162的部分区域重叠。 因此,电容器Cst可以设置在金属层124和第二源电极162之间。 [0139] 根据一个实施例,第一晶体管130可以称为一种开关晶体管,而第二晶体管160可以称为一种驱动晶体管。 第一晶体管130中的电流可以根据施加到第一晶体管130的第一栅电极133的电压来控制,并且第一晶体管130可以被驱动。第二晶体管160中的电流可以被控制。 同时,即使从第一漏极134流向第二栅极163的电流从导通状态变为截止状态,存储电容Cst也提供了预定的时间,在此期间,电流可以流过第二晶体管160。 因此,通过控制第一晶体管130和第二晶体管160的驱动,可以主动控制发光结构110是否发光以及发光时间。 [0140] 根据上述实施例的半导体器件制造方法是一个示例,本领域技术人员可以理解各种修改和应用是可能的。 [0141] 同时,图16是图示根据本发明实施例的半导体器件的另一示例的示图。 在参考图16描述根据示例性实施例的半导体器件时,可以省略与参考图1至图15描述的内容重复的内容的描述。 [0142] 如图16所示,根据实施例的半导体器件可以包括发光结构210和晶体管230。 例如,晶体管230可以设置在发光结构210上。 晶体管230可以电连接到发光结构210。 根据实施例的半导体器件,可以通过控制晶体管230的驱动来控制发光结构210的发光。 可以提供晶体管230作为顶栅晶体管结构的示例。 [0143]发光结构210可以包括第一导电类型半导体层211、有源层212和第二导电类型半导体层213。 有源层212可以设置在第一导电类型半导体层211和第二导电类型半导体层213之间。 例如,有源层212可以设置在第一电性半导体层211上,第二电性半导体层213可以设置在有源层212上。 [0144] 例如,第一导电类型半导体层211由添加n型掺杂剂作为第一导电类型掺杂剂的n型半导体层形成,第二导电类型半导体层213是第二导电类型-型掺杂剂它可以由添加有p型掺杂剂的p型半导体层形成。 或者,第一导电类型半导体层211可以由p型半导体层形成,第二导电类型半导体层213可以由n型半导体层形成。 在下文中,作为示例,将描述第一导电类型半导体层211被设置为n型半导体层并且第二导电类型半导体层213被设置为p型半导体层的情况。 [0145] 在发光结构210中,产生的光的波段可以根据构成有源层212的材料而改变。 构成第一导电型半导体层211和第二导电型半导体层213的材料的选择可以根据构成有源层212的材料而改变。 发光结构210可以实现为化合物半导体。 发光结构210可以实现为例如II-VI族化合物半导体或III-V族化合物半导体。 例如,发光结构210包括选自包括铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)、磷(P)、砷(As)和氮(N)的组中的至少两种元素。可以实施包括。 [0146] 在有源层212中,通过第一导电型半导体层211注入的电子(或空穴)与通过第二导电型半导体层213注入的空穴(或电子)相遇,从而发射出根据有源层212的形成材料,通过能带的带隙差异来发射光。 有源层212可以形成为单阱结构、多孔结构、量子点结构或量子线结构中的任一种。 有源层212可以实现为化合物半导体。 有源层212可以实现为例如II-VI族或III-V族化合物半导体。 [0147] 当活性层212产生蓝色波段或绿色波段的光时,活性层212例如是In _x 阿尔 _y 镓 _{1 -x- y} 它可以实现为具有N(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。 当有源层212实现为多孔结构时,可以通过堆叠多个阱层和多个势垒层来实现有源层212。 另外,当活性层212产生红色波段的光时,活性层212例如为(Al _x 镓 _{1 -x} ) _y 在 _{1 - y} 它可以实现为具有P(0≤x≤1,0≤y≤1)的组成式的半导体材料。 有源层212可以选自例如AlGaInP、AlInP、GaP、GaInP等。 [0148] 第一导电型半导体层211可以包括例如n型半导体层。 第一导电类型半导体层211可以实现为化合物半导体。 第一导电类型半导体层211可以实现为例如II-VI族化合物半导体或III-V族化合物半导体。 例如,当有源层212产生蓝色波段或绿色波段的光时,第一电性半导体层211为In _x 阿尔 _y 镓 _{1 -x-y} 它可以实现为具有N(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。 另外,当有源层212产生红色波段的光时,第一导电类型半导体层211为(Al _x 镓 _{1 -x} ) _y 在 _{1 - y} 它可以实现为具有P(0≤x≤1,0≤y≤1)的组成式的半导体材料。 在第一导电类型半导体层211的组成式中,y可以具有0.5的值并且x可以具有0.5至0.8的值。 第一导电类型半导体层211可以选自包括例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInP、AlInP、GaInP等的组.它可以掺杂有诸如Si、Ge、Sn、Se或Te的n型掺杂剂。 [0149] 第二导电类型半导体层213可以实施为化合物半导体。 第二导电类型半导体层213可以实现为例如II-VI族化合物半导体或III-V族化合物半导体。 例如,当有源层212产生蓝色波段或绿色波段的光时,第二导电类型半导体层213,例如In _x 阿尔 _y 镓 _1-x-y 它可以实现为具有N(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。 另外,当有源层212产生红色波段的光时,第二导电类型半导体层213为(Al _x 镓 _{1 -x} ) _y 在 _{1 - y} 它可以实现为具有P(0≤x≤1,0≤y≤1)的组成式的半导体材料。 第二导电半导体层213可以选自包括例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInP、AlInP、GaInP等的组。可以掺杂有诸如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba的p型掺杂剂。 [0150] 晶体管230可以包括半导体层231、源电极232、栅电极233和漏电极234。 晶体管230可以设置在发光结构210上。 晶体管230可以设置在第二导电半导体层213上。 当从半导体器件的上方向看时,晶体管230的面积可以小于第二导电类型半导体层213的面积。 晶体管230可以设置在有源层212上。 当从半导体器件的上方向看时,晶体管230的面积可以小于有源层212的面积。 [0151] 半导体层231可以由例如与形成发光结构210的材料不同的材料形成。 例如,半导体层231可以选自包括非晶硅、多晶硅、单晶硅和氧化物半导体的组。 构成半导体层231的材料可以选自可以在比发光结构210的形成温度低的温度下形成的材料。 因此,即使在形成发光结构210之后形成半导体层231,也不影响发光结构210的物理性质并且防止发光结构210的光提取效率降低。能够做到。 氧化物半导体可以选自包括例如氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟镓(IGO)和氧化铟锌(IZO)的组。 [0152]源电极232可以电连接到半导体层231的第一区域。 源电极232可以设置在半导体层231的第一区域上。 漏电极234可以电连接到半导体层231的第二区域。 漏电极234可以设置在半导体层231的第二区域上。 [0153] 栅电极233可以设置在半导体层231的第一区域和第二区域之间。 栅电极233可以设置在半导体层231的第一区域和第二区域之间。 例如,与设置在栅电极233下方的半导体层231的第三区域相比,半导体层231的第一区域和第二区域可以包含相对高浓度的杂质。 栅电极233可以与半导体层231间隔开。 栅电极233的下表面可以与半导体层231的上表面间隔开。 第二绝缘层243可以设置在栅电极233和半导体层231之间。 例如,栅电极233和半导体层231可以彼此间隔开第二绝缘层243的厚度。 [0154] 根据实施例,可以根据施加到栅电极233的电压的大小来控制从源电极232流到漏电极234的电流。 也就是说,当超过晶体管230的阈值电压的电压被施加到栅电极233时,电流可以从源电极232流到漏电极234。 [0155] 同时,根据实施例的半导体器件可以包括第一电极221和第二电极222,如图16所示。 第一电极221和第二电极222可以电连接到发光结构210。 第一电极221可以电连接到第一导电类型半导体层211。 例如,第一电极221可以设置在第一导电类型半导体层211上。 第一电极221可以与有源层212的侧表面间隔开。 第二电极222可以电连接到第二导电类型半导体层213。 例如,第二电极222可以设置在第二导电类型半导体层213上。 第二电极222可以设置在有源层212上。 发光结构210可以由施加到第一电极221和第二电极222的电力驱动。 可以通过施加在第一电极221和第二电极222之间的电力在发光结构210的有源层212中产生光。 [0156] 例如,第一电极221可以包括与第一导电类型半导体层211欧姆接触的区域。 第一电极221为单一材料,包括选自Cr、Ni、Ti、Ge、Zn、Mg、Ca、Al、Ag、Rh、W、Pt、Au、AuGe、AuGe/Ni/Au中的至少一种,以及喜欢。它可能包含层或多个层。 [0157] 例如,第二电极222可以包括与第二导电类型半导体层213欧姆接触的材料。 第二电极222可以包括例如透明导电氧化物。 例如,第二电极222可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铝锌(AZO)、氧化铝镓锌(AGZO)、氧化铟锌锡(IZTO)或氧化铟铝( IAZO). Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx, NiO ,Pt,它可以包括选自Ag和Ti中的至少一种材料。 [0158] 如图16所示,根据实施例的半导体器件可以包括第一绝缘层241。 第一绝缘层241可以设置在发光结构210上。 第一绝缘层241可以设置在发光结构210的顶表面和侧表面上。 第一绝缘层241可以设置在第二导电半导体层213上。 第一绝缘层241可以设置在有源层212上。 第一绝缘层241可以设置在晶体管230下方。 第一绝缘层241可以设置在发光结构210和晶体管230之间。 第一绝缘层241可以设置在第二导电半导体层213和晶体管230之间。 [0159] 根据实施例,半导体层231可以设置在第一绝缘层241上。 第二电极222可以电连接到漏电极234。 漏电极234的第一区域可以电连接到半导体层231。 漏电极234的第一区域可以设置在半导体层231上。 漏电极234的第二区域可以电连接到第二电极222。 漏电极234的第二区域可以设置在第二电极222上。 漏极234的一端可以穿过第一绝缘层241并电连接到第二电极222。 例如,漏电极234的一端可以穿过第一绝缘层241并接触第二电极222的上表面。 [0160] 因此,从源电极232到漏电极234的电流可以通过施加到栅电极233的功率来控制,并且第二电极通过漏电极234可以施加功率到222。 根据本实施例,可以通过控制栅电极233来控制施加在第一电极221和第二电极222之间的功率,从而可以控制发光结构210是否发光。 [0161] 第一绝缘层241可以反射从发光结构210提供的光。 第一绝缘层241可以反射从有源层212提供的光。 第一绝缘层241可以接收从有源层212产生的光并将其向下反射。 因此,可以防止在有源层212中产生的光入射到晶体管230而熄灭,并且可以提高半导体器件的光提取效率。 [0162] 例如,第一绝缘层241可以包括绝缘材料。 第一绝缘层241可以包括氧化物或氮化物。 第一绝缘层241可以包括硅基氧化物或硅基氮化物。 第一绝缘层241可以包括金属氧化物。 第一绝缘层241例如为SiO ₂ , 氮化硅 _x , 铝 ₂ 欧 ₃ 可以选择至少一种材料。 第一绝缘层241为TiO ₂ 它可能含有含金属氧化物。 [0163]第一绝缘层241可以设置为具有不同折射率的多个层。 例如,在第一绝缘层241中,具有第一折射率的第一层和具有不同于第一折射率的第二折射率的第二层可以成对堆叠,并且可以顺序堆叠多对。分层。 因此,第一绝缘层241可以设置为DBR(分布式布拉格反射器)层,并且通过反射从发光结构210入射的光,可以防止由发光结构210产生的光在晶体管230中耗散。 作为示例,第一绝缘层241为SiO ₂ 层和二氧化钛 ₂ 层可以形成一对并且可以堆叠和提供多对。 [0164] 如图16所示,根据实施例的半导体器件可以包括第二绝缘层243。 第二绝缘层243可以设置在发光结构210的上表面上。 第二绝缘层243可以设置在发光结构210的侧表面上。 第二绝缘层243可以设置在第一绝缘层241上。 第二绝缘层243可以设置在半导体层231上。 第二绝缘层243可以设置在第二电极222上。 栅电极233可以设置在第二绝缘层243上。 例如,源极232可以设置在第二绝缘层243上,源极232的一端穿透第二绝缘层243形成半导体层231。可以电连接到 此外,漏极234可设置于第二绝缘层243上,且漏极234的一端穿透第二绝缘层243而形成半导体层231,并可电性连接。 漏电极234的另一端可以穿过第一绝缘层241和第二绝缘层243并接触第二电极222。 [0165] 例如,第二绝缘层243可以包括绝缘材料。 第二绝缘层243可以包括氧化物、氮化物或有机材料。 第二绝缘层243例如为SiO ₂ , 氮化硅 _x , 铝 ₂ 欧 ₃ 可以选择至少一种材料。 [0166] 如图16所示,根据实施例的半导体器件可以包括第三绝缘层245。 第三绝缘层245可以设置在第二绝缘层243上。 第三绝缘层245可以设置在晶体管230上。 例如,第三绝缘层245可以包括绝缘材料。 第三绝缘层245可以包括氧化物、氮化物或有机材料。 第三绝缘层245例如为SiO ₂ , 氮化硅 _x , 铝 ₂ 欧 ₃ 可以选择至少一种材料。 [0167] 如图16所示,根据实施例的半导体器件可以包括第一接合焊盘271、第二接合焊盘273和第三接合焊盘275。 第一接合焊盘271可以电连接到第一电极221。 第一接合焊盘271可以设置在第一电极221上。 第一接合焊盘271可以设置在第三绝缘层245上。 此外,第二结合焊盘273和第三结合焊盘275可以设置在第三绝缘层245上。 第二接合焊盘273可以电连接到源电极232。 例如,第二焊盘273的一端可以穿过第三绝缘层245与源电极232的上表面接触。 第三接合焊盘275可以电连接到栅电极233。 例如,第三接合焊盘275的一端可以设置为穿过第三绝缘层245并接触栅电极233的上表面。 [0168] 例如,第一焊盘271、第二焊盘273和第三焊盘275为Cr、Ni、Ti、Ge、Zn、Mg、Ca、Al、Ag、Rh,可以包括单层或多层层包括选自W、Pt、Au、AuGe、AuGe/Ni/Au、In、InAg、AuIn等中的至少一种。 [0169] 根据实施例的半导体器件可以包括如图16所示的衬底205。 例如,衬底205可以是可以在其上生长发光结构210的生长衬底。 例如,可以在基板205的上表面设置凹凸结构。 设置在衬底205上的凹凸结构可以减少发光结构210生长过程中的缺陷并提高晶体质量,并且可以通过反射从有源层212发出的光来提高发光效率。 基板205例如为蓝宝石基板(Al ₂ 欧 ₃ )、SiC、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Ge等。 [0170] 同时,根据该实施例的半导体器件可以通过例如倒装芯片接合方法从外部接收电力。 图16示出了第一焊盘271、第二焊盘273和第三焊盘275设置在向上方向,但是当应用倒装芯片焊法时,上下结构倒置,第一焊盘271 、第二接合焊盘273和第三接合焊盘275可以设置在下方。 因此,衬底205可以设置在其上。 [0171] 这样,当根据实施例的半导体器件通过倒装芯片接合方法电连接到电路板时,可以通过第一接合焊盘271向第一电极221供电。 此外,可以通过第二焊盘273向源电极232供电。 此外,可以通过第三焊盘275向栅电极233供电。 因此,当通过第三焊盘275施加高于晶体管230的阈值电压的电压时,电流从源电极232流向漏电极234。 然后,电源可以通过漏极234施加到第二电极222。 此外,可通过施加于第一电极221与第二电极222之间的电力在发光结构210中产生光。 [0172] 如上所述,根据实施例的半导体器件可以通过晶体管230的控制来控制来自发光结构210的光发射。 根据实施例,由于可以通过使用晶体管230的控制来控制发光结构210是否发光,所以可以更精确地控制发光结构210是否发光。时间和排放间隔可以更容易地实施。 [0173] 此外,有源层212的尺寸可以通过将晶体管230设置在发光结构210上而最大化。 如果晶体管230设置在有源层212的一侧,则有源层212的尺寸不可避免地减小了晶体管230的尺寸。 然而,根据实施例,通过将晶体管230设置在有源层212上,可以防止有源层212的面积减小。 由于从发光结构210产生的光量受有源层212的面积影响,根据实施例,从有源层212产生的光量增加,并且整体光提取效率增加. 并提高亮度。 [0174]同时,虽然图16示出了设置有一个发光结构210和一个晶体管230的半导体器件,但是根据实施例的半导体器件可以包括多个发光结构和多个晶体管。 当提供多个晶体管时,根据电路设计,多个晶体管可以并联或串联提供。 因此,可以增加电路设计的自由度,并且可以根据需要有效地控制从多个发光结构发出的光的程度。 此外,根据实施例的半导体器件可以包括多个发光结构,并且多个发光结构可以发射不同波段的光。 因此,根据本实施方式的半导体装置,通过控制多个晶体管,能够选择性且独立地控制波段不同的多个发光结构体的发光。 [0175] 根据有源层的选择,上述半导体器件可以被实施为发射各种波段的光。 例如,构成一个颜色像素的显示面板或显示装置可以使用上述蓝色半导体元件、绿色半导体元件和红色半导体元件来实现。 根据实施例的半导体器件可以应用于需要光源的各种领域。 根据该实施例的半导体器件可以被应用为通过应用于例如电子显示板、大型显示装置和标牌来实现高分辨率的光源。 此外,根据实施例的半导体装置可以应用于通信装置。 作为示例,根据实施例的半导体器件可以应用于使用光来传输数据的可见光通信(VLC)或光WiFi(LiFi)。 [0176] 然后,将参考图17至24依次描述图16所示的半导体器件的制造方法。 图17至24是说明根据本发明实施例的制造半导体器件的方法的图。 在图17~图24中,各图的(a)表示俯视图,各图的(b)表示俯视图的C-C线剖视图。 [0177] 根据实施例的半导体器件制造方法,如图17所示,发光结构210可以形成在衬底205上。 例如,可以通过在衬底205上生长来形成发光结构210。 发光结构210可以包括第一导电类型半导体层211、有源层212和第二导电类型半导体层213。 [0178] 例如,第一导电类型半导体层211由添加n型掺杂剂作为第一导电类型掺杂剂的n型半导体层形成,第二导电类型半导体层213是第二导电类型-型掺杂剂它可以由添加有p型掺杂剂的p型半导体层形成。 或者,第一导电类型半导体层211可以由p型半导体层形成,第二导电类型半导体层213可以由n型半导体层形成。 在下文中,作为示例,将描述第一导电类型半导体层211被设置为n型半导体层并且第二导电类型半导体层213被设置为p型半导体层的情况。 [0179] 在发光结构210中,产生的光的波段可以根据构成有源层212的材料而改变。 构成第一导电型半导体层211和第二导电型半导体层213的材料的选择可以根据构成有源层212的材料而改变。 发光结构210可以实现为化合物半导体。 发光结构210可以实现为例如II-VI族化合物半导体或III-V族化合物半导体。 例如,发光结构210包括选自包括铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)、磷(P)、砷(As)和氮(N)的组中的至少两种元素。可以实施包括。 [0180] 在有源层212中,通过第一导电型半导体层211注入的电子(或空穴)与通过第二导电型半导体层213注入的空穴(或电子)相遇,从而发射出根据有源层212的形成材料,通过能带的带隙差异来发射光。 有源层212可以形成为单阱结构、多孔结构、量子点结构或量子线结构中的任一种。 有源层212可以实现为化合物半导体。 有源层212可以实现为例如II-VI族或III-V族化合物半导体。 [0181] 当活性层212产生蓝色波段或绿色波段的光时,活性层212例如是In _x 阿尔 _y 镓 _{1 -x- y} 它可以实现为具有N(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。 当有源层212实现为多孔结构时,可以通过堆叠多个阱层和多个势垒层来实现有源层212。 另外,当活性层212产生红色波段的光时,活性层212例如为(Al _x 镓 _{1 -x} ) _y 在 _{1 - y} 它可以实现为具有P(0≤x≤1,0≤y≤1)的组成式的半导体材料。 有源层212可以选自例如AlGaInP、AlInP、GaP、GaInP等。 [0182] 第一导电型半导体层211可以包括例如n型半导体层。 第一导电类型半导体层211可以实现为化合物半导体。 第一导电类型半导体层211可以实现为例如II-VI族化合物半导体或III-V族化合物半导体。 例如,当有源层212产生蓝色波段或绿色波段的光时,第一电性半导体层211为In _x 阿尔 _y 镓 _{1 -x-y} 它可以实现为具有N(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。 另外,当有源层212产生红色波段的光时,第一导电类型半导体层211为(Al _x 镓 _{1 -x} ) _y 在 _{1 - y} 它可以实现为具有P(0≤x≤1,0≤y≤1)的组成式的半导体材料。 在第一导电类型半导体层211的组成式中,y可以具有0.5的值并且x可以具有0.5至0.8的值。 第一导电类型半导体层211可以选自包括例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInP、AlInP、GaInP等的组.它可以掺杂有诸如Si、Ge、Sn、Se或Te的n型掺杂剂。 [0183] 第二导电类型半导体层213可以实施为化合物半导体。 第二导电类型半导体层213可以实现为例如II-VI族化合物半导体或III-V族化合物半导体。 例如,当有源层212产生蓝色波段或绿色波段的光时,第二导电类型半导体层213,例如In _x 阿尔 _y 镓 _1-x-y 它可以实现为具有N(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。 另外,当有源层212产生红色波段的光时,第二导电类型半导体层213为(Al _x 镓 _{1 -x} ) _y 在 _{1 - y}它可以实现为具有P(0≤x≤1,0≤y≤1)的组成式的半导体材料。 第二导电半导体层213可以选自包括例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInP、AlInP、GaInP等的组。可以掺杂有诸如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba的p型掺杂剂。 [0184] 例如,衬底205可以是可以在其上生长发光结构210的生长衬底。 例如,可以在基板205的上表面设置凹凸结构。 设置在衬底205上的凹凸结构可以减少发光结构210生长过程中的缺陷并提高晶体质量,并且可以通过反射从有源层212发出的光来提高发光效率。 基板205例如为蓝宝石基板(Al ₂ 欧 ₃ )、SiC、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Ge等。 [0185] 此外,第二电极222可以形成在发光结构210上。 第二电极222可以设置在第二导电类型半导体层213上。 第二电极222可以设置在第二导电类型半导体层213的上表面的部分区域上。 [0186] 例如,第二电极222可以包括与第二导电类型半导体层213欧姆接触的材料。 第二电极222可以包括例如透明导电氧化物。 例如,第二电极222可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铝锌(AZO)、氧化铝镓锌(AGZO)、氧化铟锌锡(IZTO)和氧化铟锌(IAZO). 氧化铝锌), IGZO(氧化铟镓锌), IGTO(氧化铟镓锡), ATO(氧化锑锡), GZO(氧化锌镓), IZON(IZO氮化物), ZnO, IrOx, RuOx 、NiO、Pt、Ag,并且可以包括选自Ti的至少一种材料。 [0187] 随后,如图18所示,通过对发光结构210的蚀刻工艺,可以暴露第一导电类型半导体层211的部分上表面。 通过刻蚀部分第二导电型半导体层213和部分有源层212,可以部分暴露第一导电型半导体层211的部分上表面。 此时。 还可以刻蚀第一导电型半导体层211的部分区域,第一导电型半导体层211可以根据区域设置为具有不同厚度的阶梯结构。 [0188] 并且,如图19所示,可以在发光结构210上形成第一绝缘层241。 第一绝缘层241可以设置在第二导电半导体层213上。 第一绝缘层241可以设置在第二电极222上。 第一绝缘层241可以包括第一接触孔251和第二接触孔252。 第二电极222可以通过第一接触孔251暴露。 第一导电类型半导体层211可以通过第二接触孔252暴露。 [0189] 例如,第一绝缘层241可以包括绝缘材料。 例如,第一绝缘层241可以包括氧化物或氮化物。 第一绝缘层241可以包括硅基氧化物或硅基氮化物。 第一绝缘层241可以包括金属氧化物。 第一绝缘层241例如为SiO ₂ , 氮化硅 _x , 铝 ₂ 欧 ₃ 可以选择至少一种材料。 第一绝缘层241为TiO ₂ 它可能含有含金属氧化物。 [0190] 第一绝缘层241可以设置为具有不同折射率的多个层。 例如,在第一绝缘层241中,具有第一折射率的第一层和具有不同于第一折射率的第二折射率的第二层可以成对堆叠,并且可以顺序堆叠多对。分层。 因此,第一绝缘层241可以设置为DBR(分布式布拉格反射器)层,并且可以反射从发光结构210入射的光。 作为示例,第一绝缘层241为SiO ₂ 层和二氧化钛 ₂ 层可以形成一对并且可以堆叠和提供多对。 [0191] 并且,如图20所示,可以在第一绝缘层241上形成半导体层231。 半导体层231可以设置在第一绝缘层241的上表面的部分区域上。 例如,半导体层231可以设置在第一绝缘层241上在垂直方向上与第二电极222重叠。 [0192] 半导体层231可以由例如与形成发光结构210的材料不同的材料形成。 例如,半导体层231可以选自包括非晶硅、多晶硅、单晶硅和氧化物半导体的组。 构成半导体层231的材料可以选自可以在比发光结构210的形成温度低的温度下形成的材料。 因此,即使在形成发光结构210之后形成半导体层231,也不影响发光结构210的物理性质并且防止发光结构210的光提取效率降低。能够做到。 氧化物半导体可以选自包括例如氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟镓(IGO)和氧化铟锌(IZO)的组。 [0193] 接下来,如图21所示,可以在发光结构210的上表面和侧表面上形成第二绝缘层243。 第二绝缘层243可以包括第三接触孔253、第四接触孔254、第五接触孔255和第六接触孔256。 第三接触孔253可以暴露第二电极222的部分区域。 第一导电类型半导体层211的部分区域可以被第四接触孔254暴露。 半导体层231的第一区域可以被第五接触孔255暴露。 半导体层231的第二区域可以被第六接触孔256暴露。 第二绝缘层243可以设置在第二电极222上。 第二绝缘层243可以设置在半导体层231上。 第二绝缘层243可以设置在第一绝缘层241上。 [0194] 例如,第二绝缘层243可以包括绝缘材料。 第二绝缘层243可以包括氧化物、氮化物或有机材料。 第二绝缘层243例如为SiO ₂ , 氮化硅 _x , 铝 ₂ 欧 ₃ 可以选择至少一种材料。 [0195] 并且,如图22所示,可以在第二绝缘层243上形成栅电极233。 栅电极233可以形成在半导体层231上。 例如,可以通过使用栅电极233作为掩模的注入工艺将杂质添加到半导体层231。 因此,在半导体层231中,与源电极232电连接的第一区域和与漏电极234电连接的第二区域可以形成为高浓度杂质区域。 [0196] 随后,如图22所示,可以在第二绝缘层243上形成源电极232、漏电极234和第一电极221。 源电极232可以通过第五接触孔255电连接到半导体层231的第一区域。 漏电极234可以通过第六接触孔256电连接到半导体层231的第二区域并且可以通过第三接触孔253电连接到第二电极222。可以电连接到 半导体层231的第二区域和第二电极222可以通过漏电极234电连接。 [0197] 源电极232可以电连接到半导体层231的第一区域。 源电极232可以设置在半导体层231的第一区域上。 漏电极234可以电连接到半导体层231的第二区域。 漏电极234可以设置在半导体层231的第二区域上。 [0198] 栅电极233可以设置在半导体层231的第一区域和第二区域之间。 栅电极233可以设置在半导体层231的第一区域和第二区域之间。 例如,与设置在栅电极233下方的半导体层231的第三区域相比,半导体层231的第一区域和第二区域可以包含相对高浓度的杂质。 栅电极233可以与半导体层231间隔开。 栅电极233的下表面可以与半导体层231的上表面间隔开。 第二绝缘层243可以设置在栅电极233和半导体层231之间。 例如,栅电极233和半导体层231可以彼此间隔开第二绝缘层243的厚度。 [0199] 根据实施例,可以根据施加到栅电极233的电压的大小来控制从源电极232流到漏电极234的电流。 也就是说,当超过晶体管230的阈值电压的电压被施加到栅电极233时,电流可以从源电极232流到漏电极234。 [0200] 同时,根据实施例的半导体器件可以包括第一电极221和第二电极222,如图22所示。 第一电极221和第二电极222可以电连接到发光结构210。 第一电极221可以电连接到第一导电类型半导体层211。 例如,第一电极221可以设置在第一导电类型半导体层211上。 第一电极221可以与有源层212的侧表面间隔开。 第二电极222可以电连接到第二导电类型半导体层213。 例如,第二电极222可以设置在第二导电类型半导体层213上。 第二电极222可以设置在有源层212上。 发光结构210可以由施加到第一电极221和第二电极222的电力驱动。 可以通过施加在第一电极221和第二电极222之间的电力在发光结构210的有源层212中产生光。 [0201] 例如,第一电极221可以包括与第一导电类型半导体层211欧姆接触的区域。 第一电极221为单一材料,包括选自Cr、Ni、Ti、Ge、Zn、Mg、Ca、Al、Ag、Rh、W、Pt、Au、AuGe、AuGe/Ni/Au中的至少一种,以及喜欢。它可能包含层或多个层。 例如,源电极232、栅电极233和漏电极234可以由与第一电极221相同的材料形成。 此外,源电极232、栅电极233和漏电极234可以由与第一电极221的材料不同的材料形成。 [0202] 接下来,如图23所示,可以在第二绝缘层243上形成第三绝缘层245。 第三绝缘层245可以设置在发光结构210上。 第三绝缘层245可以设置在晶体管230上。 第三绝缘层245可以包括第七接触孔257、第八接触孔258和第九接触孔259。 第一电极221的部分区域可以被第七接触孔257暴露。 第八接触孔258可以暴露源电极232的部分区域。 栅电极233的部分区域可以被第九接触孔259暴露。 [0203] 例如,第三绝缘层245可以包括绝缘材料。 第三绝缘层245可以包括氧化物、氮化物或有机材料。 第三绝缘层245例如为SiO ₂ , 氮化硅 _x , 铝 ₂ 欧 ₃ 可以选择至少一种材料。 [0204] 随后,如图24所示,可以在第三绝缘层245上形成第一接合焊盘271、第二接合焊盘273和第三接合焊盘275。 第一接合焊盘271可以电连接到第一电极221。 例如,第一结合焊盘271可以通过设置在第三绝缘层245中的第七接触孔257接触第一电极221的上表面。 第二接合焊盘273可以电连接到源电极232。 例如,第二接合焊盘273可以通过设置在第三绝缘层245中的第八接触孔258接触源电极232的上表面。 第三接合焊盘275可以电连接到栅电极233。 例如,第三结合焊盘275可以通过设置在第三绝缘层245中的第九接触孔259接触栅电极233的上表面。 [0205] 同时,根据该实施例的半导体器件可以通过例如倒装芯片接合方法从外部接收电力。 图24示出了第一焊盘271、第二焊盘273和第三焊盘275设置在向上的方向,但是当应用倒装芯片焊法时,上下结构倒置,第一焊盘271 、第二接合焊盘273和第三接合焊盘275可以设置在下面。 因此,衬底205可以设置在其上。 例如,第一焊盘271、第二焊盘273和第三焊盘275为Cr、Ni、Ti、Ge、Zn、Mg、Ca、Al、Ag、Rh,可以包括单层或多层层包括选自W、Pt、Au、AuGe、AuGe/Ni/Au、In、InAg、AuIn等中的至少一种。 [0206] 这样,当根据实施例的半导体器件通过倒装芯片接合方法电连接到电路板时,可以通过第一接合焊盘271向第一电极221供电。 此外,可以通过第二焊盘273向源电极232供电。 此外,可以通过第三焊盘275向栅电极233供电。 因此,当通过第三焊盘275施加高于晶体管230的阈值电压的电压时,电流从源电极232流向漏电极234。 然后,电源可以通过漏极234施加到第二电极222。 此外,可通过施加于第一电极221与第二电极222之间的电力在发光结构210中产生光。 [0207]根据上述实施例的半导体器件制造方法是一个示例,本领域技术人员可以理解各种修改和应用是可能的。 [0208] 同时,图25是图示根据本发明实施例的半导体器件的另一示例的示图。 在参考图25描述根据示例性实施例的半导体器件时,可以省略与参考图1至图24描述的内容重复的内容的描述。 [0209] 如图25所示,根据实施例的半导体器件可以包括发光结构310和晶体管330。 例如,晶体管330可以设置在发光结构310上。 晶体管330可以电连接到发光结构310。 根据实施例的半导体器件,可以通过控制晶体管330的驱动来控制发光结构310的发光。 例如,晶体管330可以具有底栅晶体管结构。 [0210] 发光结构310可以包括第一导电类型半导体层311、有源层312和第二导电类型半导体层313。 有源层312可以设置在第一导电类型半导体层311和第二导电类型半导体层313之间。 例如,有源层312可以设置在第一电性半导体层311上,第二电性半导体层313可以设置在有源层312上。 [0211] 例如,第一导电类型半导体层311由添加n型掺杂剂作为第一导电类型掺杂剂的n型半导体层形成,第二导电类型半导体层313是第二导电类型-型掺杂剂它可以由添加有p型掺杂剂的p型半导体层形成。 或者,第一导电类型半导体层311可以由p型半导体层形成,第二导电类型半导体层313可以由n型半导体层形成。 在下文中,作为示例,将描述第一导电类型半导体层311被设置为n型半导体层并且第二导电类型半导体层313被设置为p型半导体层的情况。 [0212] 在发光结构310中,产生的光的波段可以根据构成有源层312的材料而改变。 构成第一导电型半导体层311和第二导电型半导体层313的材料的选择可以根据构成有源层312的材料而改变。 发光结构310可以实现为化合物半导体。 发光结构310可以实现为例如II-VI族化合物半导体或III-V族化合物半导体。 例如,发光结构310包括选自包括铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)、磷(P)、砷(As)和氮(N)的组中的至少两种元素。可以实施包括。 [0213] 在有源层312中,通过第一导电型半导体层311注入的电子(或空穴)与通过第二导电型半导体层313注入的空穴(或电子)相遇,从而发射出根据有源层312的形成材料,通过能带的带隙差异来发射光。 有源层312可以形成为单阱结构、多孔结构、量子点结构或量子线结构中的任一种。 有源层312可以实现为化合物半导体。 有源层312可以实现为例如II-VI族或III-V族化合物半导体。 [0214] 当活性层312产生蓝色波段或绿色波段的光时,活性层312例如是In _x 阿尔 _y 镓 _{1 -x- y} 它可以实现为具有N(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。 当有源层312实现为多孔结构时,可以通过堆叠多个阱层和多个势垒层来实现有源层312。 另外,当活性层312产生红色波段的光时,活性层312例如为(Al _x 镓 _{1 -x} ) _y 在 _{1 - y} 它可以实现为具有P(0≤x≤1,0≤y≤1)的组成式的半导体材料。 有源层312可以选自例如AlGaInP、AlInP、GaP、GaInP等。 [0215] 第一导电型半导体层311可以包括例如n型半导体层。 第一导电类型半导体层311可以实现为化合物半导体。 第一导电类型半导体层311可以实现为例如II-VI族化合物半导体或III-V族化合物半导体。 例如,当有源层312产生蓝色波段或绿色波段的光时,第一电性半导体层311为In _x 阿尔 _y 镓 _{1 -x-y} 它可以实现为具有N(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。 另外,当有源层312产生红色波段的光时,第一导电类型半导体层311为(Al _x 镓 _{1 -x} ) _y 在 _{1 - y} 它可以实现为具有P(0≤x≤1,0≤y≤1)的组成式的半导体材料。 在第一导电型半导体层311的组成式中,y可以具有0.5的值并且x可以具有0.5至0.8的值。 第一导电半导体层311可以选自包括例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInP、AlInP、GaInP等的组。可以掺杂有诸如Si、Ge、Sn、Se或Te的n型掺杂剂。 [0216] 第二导电类型半导体层313可以实现为化合物半导体。 第二导电类型半导体层313可以实现为例如II-VI族化合物半导体或III-V族化合物半导体。 例如,当有源层312产生蓝色波段或绿色波段的光时,第二导电类型半导体层313,例如In _x 阿尔 _y 镓 _1-x-y 它可以实现为具有N(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。 另外,当有源层312产生红色波段的光时,第二导电类型半导体层313为(Al _x 镓 _{1 -x} ) _y 在 _{1 - y} 它可以实现为具有P(0≤x≤1,0≤y≤1)的组成式的半导体材料。 第二导电半导体层313可以选自包括例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInP、AlInP、GaInP等的组。可以掺杂有诸如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba的p型掺杂剂。 [0217] 晶体管330可以包括半导体层331、源电极332、栅电极333和漏电极334。 晶体管330可以设置在发光结构310上。 晶体管330可以设置在第二导电半导体层313上。 当从半导体器件的上方向看时,晶体管330的面积可以小于第二导电类型半导体层313的面积。 晶体管330可以设置在有源层312上。 当从半导体器件的上方向看时,晶体管330的面积可以小于有源层312的面积。 [0218]半导体层331可以由例如与形成发光结构310的材料不同的材料形成。 例如,半导体层331可以选自非晶硅、多晶硅、单晶硅、氧化物半导体等。 构成半导体层331的材料可以选自可以在比发光结构310的形成温度低的温度下形成的材料。 因此,即使在形成发光结构310之后形成半导体层331,也不影响发光结构310的物理性质并且防止发光结构310的光提取效率降低。做吧。 氧化物半导体可以选自包括例如氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟镓(IGO)和氧化铟锌(IZO)的组。 [0219] 源电极332可以电连接到半导体层331的第一区域。 源电极332可以设置在半导体层331的第一区域上。 漏电极334可以电连接到半导体层331的第二区域。 漏电极334可以设置在半导体层331的第二区域上。 [0220] 栅电极333可以设置在半导体层331的第一区域和第二区域之间。 栅电极333可以设置在半导体层331的第一区域和第二区域之间的下方。 例如,与设置在栅电极333上的半导体层331的第三区域相比,半导体层331的第一区域和第二区域可以包含相对高浓度的杂质。 栅电极333可以与半导体层331间隔开。 栅电极333的上表面可以与半导体层331的下表面间隔开。 第二绝缘层343可以设置在栅电极333和半导体层331之间。 例如,栅电极333和半导体层331可以彼此间隔开第二绝缘层343的厚度。 [0221] 根据实施例,可以根据施加到栅电极333的电压的大小来控制从源电极332流到漏电极334的电流。 也就是说,当超过晶体管30的阈值电压的电压被施加到栅电极333时,电流可以从源电极332流到漏电极334。 [0222] 同时,根据实施例的半导体器件可以包括第一电极321和第二电极322,如图25所示。 第一电极321和第二电极322可以电连接到发光结构310。 第一电极321可以电连接到第一导电半导体层311。 例如,第一电极321可以设置在第一导电类型半导体层311上。 第一电极321可以与有源层312的侧表面间隔开。 第二电极322可以电连接到第二导电类型半导体层313。 例如,第二电极322可以设置在第二导电类型半导体层313上。 第二电极322可以设置在有源层312上。 发光结构310可以由施加到第一电极321和第二电极322的电力驱动。 可以通过施加在第一电极321和第二电极322之间的电力在发光结构310的有源层312中产生光。 [0223] 例如,第一电极321可以包括与第一导电类型半导体层311欧姆接触的区域。 第一电极321为单一材料,包括选自Cr、Ni、Ti、Ge、Zn、Mg、Ca、Al、Ag、Rh、W、Pt、Au、AuGe、AuGe/Ni/Au中的至少一种,以及喜欢。它可能包含层或多个层。 [0224] 例如,第二电极322可以设置有与第二导电类型半导体层313欧姆接触的材料。 第二电极322可以包括例如透明导电氧化物。 例如,第二电极322可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铝锌(AZO)、氧化铝镓锌(AGZO)、氧化铟锌锡(IZTO)或氧化铟铝( IAZO). Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx, NiO ,Pt,它可以包括选自Ag和Ti中的至少一种材料。 [0225] 如图25所示,根据实施例的半导体器件可以包括第一绝缘层341。 第一绝缘层341可以设置在发光结构310上。 第一绝缘层341可以设置在第二导电半导体层313上。 第一绝缘层341可以设置在有源层312上。 第一绝缘层341可以设置在晶体管330下方。 第一绝缘层341可以设置在发光结构310和晶体管330之间。 第一绝缘层341可以设置在第二导电半导体层313和晶体管330之间。 第一绝缘层341的宽度可以小于第二导电半导体层313的宽度。 [0226] 根据实施例,栅电极333可以设置在第一绝缘层341上。 此外,第二绝缘层343可以设置在栅电极333和第二电极322上。 根据实施例,半导体层331可以设置在第二绝缘层343上。 第三绝缘层345可以设置在半导体层331和第二绝缘层343上。 [0227] 根据实施例,第二电极322可以电连接到漏极334。 漏电极334的第一区域可以电连接到半导体层331。 漏电极334的第一区域可以设置在半导体层331上。 漏电极334的第二区域可以电连接到第二电极322。 漏电极334的第二区域可以设置在第二电极322上。 因此,从源电极332到漏电极334的电流可以通过施加到栅电极333的功率来控制,并且第二电极通过漏电极334可以施加功率到322。 根据本实施例,可以通过控制栅电极333来控制施加在第一电极321和第二电极322之间的功率,从而可以控制发光结构310是否发光。 [0228] 第一绝缘层341可以反射从发光结构310提供的光。 第一绝缘层341可以反射从有源层312提供的光。 第一绝缘层341可以接收从有源层312产生的光并将其向下反射。 因此,可以防止在有源层312中产生的光入射到晶体管330而熄灭,并且可以提高半导体器件的光提取效率。 [0229]例如,第一绝缘层341可以包括绝缘材料。 第一绝缘层341可以包括氧化物或氮化物。 第一绝缘层341可以包括硅基氧化物或硅基氮化物。 第一绝缘层341可以包括金属氧化物。 第一绝缘层341例如为SiO ₂ , 氮化硅 _x , 铝 ₂ 欧 ₃ 可以选择至少一种材料。 第一绝缘层341为TiO ₂ 它可能含有含金属氧化物。 [0230] 第一绝缘层341可以设置为具有不同折射率的多个层。 例如,在第一绝缘层341中,具有第一折射率的第一层和具有不同于第一折射率的第二折射率的第二层可以成对堆叠,并且可以顺序堆叠多对。分层。 因此,第一绝缘层341可以设置为DBR(分布式布拉格反射器)层,并且通过反射从发光结构310入射的光,可以防止由发光结构310产生的光在晶体管330中耗散。 作为示例,第一绝缘层341为SiO ₂ 层和二氧化钛 ₂ 层可以形成一对并且可以堆叠和提供多对。 [0231] 如图25所示,根据实施例的半导体器件可以包括第二绝缘层343和第三绝缘层345。 第二绝缘层343可以设置在发光结构310的顶表面和侧表面上。 第二绝缘层343和第三绝缘层345可以设置在第二电极322上。 第三绝缘层345可以设置在半导体层331上。 栅电极333可以设置在第二绝缘层343下方。 例如,源极332可以设置在第三绝缘层345上,源极332的一端穿透第三绝缘层345形成半导体层331。可以电连接到 此外,漏极334可设置于第三绝缘层345上,且漏极334的一端穿透第三绝缘层345而形成半导体层331,并可电性连接。 [0232] 例如,第二绝缘层343和第三绝缘层345可以包括绝缘材料。 第二绝缘层343和第三绝缘层345可以包括氧化物、氮化物或有机材料。 第二绝缘层343与第三绝缘层345例如为SiO ₂ , 氮化硅 _x , 铝 ₂ 欧 ₃ 可以选择至少一种材料。 第二绝缘层343和第三绝缘层345可以由相同的材料制成。 此外,第二绝缘层343和第三绝缘层345可以设置有不同的材料。 [0233] 根据实施例的半导体器件可以包括如图25所示的衬底305。 例如,衬底305可以是可以在其上生长发光结构310的生长衬底。 例如,可以在基板305的上表面设置凹凸结构。 设置在衬底305上的凹凸结构可以减少发光结构310生长过程中的缺陷并提高晶体质量,并且可以通过反射从有源层312发出的光来提高发光效率。 基板305例如为蓝宝石基板(Al ₂ 欧 ₃ )、SiC、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Ge等。 [0234] 如上所述,根据实施例的半导体器件可以通过晶体管330的控制来控制来自发光结构310的光发射。 根据实施例,由于可以通过使用晶体管330的控制来控制发光结构310是否发光,所以可以更精确地控制发光结构310是否发光。时间和排放间隔可以更容易地实施。 [0235] 此外,有源层312的尺寸可以通过将晶体管330设置在发光结构310上而最大化。 如果晶体管330设置在有源层312的一侧,则有源层312的尺寸不可避免地减小了晶体管330的尺寸。 然而,根据实施例,通过将晶体管330设置在有源层312上,可以防止有源层312的面积减小。 由于发光结构310产生的光量受有源层312的面积影响,因此根据实施例,有源层312产生的光量增加,并且总体上提高了光提取效率增加.并提高亮度。 [0236] 同时,尽管图25示出了设置有一个发光结构310和一个晶体管330的半导体器件,但是根据实施例的半导体器件可以包括多个发光结构和多个晶体管。 当提供多个晶体管时,根据电路设计,多个晶体管可以并联或串联提供。 因此,可以增加电路设计的自由度,并且可以根据需要有效地控制从多个发光结构发出的光的程度。 此外,根据实施例的半导体器件可以包括多个发光结构,并且多个发光结构可以发射不同波段的光。 因此,根据本实施方式的半导体装置,通过控制多个晶体管,能够选择性且独立地控制波段不同的多个发光结构体的发光。 [0237] 根据有源层的选择,上述半导体器件可以被实施为发射各种波段的光。 例如,构成一个颜色像素的显示面板或显示装置可以使用上述蓝色半导体元件、绿色半导体元件和红色半导体元件来实现。 根据实施例的半导体器件可以应用于需要光源的各种领域。 根据该实施例的半导体器件可以被应用为通过应用于例如电子显示板、大型显示装置和标牌来实现高分辨率的光源。 此外,根据实施例的半导体装置可以应用于通信装置。 作为示例,根据实施例的半导体器件可以应用于使用光来传输数据的可见光通信(VLC)或光WiFi(LiFi)。 [0238] 接着,参照图26~图33依次说明图25所示的半导体装置的制造方法。 图26至33是图示根据本发明实施例的制造半导体器件的方法的图。 在图26~图33中,各图的(a)表示平面图,各图的(b)表示平面图的D-D线剖视图。 [0239] 根据实施例的半导体器件制造方法,如图26所示,发光结构310可以形成在衬底305上。 例如,可以通过在衬底305上生长来形成发光结构310。 发光结构310可以包括第一导电类型半导体层311、有源层312和第二导电类型半导体层313。 [0240] 例如,第一导电类型半导体层311由添加n型掺杂剂作为第一导电类型掺杂剂的n型半导体层形成,第二导电类型半导体层313是第二导电类型-型掺杂剂它可以形成为添加有p型掺杂剂的p型半导体层。 或者,第一导电类型半导体层311可以由p型半导体层形成,第二导电类型半导体层313可以由n型半导体层形成。 在下文中,作为示例,将描述第一导电类型半导体层311被设置为n型半导体层并且第二导电类型半导体层313被设置为p型半导体层的情况。 [0241] 在发光结构310中,产生的光的波段可以根据构成有源层312的材料而改变。 构成第一导电型半导体层311和第二导电型半导体层313的材料的选择可以根据构成有源层312的材料而改变。 发光结构310可以实现为化合物半导体。 发光结构310可以实现为例如II-VI族化合物半导体或III-V族化合物半导体。 例如,发光结构310包括选自包括铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)、磷(P)、砷(As)和氮(N)的组中的至少两种元素。可以实施包括。 [0242] 在有源层312中,通过第一导电型半导体层311注入的电子(或空穴)与通过第二导电型半导体层313注入的空穴(或电子)相遇,从而发射出根据有源层312的形成材料,通过能带的带隙差异来发射光。 有源层312可以形成为单阱结构、多孔结构、量子点结构或量子线结构中的任一种。 有源层312可以实现为化合物半导体。 有源层312可以实现为例如II-VI族或III-V族化合物半导体。 [0243] 当活性层312产生蓝色波段或绿色波段的光时,活性层312例如是In _x 阿尔 _y 镓 _{1 -x- y} 它可以实现为具有N(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。 当有源层312实现为多孔结构时,可以通过堆叠多个阱层和多个势垒层来实现有源层312。 另外,当活性层312产生红色波段的光时,活性层312例如为(Al _x 镓 _{1 -x} ) _y 在 _{1 - y} 它可以实现为具有P(0≤x≤1,0≤y≤1)的组成式的半导体材料。 有源层312可以选自例如AlGaInP、AlInP、GaP、GaInP等。 [0244] 第一导电型半导体层311可以包括例如n型半导体层。 第一导电类型半导体层311可以实现为化合物半导体。 第一导电类型半导体层311可以实现为例如II-VI族化合物半导体或III-V族化合物半导体。 例如,当有源层312产生蓝色波段或绿色波段的光时,第一电性半导体层311为In _x 阿尔 _y 镓 _{1 -x-y} 它可以实现为具有N(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。 另外,当有源层312产生红色波段的光时,第一导电类型半导体层311为(Al _x 镓 _{1 -x} ) _y 在 _{1 - y} 它可以实现为具有P(0≤x≤1,0≤y≤1)的组成式的半导体材料。 在第一导电型半导体层311的组成式中,y可以具有0.5的值并且x可以具有0.5至0.8的值。 第一导电半导体层311可以选自包括例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInP、AlInP、GaInP等的组。可以掺杂有诸如Si、Ge、Sn、Se或Te的n型掺杂剂。 [0245] 第二导电类型半导体层313可以实现为化合物半导体。 第二导电类型半导体层313可以实现为例如II-VI族化合物半导体或III-V族化合物半导体。 例如,当有源层312产生蓝色波段或绿色波段的光时,第二导电类型半导体层313,例如In _x 阿尔 _y 镓 _1-x-y 它可以实现为具有N(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。 另外,当有源层312产生红色波段的光时,第二导电类型半导体层313为(Al _x 镓 _{1 -x} ) _y 在 _{1 - y} 它可以实现为具有P(0≤x≤1,0≤y≤1)的组成式的半导体材料。 第二导电半导体层313可以选自包括例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInP、AlInP、GaInP等的组。可以掺杂有诸如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba的p型掺杂剂。 [0246] 例如,衬底305可以是可以在其上生长发光结构310的生长衬底。 例如,可以在基板305的上表面设置凹凸结构。 设置在衬底305上的凹凸结构可以减少发光结构310生长过程中的缺陷并提高晶体质量,并且可以通过反射从有源层312发出的光来提高发光效率。 基板305例如为蓝宝石基板(Al ₂ 欧 ₃ )、SiC、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Ge等。 [0247] 此外,可以在发光结构310上形成第一绝缘层341。 第一绝缘层341可以设置在第二导电半导体层313上。 例如,第一绝缘层341可以设置在第二导电类型半导体层313的上部的一侧。 第一绝缘层341可以包括绝缘材料。 例如,第一绝缘层341可以包括氧化物或氮化物。 第一绝缘层341可以包括硅基氧化物或硅基氮化物。 第一绝缘层341可以包括金属氧化物。 第一绝缘层341例如为SiO ₂ , 氮化硅 _x , 铝 ₂ 欧 ₃ 可以选择至少一种材料。 第一绝缘层341为TiO ₂ 它可能含有含金属氧化物。 [0248] 第一绝缘层341可以设置为具有不同折射率的多个层。 例如,在第一绝缘层341中,具有第一折射率的第一层和具有不同于第一折射率的第二折射率的第二层可以成对堆叠,并且可以顺序堆叠多对。分层。 因此,第一绝缘层341可以设置为DBR(分布式布拉格反射器)层,并且可以反射从发光结构310入射的光。 作为示例,第一绝缘层341为SiO ₂ 层和二氧化钛 ₂ 层可以形成一对并且可以堆叠和提供多对。 [0249] 接下来,如图27所示,可以在发光结构310上形成第二电极322。 第二电极322可以设置在第二导电类型半导体层313上。 第二电极322的部分区域可以设置在第一绝缘层341上。 [0250]例如,第二电极322可以设置有与第二导电类型半导体层313欧姆接触的材料。 第二电极322可以包括例如透明导电氧化物。 例如,第二电极322可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铝锌(AZO)、氧化铝镓锌(AGZO)、氧化铟锌锡(IZTO)或氧化铟铝( IAZO). Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx, NiO ,Pt,它可以包括选自Ag和Ti中的至少一种材料。 [0251] 随后,如图28所示,通过对发光结构310的蚀刻工艺,可以暴露第一导电类型半导体层311的部分上表面。 可以通过蚀刻部分第二导电类型半导体层313和部分有源层312来暴露第一导电类型半导体层311的部分上表面。 此时。 还可以刻蚀第一导电型半导体层311的部分区域,第一导电型半导体层311可以根据区域设置为具有不同厚度的阶梯结构。 [0252] 并且,如图29所示,可以在第一绝缘层341上形成栅电极333。 栅电极333可以设置在第一绝缘层341的上表面的部分区域上。 [0253] 随后,如图30所示,可以在栅电极333和第二电极322上形成第二绝缘层343。 第二绝缘层343可以设置在发光结构310上。 第二绝缘层343可以设置在发光结构310的侧表面上。 在这种情况下,可以在设置在栅电极333上的第二绝缘层243中提供第一栅接触孔343a。 栅电极333的部分区域可以通过第一栅极接触孔343a从第二绝缘层343暴露。 [0254] 例如,第二绝缘层343可以包括绝缘材料。 第二绝缘层343可以包括氧化物、氮化物或有机材料。 第二绝缘层343例如为SiO ₂ , 氮化硅 _x , 铝 ₂ 欧 ₃ 可以选择至少一种材料。 [0255] 接下来,如图31所示,可以在第二绝缘层343上形成半导体层331。 半导体层331可以设置在第二绝缘层343的上表面的部分区域上。 半导体层331可以设置在第二绝缘层343上并且与第二电极322间隔开预定距离。 半导体层331可以设置在栅电极333上。 半导体层331可以在垂直方向上与栅电极333的部分区域重叠。 [0256] 半导体层331可以由例如与形成发光结构310的材料不同的材料形成。 例如,半导体层331可以选自非晶硅、多晶硅、单晶硅、氧化物半导体等。 构成半导体层331的材料可以选自可以在比发光结构310的形成温度低的温度下形成的材料。 因此,即使在形成发光结构310之后形成半导体层331,也不影响发光结构310的物理性质并且防止发光结构310的光提取效率降低。能够做到。 氧化物半导体可以选自包括例如氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟镓(IGO)和氧化铟锌(IZO)的组。 [0257] 接下来,如图32所示,可以在发光结构310的顶表面和侧表面上形成第三绝缘层345。 第三绝缘层345可以包括第一接触孔351、第二接触孔352、第三接触孔353和第四接触孔354。 半导体层331的第一区域可以被第一接触孔351暴露。 半导体层331的第二区域可以被第二接触孔352暴露。 第三接触孔353可以暴露第二电极322的部分区域。 第一导电类型半导体层311的部分区域可以被第四接触孔354暴露。 在这种情况下,可以在设置在栅电极333上的第三绝缘层245中提供第二栅接触孔345a。 栅电极333的部分区域可以通过第二栅极接触孔345a从第三绝缘层345暴露。 第三绝缘层345可以设置在第二电极322上。 第三绝缘层345可以设置在半导体层331上。 第三绝缘层345可以设置在第二绝缘层343上。 [0258] 例如,第三绝缘层345可以包括绝缘材料。 第三绝缘层345可以包括氧化物、氮化物或有机材料。 第三绝缘层345例如为SiO ₂ , 氮化硅 _x , 铝 ₂ 欧 ₃ 可以选择至少一种材料。 [0259] 随后,如图33所示,可以在第三绝缘层345上形成源电极332、漏电极334和第一电极321。 源电极332可以通过第一接触孔351电连接到半导体层331的第一区域。 漏电极334可以通过第二接触孔352电连接到半导体层331的第二区域并且通过第三接触孔353电连接到第二电极322。 半导体层331的第二区域和第二电极322可以通过漏电极334电连接。 [0260] 源电极332可以电连接到半导体层331的第一区域。 源电极332可以设置在半导体层331的第一区域上。 源电极332可以设置在第三绝缘层345上。 漏电极334可以电连接到半导体层331的第二区域。 漏电极334可以设置在半导体层331的第二区域上。 漏电极334可以设置在第三绝缘层345上。 [0261] 栅电极333可以设置在半导体层331下方。 栅电极333可以设置在半导体层331的第一区域和第二区域之间的下方。 栅电极333可以与半导体层331间隔开。 栅电极333的上表面可以与半导体层331的下表面间隔开。 第二绝缘层343可以设置在栅电极333和半导体层331之间。 例如,栅电极333和半导体层331可以彼此间隔开第二绝缘层343的厚度。 [0262]根据实施例,可以根据施加到栅电极333的电压的大小来控制从源电极332流到漏电极334的电流。 也就是说,当超过晶体管330的阈值电压的电压被施加到栅电极333时,电流可以从源电极332流到漏电极334。 外部电源可以通过第二栅接触孔345a电连接到栅电极333。 同时,根据实施例,当形成源电极332和漏电极334时,提供通过第二栅接触孔345a电连接到栅电极333的栅焊盘。3可以形成在绝缘层345上方。 [0263] 此外,根据实施例的半导体器件可以包括第一电极321和第二电极322,如图33所示。 第一电极321和第二电极322可以电连接到发光结构310。 第一电极321可以电连接到第一导电半导体层311。 例如,第一电极321可以设置在第一导电类型半导体层311上。 第一电极321可以与有源层312的侧表面间隔开。 第二电极322可以电连接到第二导电类型半导体层313。 例如,第二电极322可以设置在第二导电类型半导体层313上。 第二电极322可以设置在有源层312上。 发光结构310可以由施加到第一电极321和第二电极322的电力驱动。 可以通过施加在第一电极321和第二电极322之间的电力在发光结构310的有源层312中产生光。 [0264] 例如,第一电极321可以包括与第一导电类型半导体层311欧姆接触的区域。 第一电极321为单一材料,包括选自Cr、Ni、Ti、Ge、Zn、Mg、Ca、Al、Ag、Rh、W、Pt、Au、AuGe、AuGe/Ni/Au中的至少一种,以及喜欢。它可能包含层或多个层。 例如,源电极332、栅电极333和漏电极334可以由与第一电极321相同的材料形成。 此外,源电极332、栅电极333和漏电极334可以由与第一电极321的材料不同的材料形成。 [0265] 根据上述实施例的半导体器件制造方法是一个示例,本领域技术人员可以理解各种修改和应用是可能的。 [0266] 同时,图34是示出根据示例性实施例的显示面板的示图,图35是图34所示的半导体器件的等效电路图。 [0267] 如图34所示,根据实施例的显示面板可以包括基板500、第一半导体元件510和第二半导体元件520。 尽管图34和35示出了应用两个半导体元件的情况,但是根据示例性实施例的显示面板可以仅包括一个半导体元件或者可以包括三个或更多个半导体元件。 [0268] 第一半导体器件510可以包括第一发光器件511和第一晶体管513。 第二半导体器件520可以包括第二发光器件521和第二晶体管523。 例如,第一半导体元件510和第二半导体元件520可以是从参考图1至图33描述的半导体元件中选择的任何一个。 第一发光元件511和第二发光元件521可以提供相同波段的光,也可以提供不同波段的光。 基板500可以是电路板。 可以通过基板500向第一发光器件511和第二发光器件512提供控制信号。 [0269] 根据实施例的半导体器件可以包括多个发光结构和多个晶体管。 当提供多个晶体管时,根据电路设计,多个晶体管可以并联或串联提供。 因此,可以增加电路设计的自由度,并且可以根据需要有效地控制从多个发光结构发出的光的程度。 此外,根据实施例的半导体器件可以包括多个发光结构,并且多个发光结构可以发射不同波段的光。 因此,根据本实施方式的半导体装置,通过控制多个晶体管,能够选择性且独立地控制波段不同的多个发光结构体的发光。 例如,根据实施例,可以通过使用上述蓝色半导体元件、绿色半导体元件和红色半导体元件来提供构成一个颜色像素的显示面板。 [0270] 图36是图示根据本发明实施例的显示装置的示图。 [0271] 如图36所示,根据实施例的显示装置可以包括显示面板700,显示面板700包括上述半导体装置和控制器710。 例如,显示面板700可以是参照图34和35描述的显示面板。 控制器710可以控制设置在显示面板700上的半导体器件的发光。 控制单元710控制施加到设置在显示面板700中的发光器件和半导体器件的晶体管的功率,使得显示面板700能够提供期望的图像。 [0272] 同时,根据实施例的半导体装置可以应用于通信装置。 作为示例,根据实施例的半导体器件可以应用于使用光来传输数据的可见光通信(VLC)或光WiFi(LiFi)。 [0273] 根据实施例的通信装置可以包括基板、设置在基板上的半导体装置以及控制半导体装置的控制单元。 根据实施例的半导体器件可以设置在衬底上,并且控制信号可以通过衬底提供给半导体器件。 控制单元可以通过控制和调制半导体器件的光发射来传输数据。 半导体装置可以是选自参考图1至图33描述的半导体装置中的任何一种。 例如,从半导体装置发出的光可以具有可见光带中的波长。 [0274] 在上述实施方式中说明的特征、结构、效果等至少包含在本发明的一实施方式中,并不一定限于一实施方式。 进一步地,各个实施例中所描述的特征、结构、效果等可以由实施例所属领域的普通技术人员相对于其他实施例进行组合或修改。 因此,与这些组合和变化相关的内容应当被解释为包括在本发明的范围内。 [0275] 另外,以上虽然结合实施例进行了说明,但这些仅是示例,并不限制本发明,本发明所属领域的技术人员可以在不脱离本发明的范围内进行举例说明。从本实施方式的主要特征可知,还可以进行未进行的各种变形和应用。 例如,可以对实施例中具体示出的各个部件进行修改和实现。 并且与这些修改和应用相关的差异应当被解释为包括在所附权利要求所限定的本发明的范围内。 代码说明 [0276] 5、105、205、305基板 10、110、210、310发光结构 11、111、211、311第一导电型半导体层 12、112、212、312有源层 13、113、213、313第二导电型半导体层 21、121、221、321第一电极22、122、222、322第二电极 30、230、330 晶体管 31、231、331 半导体层 32、232、332 源电极 33、233、333 栅电极 34、234、334 漏极 41、141、241、341 第一绝缘层 43、143、243、343 第二绝缘层 51、151、251、351 第一接触孔 52, 152, 252, 352 第二接触孔 53, 153, 253, 353 第三接触孔 54, 154, 254, 354 第四接触孔 124 金属层 130 第一晶体管 131 第一半导体层 132 第一源电极 133 第一栅电极 134第一漏极155、255第五接触孔 156, 256 第 6 个接触孔 157, 257 第 7 个接触孔 160 第二晶体管 161 第二半导体层 162 第二源电极 163 第二栅电极 164 第二漏极 245 第三绝缘层 258 第 8 个接触孔 271 第 1 个焊盘 273 第二焊盘 275 第三焊盘 345材质3绝缘层