[0001]本申请要求于2021年10月5日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0131853号韩国专利申请以及于2022年3月17日在韩国知识产权局提交的第10-2022-0033164号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。 技术领域 [0002]本公开涉及一种体声波谐振器滤波器和体声波谐振器封装件。 背景技术 [0003]最近，随着移动通信装置以及化学和生物测试相关装置的快速发展，对在这些装置中使用的小而轻的滤波器、振荡器、谐振元件以及声波谐振质量传感器的需求正在增大。 [0004]诸如体声波(BAW)滤波器的声波谐振器可被配置为实现这种小而轻的滤波器、振荡器、谐振元件和声波谐振质量传感器的装置，并且与介质滤波器、金属腔滤波器和波导相比，可具有相对小的尺寸和相对良好的性能。因此，声波谐振器可广泛用于需要相对良好性能(例如，相对宽的通带宽)的现代移动装置的通信模块中。 发明内容 [0005]提供本发明内容以按照简化的形式介绍所选择的构思，在以下具体实施方式中进一步描述这些构思。本发明内容既不意在明确所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用作帮助确定所要求保护的主题的范围。 [0006]在一个总体方面，一种体声波谐振器滤波器，包括：串联部，包括串联电连接在第一射频端口和第二射频端口之间的至少一个串联声波谐振器；以及多个分流声波谐振器，在所述串联部的第一节点与第一接地端口之间彼此串联电连接，其中，所述多个分流声波谐振器中的每个包括谐振部，所述谐振部包括在第一方向上堆叠的第一电极、压电层和第二电极，所述多个分流声波谐振器中的每个的谐振部的所述第一电极、所述压电层和所述第二电极彼此叠置在叠置区域中，所述多个分流声波谐振器中的每个的所述叠置区域的纵横比等于所述叠置区域在所述叠置区域的最长边的延伸方向上的最长长度与所述叠置区域在垂直于所述延伸方向的方向上的最长长度之间的比率，并且所述多个分流声波谐振器的纵横比包括不同的纵横比。 [0007]所述多个分流声波谐振器的所述不同纵横比之间的差异可使所述多个分流声波谐振器之间的反谐振频率差异减小。 [0008]所述多个分流声波谐振器之间的反谐振频率差异可小于所述多个分流声波谐振器之间的谐振频率差异。 [0009]所述多个分流声波谐振器可通过相应的第一电极或相应的第二电极彼此连接，并且所述多个分流声波谐振器之间的纵横比差异可随着所述多个分流声波谐振器之间的连接长度增大而增大。 [0010]所述多个分流声波谐振器中的最靠近所述第一接地端口电连接的分流声波谐振器的纵横比可低于所述多个分流声波谐振器中的更远离所述第一接地端口电连接的分流声波谐振器的纵横比。 [0011]所述更远离所述第一接地端口电连接的分流声波谐振器的纵横比可以在2.2至2.6的范围。 [0012]所述多个分流声波谐振器中的每个的纵横比可大于1.3且小于等于6.6。 [0013]所述多个分流声波谐振器中的每个的纵横比可大于1.3且小于3.8。 [0014]所述至少一个串联声波谐振器中的每个可包括：谐振部，包括在所述第一方向上堆叠的第一电极、压电层和第二电极，所述至少一个串联声波谐振器中的每个的谐振部的第一电极、压电层和第二电极彼此叠置在叠置区域中，所述至少一个串联声波谐振器中的每个的叠置区域的纵横比可等于叠置区域在叠置区域的最长边的延伸方向上的最长长度与叠置区域在垂直于所述延伸方向的方向上的最长长度之间的比率，并且所述多个分流声波谐振器中的至少一个分流声波谐振器的叠置区域的形状的对称性可高于所述至少一个串联声波谐振器中的至少一个串联声波谐振器的叠置区域的形状的对称性。 [0015]所述多个分流声波谐振器中的所述至少一个分流声波谐振器的纵横比可大于等于4.8且小于等于6.6。 [0016]所述多个分流声波谐振器的叠置区域的形状的对称性可包括不同的对称性，并且所述多个分流声波谐振器中的具有较高对称性的分流声波谐振器的纵横比可高于所述多个分流声波谐振器中的具有较低对称性的分流声波谐振器的纵横比。 [0017]所述具有较高对称性的分流声波谐振器的纵横比可大于等于4.8且小于等于6.6，并且所述具有较低对称性的分流声波谐振器的纵横比可大于1.3且小于3.8。 [0018]所述多个分流声波谐振器可包括彼此串联电连接的第一分流声波谐振器、第二分流声波谐振器和第三分流声波谐振器，所述第一分流声波谐振器和所述第二分流声波谐振器可通过相应的第一电极或相应的第二电极彼此连接，所述第二分流声波谐振器和所述第三分流声波谐振器可通过相应的第一电极或相应的第二电极彼此连接，并且所述第一分流声波谐振器与所述第二分流声波谐振器之间的纵横比差异可不同于所述第二分流声波谐振器与所述第三分流声波谐振器之间的纵横比差异。 [0019]所述多个分流声波谐振器可包括在所述串联部的所述第一节点与所述第一接地端口之间彼此串联电连接的第一分流声波谐振器和第二分流声波谐振器，所述多个分流声波谐振器还可包括在所述串联部的所述第一节点与所述第一接地端口之间彼此串联电连接的第三分流声波谐振器和第四分流声波谐振器，所述第三分流声波谐振器和所述第四分流声波谐振器中的每个可包括：谐振部，包括在所述第一方向上堆叠的第一电极、压电层和第二电极所述第三分流声波谐振器和所述第四分流声波谐振器中的每个的谐振部的第一电极、压电层和第二电极彼此叠置在叠置区域中，所述第三分流声波谐振器和所述第四分流声波谐振器中的每个的叠置区域的纵横比可等于叠置区域在叠置区域的最长边的延伸方向上的最长长度与叠置区域在垂直于所述延伸方向的方向上的最长长度之间的比率，并且彼此串联电连接的所述第一分流声波谐振器和所述第二分流声波谐振器可与彼此串联电连接的所述第三分流声波谐振器和所述第四分流声波谐振器并联电连接。 [0020]所述第一分流声波谐振器和所述第三分流声波谐振器中的一个分流声波谐振器可通过所述一个分流声波谐振器的第一电极电连接到所述第一接地端口，并且所述第一分流声波谐振器和所述第三分流声波谐振器中的另一分流声波谐振器可通过所述另一分流声波谐振器的第二电极电连接到所述第一接地端口。 [0021]所述第三分流声波谐振器和所述第四分流声波谐振器的纵横比可彼此不同，并且所述第一分流声波谐振器与所述第二分流声波谐振器之间的纵横比差异可不同于所述第三分流声波谐振器与所述第四分流声波谐振器之间的纵横比差异。 [0022]所述体声波谐振器滤波器还可包括在所述串联部的第二节点与第二接地端口之间彼此串联电连接的第五分流声波谐振器和第六分流声波谐振器，所述第五分流声波谐振器和所述第六分流声波谐振器中的每个可包括：谐振部，包括在所述第一方向上堆叠的第一电极、压电层和第二电极，所述第五分流声波谐振器和所述第六分流声波谐振器中的每个的谐振部的第一电极、压电层和第二电极彼此叠置在叠置区域中，所述第五分流声波谐振器和所述第六分流声波谐振器中的每个的叠置区域的纵横比可等于叠置区域在叠置区域的最长边的延伸方向上的最长长度与叠置区域在垂直于所述延伸方向的方向上的最长长度之间的比率，所述至少一个串联声波谐振器可包括电连接在所述第一节点与所述第二节点之间的串联声波谐振器，与所述第二分流声波谐振器和所述第四分流声波谐振器相比，所述第一分流声波谐振器和所述第三分流声波谐振器可更靠近所述第一接地端口电连接，与所述第六分流声波谐振器相比，所述第五分流声波谐振器可更靠近所述第二接地端口电连接，所述第一分流声波谐振器和所述第三分流声波谐振器中的每个的叠置区域的尺寸可不同于所述第五分流声波谐振器的叠置区域的尺寸，并且所述第二分流声波谐振器和所述第四分流声波谐振器中的每个的叠置区域的尺寸可不同于所述第六分流声波谐振器的叠置区域的尺寸。 [0023]在另一总体方面，一种体声波谐振器滤波器包括：串联部，包括串联电连接在第一射频端口和第二射频端口之间的至少一个串联声波谐振器；以及分流部，包括电连接在所述串联部与地之间的多个分流声波谐振器，其中，所述多个分流声波谐振器中的每个包括谐振部，所述谐振部包括在第一方向上堆叠的第一电极、压电层和第二电极，所述多个分流声波谐振器中的每个的谐振部的所述第一电极、所述压电层和所述第二电极彼此叠置在叠置区域中，所述多个分流声波谐振器中的每个的所述叠置区域的纵横比等于所述叠置区域在所述叠置区域的最长边的延伸方向上的最长长度与所述叠置区域在垂直于所述延伸方向的方向上的最长长度之间的比率，所述多个分流声波谐振器的第一部分通过第一电极电连接到地，并且所述多个分流声波谐振器的第二部分通过第二电极电连接到地，并且所述多个分流声波谐振器的通过第一电极电连接到地的所述第一部分的纵横比不同于所述多个分流声波谐振器的通过第二电极电连接到地的所述第二部分的纵横比。 [0024]所述多个分流声波谐振器的通过第一电极电连接到地的所述第一部分的纵横比与所述多个分流声波谐振器的通过第二电极电连接到地的所述第二部分的纵横比之间的差异可使所述多个分流声波谐振器之间的反谐振频率差异减小。 [0025]所述多个分流声波谐振器的通过第一电极电连接到地的所述第一部分与所述多个分流声波谐振器的通过第二电极电连接到地的所述第二部分之间的反谐振频率差异可小于所述多个分流声波谐振器的通过第一电极电连接到地的所述第一部分与所述多个分流声波谐振器的通过第二电极电连接到地的所述第二部分之间的谐振频率差异。 [0026]所述至少一个串联声波谐振器的谐振频率可高于所述多个分流声波谐振器中的每个的谐振频率，并且所述多个分流声波谐振器的通过第一电极电连接到地的所述第一部分与所述多个分流声波谐振器的通过第二电极电连接到地的所述第二部分之间的谐振频率差异可小于所述多个分流声波谐振器的谐振频率中的最高谐振频率与所述至少一个串联声波谐振器的谐振频率之间的谐振频率差异。 [0027]所述多个分流声波谐振器的通过第一电极电连接到地的所述第一部分以及所述多个分流声波谐振器的通过第二电极电连接到地的所述第二部分可电连接在所述串联部的第一节点和接地端口之间。 [0028]在另一总体方面，一种体声波谐振器封装件包括：基板；盖，面对所述基板；多个声波谐振器，所述多个声波谐振器中的每个包括形成谐振部的第一电极、压电层和第二电极，所述第一电极、所述压电层和第二电极在从所述基板朝向所述盖延伸的第一方向上堆叠，所述第一电极、所述压电层和第二电极叠置在叠置区域中并且设置在所述基板和所述盖之间；金属层，将所述多个声波谐振器彼此连接；以及接合构件，在垂直于所述第一方向的周向方向上围绕所述多个声波谐振器并且将所述盖接合到所述基板，其中，所述多个声波谐振器中的每个的所述叠置区域的纵横比等于所述叠置区域在所述叠置区域的最长边的延伸方向上的最长长度与所述叠置区域在垂直于所述延伸方向的方向上的最长长度之间的比率，并且所述多个声波谐振器中更靠近所述接合构件设置的声波谐振器的纵横比低于所述多个声波谐振器中更远离所述接合构件设置的其他声波谐振器的纵横比。 [0029]所述多个声波谐振器中的两个声波谐振器之间的纵横比差异可随着将所述两个声波谐振器彼此连接的所述金属层的连接长度增大而增大。 [0030]所述多个声波谐振器中的两个声波谐振器之间的纵横比差异可随着将所述两个声波谐振器彼此连接的所述金属层与所述接合构件之间的间隔距离减小而增大。 [0031]所述多个声波谐振器可包括第一声波谐振器、第二声波谐振器、第三声波谐振器和第四声波谐振器，所述第一声波谐振器和所述第二声波谐振器可通过所述金属层的第一部分彼此连接，所述第三声波谐振器和所述第四声波谐振器可通过所述金属层的第二部分彼此连接，所述金属层的将所述第一声波谐振器和所述第二声波谐振器彼此连接的所述第一部分的连接长度可长于所述金属层的将所述第三声波谐振器和所述第四声波谐振器彼此连接的所述第二部分的连接长度，并且所述第一声波谐振器与所述第二声波谐振器之间的纵横比差异可大于所述第三声波谐振器与所述第四声波谐振器之间的纵横比差异。 [0032]所述多个声波谐振器可包括第一声波谐振器、第二声波谐振器、第三声波谐振器和第四声波谐振器，所述第一声波谐振器和所述第二声波谐振器可通过所述金属层的第一部分彼此连接，所述第三声波谐振器和所述第四声波谐振器可通过所述金属层的第二部分彼此连接，所述金属层的将所述第一声波谐振器和所述第二声波谐振器彼此连接的所述第一部分与所述接合构件之间的间隔距离可短于所述金属层的将所述第三声波谐振器和所述第四声波谐振器彼此连接的所述第二部分与所述接合构件之间的间隔距离，并且所述第一声波谐振器与所述第二声波谐振器之间的纵横比差异可大于所述第三声波谐振器与所述第四声波谐振器之间的纵横比差异。 [0033]所述多个声波谐振器可包括第一声波谐振器、第二声波谐振器、第三声波谐振器和第四声波谐振器，所述第一声波谐振器和所述第二声波谐振器可通过所述金属层的第一部分彼此连接，所述第三声波谐振器和所述第四声波谐振器可通过所述金属层的第二部分彼此连接，所述金属层的将所述第一声波谐振器和所述第二声波谐振器彼此连接的所述第一部分与所述金属层的将所述第三声波谐振器和所述第四声波谐振器彼此连接的所述第二部分可相对于所述基板设置在不同的高度处，并且所述第一声波谐振器和所述第二声波谐振器的纵横比可彼此不同。 [0034]所述多个声波谐振器可包括彼此串联电连接的第一声波谐振器、第二声波谐振器和第三声波谐振器，在所述第一声波谐振器、所述第二声波谐振器和所述第三声波谐振器中，所述第一声波谐振器可最靠近所述接合构件，并且所述第一声波谐振器与所述第二声波谐振器之间的纵横比差异可大于所述第二声波谐振器与所述第三声波谐振器之间的纵横比差异。 [0035]所述体声波谐振器封装件还可包括第一射频端口和第二射频端口，所述多个声波谐振器可通过所述金属层电连接到所述第一射频端口和所述第二射频端口，其中，所述第一射频端口可设置在所述基板的第一侧附近，所述第二射频端口可设置在所述基板的第二侧附近，并且所述多个声波谐振器中的更靠近所述基板的第三侧设置的声波谐振器的纵横比可低于所述多个声波谐振器中的更远离所述基板的所述第三侧设置的其他声波谐振器的纵横比。 [0036]所述体声波谐振器封装件还可包括接地端口，所述多个声波谐振器通过所述金属层电连接到所述接地端口，其中，所述多个声波谐振器中的更靠近所述接地端口电连接声波谐振器的纵横比可低于所述多个声波谐振器中的更远离所述接地端口电连接的其他声波谐振器的纵横比。 [0037]所述接合构件可包括导电环。 [0038]所述体声波谐振器封装件还可包括屏蔽层，所述屏蔽层设置在所述盖的面向所述多个声波谐振器的表面上并且电连接到所述接合构件。 [0039]在另一总体方面，一种体声波谐振器滤波器包括：串联部，包括串联电连接在第一射频端口和第二射频端口之间的至少一个串联声波谐振器；以及多个分流声波谐振器，在所述串联部的节点与接地端口之间彼此电连接，其中，所述多个分流声波谐振器中的每个可包括谐振部，所述谐振部包括在第一方向上堆叠的第一电极、压电层和第二电极，所述多个分流声波谐振器中的每个的谐振部的所述第一电极、所述压电层和所述第二电极彼此叠置在叠置区域中，所述多个分流声波谐振器中的每个的所述叠置区域的纵横比等于所述叠置区域在所述叠置区域的最长边的延伸方向上的最长长度与所述叠置区域在垂直于所述延伸方向的方向上的最长长度之间的比率，所述体声波谐振器滤波器还包括：第一金属层，电连接到所述多个分流声波谐振器的第一电极；以及第二金属层，电连接到所述多个分流声波谐振器的第二电极，所述多个分流声波谐振器包括以反串联连接方式彼此电连接的第一分流声波谐振器和第二分流声波谐振器，其中，所述第二金属层将所述第一分流声波谐振器的第二电极电连接到所述接地端口，并且所述第一金属层将所述第二分流声波谐振器的第一电极电连接到所述第一分流声波谐振器的第一电极，并且所述第二分流声波谐振器的纵横比不同于所述第一分流声波谐振器的纵横比。 [0040]所述第一分流声波谐振器和所述第二分流声波谐振器的纵横比之间的差异可抵消所述第一分流声波谐振器和所述第二分流声波谐振器的寄生阻抗之间的差异。 [0041]所述第二分流声波谐振器的纵横比可高于所述第一分流声波谐振器的纵横比。 [0042]所述第二分流声波谐振器的纵横比可低于所述第一分流声波谐振器的纵横比。 [0043]所述多个分流声波谐振器还可包括以反串联连接方式彼此电连接的第三分流声波谐振器和第四分流声波谐振器，其中，所述第一金属层的一部分将所述第三分流声波谐振器的第一电极电连接到所述第二金属层，并且所述第二金属层将所述第一金属层的所述一部分电连接到所述接地端口，并且所述第二金属层将所述第四分流声波谐振器的第二电极电连接到所述第三分流声波谐振器的第二电极，并且所述第四分流声波谐振器的纵横比可等于或基本等于所述第三分流声波谐振器的纵横比。 [0044]在另一总体方面，一种体声波谐振器滤波器包括：串联部，包括串联电连接在第一射频端口和第二射频端口之间的至少一个串联声波谐振器；以及多个分流声波谐振器，在所述串联部的第一节点与第一接地端口之间彼此并联电连接，其中，所述多个分流声波谐振器中的每个包括谐振部，所述谐振部包括在第一方向上堆叠的第一电极、压电层和第二电极，所述多个分流声波谐振器中的每个的谐振部的所述第一电极、所述压电层和所述第二电极彼此叠置在叠置区域中，所述多个分流声波谐振器中的每个的所述叠置区域的纵横比等于所述叠置区域在所述叠置区域的最长边的延伸方向上的最长长度与所述叠置区域在垂直于所述延伸方向的方向上的最长长度之间的比率，所述体声波谐振器滤波器还可包括：第一金属层，电连接到所述多个分流声波谐振器的第一电极；以及第二金属层，电连接到所述多个分流声波谐振器的第二电极，所述多个分流声波谐振器包括以反并联连接方式彼此电连接的第一分流声波谐振器和第二分流声波谐振器，其中，所述第二金属层将所述第一分流声波谐振器的第二电极电连接到所述第一接地端口，并且所述第一金属层的一部分将所述第二分流声波谐振器的第一电极电连接到所述第二金属层，并且所述第二金属层将所述第一金属层的所述一部分电连接到所述第一接地端口，并且所述第二分流声波谐振器的纵横比不同于所述第一分流声波谐振器的纵横比。 [0045]所述第一分流声波谐振器和所述第二分流声波谐振器的纵横比之间的差异可抵消所述第一分流声波谐振器和所述第二分流声波谐振器的寄生阻抗之间的差异。 [0046]所述第二分流声波谐振器的纵横比可高于所述第一分流声波谐振器的纵横比。 [0047]所述体声波谐振器滤波器还可包括在所述串联部的第二节点与第二接地端口之间彼此串联电连接的第二多个分流声波谐振器，其中，所述第二多个分流声波谐振器中的每个可包括：谐振部，包括在所述第一方向上堆叠的第一电极、压电层和第二电极，所述第二多个分流声波谐振器中的每个的谐振部的第一电极、压电层和第二电极彼此叠置在叠置区域中，所述第二多个分流声波谐振器中的每个的叠置区域的纵横比可等于叠置区域在叠置区域的最长边的延伸方向上的最长长度与叠置区域在垂直于所述延伸方向的方向上的最长长度之间的比率，所述至少一个串联声波谐振器可包括电连接在所述第一节点与所述第二节点之间的串联声波谐振器，所述第一金属层还可电连接到所述第二多个分流声波谐振器的第一电极，所述第二金属层还可电连接到所述第二多个分流声波谐振器的第二电极，所述第二多个分流声波谐振器还可包括以反串联连接方式彼此电连接的第三分流声波谐振器和第四分流声波谐振器，其中，所述第二金属层将所述第三分流声波谐振器的第二电极电连接到所述第二接地端口，并且所述第一金属层将所述第四分流声波谐振器的第一电极电连接到所述第三分流声波谐振器的第一电极，并且所述第四分流声波谐振器的纵横比可等于或基本等于所述第三分流声波谐振器的纵横比。 [0048]根据以下具体实施方式以及附图，其他特征和方面将是易于理解的。 附图说明 [0049]图1A至图1C是示出根据本公开的实施例的体声波谐振器滤波器/封装件的立体图。 [0050]图1D是示出根据本公开的实施例的其中体声波谐振器滤波器/封装件设置在组基板上的结构的立体图。 [0051]图1E是示出根据本公开的实施例的体声波谐振器滤波器的电路图。 [0052]图2A至图2G是示出根据本公开的实施例的体声波谐振器滤波器/封装件的各种变型结构的平面图。 [0053]图3A至图3H是示出根据本公开的实施例的体声波谐振器滤波器的各种变型结构的电路图。 [0054]图4A是示出根据本公开的实施例的体声波谐振器滤波器/封装件的声波谐振器的纵横比的变化的平面图。 [0055]图4B是示出根据图4A的声波谐振器的纵横比的变化的反谐振频率的变化的曲线图。 [0056]图4C是示出随着最靠近地或接合构件连接的分流声波谐振器的纵横比变化，通过图3H的分流声波谐振器的功率的变化的曲线图。 [0057]图4D是示出根据图4C所示的多个分流声波谐振器的功率的变化，通过图3H的多个分流声波谐振器的功率的变化的曲线图。 [0058]图4E是示出根据图4D所示的多个分流声波谐振器的功率的变化，通过图3H的多个分流声波谐振器的信号中的二次谐波的幅度的曲线图。 [0059]图4F是示出在尺寸大于图3H的多个分流声波谐振器的尺寸的多个分流声波谐振器中最靠近地连接的分流声波谐振器的纵横比减小时，通过图3H的多个分流声波谐振器的信号中的二次谐波的幅度的曲线图。 [0060]图4G是示出图3H的体声波谐振器滤波器的带宽的曲线图。 [0061]图5A是示出根据本公开的实施例的体声波谐振器滤波器/封装件的各种类型的声波谐振器的纵横比测量的视图。 [0062]图5B是示出根据本公开的实施例的体声波谐振器滤波器/封装件的声波谐振器的不对称结构和对称结构的视图。 [0063]图5C是示出纵横比可根据依据本公开的实施例的体声波谐振器滤波器/封装件的多个分流声波谐振器之间的连接长度而改变的视图。 [0064]图6A是示出根据本公开的实施例的可包括在体声波谐振器滤波器/封装件中的声波谐振器的具体结构的平面图，图6B是沿着图6A中的线VIB-VIB'截取的截面图，图6C是沿着图6A中的线VIC-VIC'截取的截面图，并且图6D是沿着图6A中的线VID-VID'截取的截面图。 [0065]图6E和图6F是示出根据本公开的实施例的用于电连接体声波谐振器滤波器/封装件的内部空间和外部空间的结构的截面图。 [0066]在整个附图和具体实施方式中，相同的附图标记指示相同的要素。附图可不按照比例绘制，并且为了清楚、说明及便利起见，可夸大附图中的要素的相对尺寸、比例和描绘。 具体实施方式 [0067]提供以下具体实施方式以帮助读者获得对在此描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，在理解本申请的公开内容之后，在此所描述的方法、设备和/或系统的各种改变、修改及等同方案将是易于理解的。例如，在此描述的操作的顺序仅仅是示例，并且不限于在此阐述的顺序，而是除了必须按照特定顺序发生的操作之外，可做出在理解本申请的公开内容之后将是易于理解的改变。此外，为了提高清楚性和简洁性，可省略本领域中已知的特征的描述。 [0068]在此描述的特征可以不同的形式实施，并且将不被解释为局限于在此描述的示例。更确切地说，已经提供在此描述的示例，仅仅为了示出在理解本申请的公开内容之后将是易于理解的实现在此描述的方法、设备和/或系统的许多可行方式中的一些可行方式。 [0069]在整个说明书中，当诸如层、区域或基板的要素被描述为“在”另一要素“上”、“连接到”另一要素或“结合到”另一要素时，该要素可直接“在”另一要素“上”、直接“连接到”另一要素或直接“结合到”另一要素，或者可存在介于它们之间的一个或更多个其他要素。相比之下，当要素被描述为“直接在”另一要素“上”、“直接连接到”另一要素或“直接结合到”另一要素时，不存在介于它们之间的其他要素。 [0070]如在此使用的，术语“和/或”包括相关联的所列项目中的任意一个或者任意两个或更多个的任意组合。 [0071]尽管在此可使用诸如“第一”、“第二”和“第三”的术语来描述各种构件、组件、区域、层或部分，但是这些构件、组件、区域、层或部分将不受这些术语限制。更确切地说，这些术语仅用来将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例的教导的情况下，在此描述的示例中所称的第一构件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分也可被称为第二构件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。 [0072]为了易于描述，在此可使用诸如“上方”、“上面”、“下方”和“下面”的空间相对术语来描述如附图中所示的一个要素与另一要素的关系。这样的空间相对术语意在除了包括附图中描绘的方位之外还包括装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为相对于另一要素在“上方”或“上面”的要素于是将相对于所述另一要素在“下方”或“下面”。因此，术语“上方”根据装置的空间方位包括“上方”和“下方”两种方位。装置还可以其他方式(例如，旋转90度或者处于其他方位)定位，并且将相应地解释在此使用的空间相对术语。 [0073]在此使用的术语仅用于描述各种示例，并且将不用于限制本公开。除非上下文另外清楚指出，否则单数形式也意图包括复数形式。术语“包含”、“包括”和“具有”列举存在所陈述的特征、数量、操作、构件、要素和/或它们的组合，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、数量、操作、构件、要素和/或它们的组合。 [0074]图1A至图1C是示出根据本公开的实施例的体声波谐振器滤波器/封装件的立体图，图1D是示出根据本公开的实施例的其中体声波谐振器滤波器/封装件设置在组基板上的结构的立体图，并且图1E是示出根据本公开的实施例的体声波谐振器滤波器的电路图。 [0075]参照图1A至图1E，根据本公开的实施例的体声波谐振器滤波器50可包括串联部10和分流部20，并且可根据射频(RF)信号的频率在第一射频(RF)端口P1和第二射频(RF)端口P2之间发送或阻挡射频(RF)信号。 [0076]串联部10可包括至少一个串联声波谐振器11、12、13和14，并且分流部20可包括多个分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a和23b。 [0077]设置在至少一个串联声波谐振器11、12、13和14之间、多个分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a和23b之间以及串联部10和分流部20之间的多个节点N1、N2和N3可用具有相对低的电阻率的材料(诸如金(Au)、金-锡(Au-Sn)合金、铜(Cu)、铜-锡(Cu-Sn)合金、铝(Al)或铝合金)实现，但是本公开不限于此。 [0078]至少一个串联声波谐振器11、12、13和14中的每个以及多个分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a和23b中的每个可通过压电效应将RF信号的电能转换为机械能，或者将机械能转换为电能。随着RF信号的频率接近声波谐振器中的每个的谐振频率，多个电极之间的能量传递率增大。随着RF信号的频率接近声波谐振器中的每个的反谐振频率，多个电极之间的能量传递率减小。声波谐振器中的每个的反谐振频率可高于声波谐振器中的每个的谐振频率。 [0079]例如，至少一个串联声波谐振器11、12、13和14中的每个以及多个分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a和23b中的每个可以是薄膜体声波谐振器(FBAR)或固态装配谐振器(SMR)。 [0080]至少一个串联声波谐振器11、12、13和14可串联电连接在第一RF端口P1和第二RF端口P2之间。随着RF信号的频率接近谐振频率，RF信号在第一RF端口P1与第二RF端口P2之间的通过率增大。随着RF信号的频率接近反谐振频率，RF信号在第一RF端口P1与第二RF端口P2之间的通过率减小。 [0081]多个分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a和23b可并联电连接在至少一个串联声波谐振器11、12、13和14与地GND之间。随着RF信号的频率接近谐振频率，RF信号朝向地GND的通过率增大。随着RF信号的频率接近反谐振频率，RF信号朝向地GND的通过率减小。 [0082]RF信号在第一RF端口P1与第二RF端口P2之间的通过率随着RF信号朝向地GND的通过率增大而减小。RF信号在第一RF端口P1与第二RF端口P2之间的通过率随着RF信号朝向地GND的通过率减小而增大。 [0083]例如，随着RF信号的频率接近多个分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a和23b中的每个的谐振频率或接近至少一个串联声波谐振器11、12、13和14中的每个的反谐振频率，RF信号在第一RF端口P1与第二RF端口P2之间的通过率减小。 [0084]由于反谐振频率高于谐振频率，因此根据本公开的实施例的体声波谐振器滤波器50可具有由与多个分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a和23b的谐振频率相对应的最低频率以及与至少一个串联声波谐振器11、12、13和14的反谐振频率相对应的最高频率形成的通带宽。可选地，根据本公开的实施例的体声波谐振器滤波器50可具有由与至少一个串联声波谐振器11、12、13和14的谐振频率相对应的最低频率以及与多个分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a和23b的反谐振频率相对应的最高频率形成的阻带宽。 [0085]通带宽随着多个分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a和23b中的每个的谐振频率与至少一个串联声波谐振器11、12、13和14中的每个的反谐振频率之间的差异增大而增大。阻带宽随着至少一个串联声波谐振器11、12、13和14中的每个的谐振频率与多个分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a和23b中的每个的反谐振频率之间的差异增大而增大。当差异太大时，带宽可能被分割，并且带宽的插入损耗和/或回波损耗可能变大。 [0086]当至少一个串联声波谐振器11、12、13和14中的每个的谐振频率适当地高于多个分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a和23b中的每个的反谐振频率，或者多个分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a和23b中的每个的谐振频率适当地高于至少一个串联声波谐振器11、12、13和14中的每个的反谐振频率时，体声波谐振器滤波器50的带宽可以是宽的并且不被分割，或者体声波谐振器滤波器50的损耗可降低。 [0087]在声波谐振器中，可基于作为声波谐振器的物理特性的K_t²(机电耦合因子)来确定谐振频率与反谐振频率之间的差异，并且可基于声波谐振器的尺寸、厚度和形状来确定K_t²。 [0088]由于体声波谐振器滤波器50的带宽可与带宽的总频率成比例，因此带宽可随着带宽的总频率增大而增大。 [0089]随着带宽的总频率增大，通过体声波谐振器滤波器50的RF信号的波长减小。在通过天线远程发送/接收过程中的发送/接收距离相同的情况下，随着RF信号的波长减小，能量衰减增大。 [0090]例如，随着体声波谐振器滤波器50的带宽的总频率增大，为了远程发送/接收过程的稳定性和/或平稳性，通过体声波谐振器滤波器50的RF信号可能需要更高的功率。 [0091]随着通过体声波谐振器滤波器50的RF信号的功率增大，由多个分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a和23b中的每个以及至少一个串联声波谐振器11、12、13和14中的每个的压电操作产生的热量增大，并且多个分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a和23b中的每个以及至少一个串联声波谐振器11、12、1314中的每个由于热量而损坏的可能性增大。 [0092]随着分流部20中包括的多个分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a和23b的数量(例如，8个)增大，或者多个分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a和23b的数量相对于多个节点N1、N2和N3的数量的比率(例如，8/3)增大，由多个分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a和23b中的每个的压电操作产生的热量减少，并且多个分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a和23b中的每个由于热量而损坏的可能性降低。 [0093]即使当分流部20中包括的分流声波谐振器的数量仅为一个时，也可基于一个分流声波谐振器和一个串联声波谐振器的组合来形成带宽。由于根据本公开的实施例的体声波谐振器滤波器50可包括多个分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a和23b中的至少两个，因此可有效地增大RF信号的频率并有效地增大RF信号的功率。 [0094]另外，由于根据本公开的实施例的体声波谐振器滤波器50可包括多个分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a和23b，因此可进一步获得以下附加优点(例如，改善线性特性和衰减特性)。 [0095]例如，多个分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a和23b中的每个可通过多个分流声波谐振器中的每个的第一电极(例如，设置在压电层的下表面上的电极)连接到相邻的分流声波谐振器的第一电极，或者可通过多个分流声波谐振器中的每个的第二电极(例如，设置在压电层的上表面上的电极)连接到相邻的分流声波谐振器的第二电极。因此，多个分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a和23b中的每个可以以反串联连接方式连接到相邻的分流声波谐振器，并且可通过增大分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a和23b的数量来使用反串联连接结构。 [0096]在串联连接中，分流声波谐振器的第一电极连接到相邻的分流声波谐振器的第二电极，或者分流声波谐振器的第二电极连接到相邻的分流声波谐振器的第一电极。 [0097]在反串联连接中，分流声波谐振器的第一电极连接到相邻的分流声波谐振器的第一电极，或者分流声波谐振器的第二电极连接到相邻的分流声波谐振器的第二电极。 [0098]因此，由于多个分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a和23b可有效地抵消RF信号的偶次谐波，因此可更有效地改善体声波谐振器滤波器50的线性特性(例如，二阶互调失真(IMD2)、1dB压缩点(P1dB)和总谐波失真(THD))，并且体声波谐振器滤波器50可有效地符合RF信号的频率所属的通信标准。 [0099]例如，多个分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a和23b中的一些的谐振频率和/或反谐振频率可与其他分流声波谐振器的谐振频率和/或反谐振频率不同。可通过增大分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a和23b的数量来增大多个分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a和23b的谐振频率和/或反谐振频率的差异。多个分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a和23b之间的反谐振频率差异可以小于多个分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a和23b之间的谐振频率差异。 [0100]因此，多个分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a和23b可优化体声波谐振器滤波器50的带宽的最小频率附近的多个谐振频率的位置和/或多个反谐振频率的位置，可使体声波谐振器滤波器50的衰减特性更尖锐，并且可有效地去除由于声波谐振器的特性而可能在最小频率附近产生的寄生噪声。例如，多个谐振频率和/或多个反谐振频率的组合可在体声波谐振器滤波器50的频率特性中形成传输零极点，以进一步改善体声波谐振器滤波器50的衰减特性。 [0101]由于多个分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a和23b中的每个的设计特性与实际特性之间的差异可能影响体声波谐振器滤波器50的性能(例如，损耗特性、频率限制特性、最大功率特性、发热特性、线性特性、衰减特性或其他特性)，因此随着包括在分流部20中的分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a和23b的数量(例如，8个)增大或者多个分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a和23b的数量与多个节点N1、N2和N3的数量的比率(例如，8/3)增大，减小多个分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a和23b中的每个的设计特性与实际特性之间的差异可能更重要。 [0102]多个分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a和23b中的每个的设计特性与实际特性之间的差异可取决于多个分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a和23b中的每个的寄生阻抗。即使多个分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a和23b中的每个的外围导电结构不电连接到多个分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a和23b，也可能基于多个分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a和23b的外围导电结构之间的电场和/或磁场产生寄生阻抗。 [0103]例如，能够影响寄生阻抗的外围导电结构可以是以下组件中的至少一个：多个分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a和23b、将多个分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a和23b彼此连接的金属层1180和1190、为多个分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a和23b提供地GND的接地端口1320、将基板1110和盖1210彼此接合的接合构件1220以及设置在盖1210上的屏蔽层1230。 [0104]由于各种因素影响寄生阻抗，因此多个分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a和23b的寄生阻抗可彼此不同。例如，彼此串联电连接的多个分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a和23b中的一些可能由于它们相对于地GND如何布置的差异而具有不同的寄生阻抗。 [0105]例如，在多个分流声波谐振器中，第一分流声波谐振器21a、22a和23a与第二分流声波谐振器21b、22b和23b之间的金属层1180和1190可与接地端口1320、接合构件1220以及屏蔽层1230中的至少一个一起形成寄生电容器Cpara。寄生电容器Cpara可以以与第一分流声波谐振器21a、22a和23a并联连接的电容器类似的方式起作用，可以是第一分流声波谐振器21a、22a和23a的寄生阻抗的一部分，并且可基本不影响第二分流声波谐振器21b、22b和23b的寄生阻抗。因此，第一分流声波谐振器21a、22a和23a的寄生阻抗可与第二分流声波谐振器21b、22b和23b的寄生阻抗不同。 [0106]根据本公开的实施例的体声波谐振器滤波器50和体声波谐振器封装件可包括具有不同纵横比的多个分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a和23b(请参照图4A和图5A中的AR)，因此可在不增加与第二分流声波谐振器21b、22b和23b并联的电容器的情况下减小多个分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a和23b之间的总寄生阻抗差异。 [0107]因此，由于可有效地减小多个分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a和23b中的每个的设计特性与实际特性之间的差异，因此根据本公开的实施例的体声波谐振器滤波器50和体声波谐振器封装件可使用多个分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a和23b来有效地改善其性能(例如，损耗特性、频率限制特性、最大功率特性、发热特性、线性特性、衰减特性或其他特性)。另外，由于可以不需要用于减小多个分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a和23b的总寄生阻抗差异的附加电容器，因此根据本公开的实施例的体声波谐振器滤波器50和体声波谐振器封装件可在尺寸相同的情况下具有高性能。 [0108]可基于作为相应的声波谐振器的物理特性的K_t²(机电耦合因子)来确定多个分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a和23b中的每个的谐振频率与反谐振频率之间的差异，并且相应的声波谐振器的K_t²可根据相应的声波谐振器的纵横比而改变。 [0109]例如，第一分流声波谐振器21a、22a和23a中的每个的纵横比可低于第二分流声波谐振器21b、22b和23b中的每个的纵横比，这使得第一分流声波谐振器21a、22a和23a中的每个的谐振频率与反谐振频率之间的差异大于第二分流声波谐振器21b、22b和23b中的每个的谐振频率与反谐振频率之间的差异。将第一分流声波谐振器21a、22a和23a的谐振频率设为等于第二分流声波谐振器21b、22b和23b的谐振频率，第一分流声波谐振器21a、22a和23a中的每个的反谐振频率可高于第二分流声波谐振器21b、22b和23b中的每个的反谐振频率。 [0110]另外，根据多个分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a和23b中的每个的等效电路，在多个分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a和23b中的每个中，可与谐振频率成比例的串联LC等效分量可不同于可与反谐振频率成反比的并联LC等效分量。可用作相对于第一分流声波谐振器21a、22a和23a的并联电容器的寄生电容器Cpara可以是可与第一分流声波谐振器21a、22a和23a的反谐振频率成反比的并联LC等效分量的C等效分量，因此具有寄生电容器Cpara的第一分流声波谐振器21a、22a和23a的反谐振频率可低于没有寄生电容器Cpara的第一分流声波谐振器21a、22a和23a的反谐振频率。 [0111]因此，通过寄生电容器Cpara降低第一分流声波谐振器21a、22a和23a的反谐振频率，以及通过第一分流声波谐振器21a、22a和23a的低纵横比增大第一分流声波谐振器21a、22a和23a的反谐振频率，可起到彼此抵消的作用，使得可有效地减小第一分流声波谐振器21a、22a和23a的反谐振频率与第二分流声波谐振器21b、22b和23b的反谐振频率之间的差异。可有效地改善根据本公开的实施例的体声波谐振器滤波器50和体声波谐振器封装件的性能(例如，损耗特性、频率限制特性、最大功率特性、发热特性、线性特性、衰减特性或其他特性)。 [0112]随着至少一个串联声波谐振器11、12、13和14中的每个的纵横比以及多个分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a和23b中的每个的纵横比增大，至少一个串联声波谐振器11、12、13和14中的每个以及多个分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a和23b中的每个与连接到其的金属层1180和1190中的每个之间的连接宽度可增大。因此，金属层1180和1190中的每个相对于至少一个串联声波谐振器11、12、13和14以及多个分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a和23b的连接电阻减小。随着总连接电阻减小，根据本公开的实施例的体声波谐振器滤波器50和体声波谐振器封装件的能量损耗减小。 [0113]因此，比第二分流声波谐振器21b、22b和23b更靠近地GND电连接的第一分流声波谐振器21a、22a和23a中的每个的纵横比可低于第二分流声波谐振器21b、22b和23b中的每个的纵横比。例如，与第二分流声波谐振器21b、22b和23b中的每个的纵横比相比，第一分流声波谐振器21a、22a和23a中的每个的纵横比可更接近1，并且可相对更接近正多边形。 [0114]寄生电容器Cpara的电容可随着将第一分流声波谐振器21a、22a和23a与第二分流声波谐振器21b、22b和23b彼此连接的金属层1180和1190中的每个的长度增大而增大。因此，第一分流声波谐振器21a、22a和23a与第二分流声波谐振器21b、22b和23b之间的纵横比差异可随着多个分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a和23b之间的连接长度增大而增大。 [0115]参照图1A至图1C，根据本公开的实施例的体声波谐振器封装件可包括基板1110、盖1210、多个声波谐振器11、12、13、14、21a、21b、22a、22b、23a和23b、金属层1180和1190以及接合构件1220，并且还可包括第一RF端口P1、第二RF端口P2、接地端口1320、膜层1150和屏蔽层1230。 [0116]基板1110可具有形成在多个声波谐振器11、12、13、14、21a、21b、22a、22b、23a和23b下方的腔。当体声波谐振器是固态装配谐振器(SMR)时，体声波谐振器可具有代替腔的其中具有不同声阻抗的异质层交替堆叠的堆叠结构。 [0117]膜层1150可设置在腔或堆叠结构与多个声波谐振器11、12、13、14、21a、21b、22a、22b、23a和23b之间，并且可用作基板1110的实质上的上表面。 [0118]盖1210可容纳多个声波谐振器11、12、13、14、21a、21b、22a、22b、23a和23b，以保护多个声波谐振器11、12、13、14、21a、21b、22a、22b、23a和23b免受外部环境的影响。盖1210可形成为具有其中容纳多个声波谐振器11、12、13、14、21a、21b、22a、22b、23a和23b的内部空间的覆盖部。例如，盖1210可具有如下形状：与盖1210的面向基板1110的下表面的边缘相邻的部分与下表面的中央部分相比更朝向基板1110突出。例如，盖1210的垂直截面可具有U形。 [0119]多个声波谐振器11、12、13、14、21a、21b、22a、22b、23a和23b中的每个可包括在基板1110和盖1210彼此面对的第一方向(例如，Z方向)上堆叠的第一电极、压电层和第二电极，并且可容纳在基板1110和盖1210之间。 [0120]金属层1180和1190可连接多个声波谐振器11、12、13、14、21a、21b、22a、22b、23a和23b。金属层1180可连接到多个声波谐振器11、12、13、14、21a、21b、22a、22b、23a和23b的第一电极(例如，设置在压电层的下表面上的电极)，并且金属层1190可连接到多个声波谐振器11、12、13、14、21a、21b、22a、22b、23a和23b的第二电极(例如，设置在压电层的上表面上的电极)。因此，金属层1180和金属层1190可相对于基板设置在不同的高度处，并且由于金属层1180引起的寄生阻抗和由于金属层1190引起的寄生阻抗可彼此不同。 [0121]接合构件1220可在垂直于第一方向(例如，Z方向)的周向方向上围绕多个声波谐振器11、12、13、14、21a、21b、22a、22b、23a和23b，并且可在基板1110和盖1210之间接合到盖1210。例如，接合构件1220可具有共晶接合结构，因此可包括导电环。接合构件1220不限于共晶接合结构，并且还可实现为阳极接合结构或非导电材料的熔融接合结构。 [0122]金属层1180和1190与接合构件1220可形成寄生电容器Cpara，并且寄生电容器Cpara可仅影响多个声波谐振器11、12、13、14、21a、21b、22a、22b、23a和23b的一部分，或者可不同地影响多个声波谐振器11、12、13、14、21a、21b、22a、22b、23a和23b。因此，由于基于金属层1180和1190以及接合构件1220的寄生电容器Cpara，多个声波谐振器11、12、13、14、21a、21b、22a、22b、23a和23b之间的总寄生阻抗差异可能增大。 [0123]在根据本公开的实施例的体声波谐振器封装件中，多个声波谐振器11、12、13、14、21a、21b、22a、22b、23a和23b中的至少两个可相对于彼此具有不同的纵横比。因此，可减小多个声波谐振器11、12、13、14、21a、21b、22a、22b、23a和23b之间的总寄生阻抗差异，并且可有效地减小多个声波谐振器11、12、13、14、21a、21b、22a、22b、23a和23b中的每个的设计特性与实际特性之间的差异。 [0124]基于金属层1180和1190以及接合构件1220的寄生电容器Cpara可随着金属层1180和1190的长度增大而增大，或者随着金属层1180和1190设置得更靠近接合构件1220而增大。例如，寄生电容器Cpara可随着将多个声波谐振器11、12、13、14、21a、21b、22a、22b、23a和23b彼此连接的金属层1180和1190的连接长度增大而增大，或者随着金属层1180和1190与接合构件1220之间的间隔距离减小而增大。 [0125]为了减小多个声波谐振器11、12、13、14、21a、21b、22a、22b、23a和23b之间的寄生阻抗差异，多个声波谐振器11、12、13、14、21a、21b、22a、22b、23a和23b之间的纵横比差异可随着将多个声波谐振器11、12、13、14、21a、21b、22a、22b、23a彼此连接的金属层1180和1190的连接长度增大而增大，或者随着金属层1180和1190与接合构件1220之间的间隔距离减小而增大。 [0126]例如，第一声波谐振器21a和第二声波谐振器21b可通过金属层1180的第一部分彼此连接，并且第三声波谐振器22a和23a与第四声波谐振器22b和23b可通过金属层1180的第二部分彼此连接。金属层1180的将第一声波谐振器21a与第二声波谐振器21b彼此连接的第一部分的连接长度可长于金属层1180的将第三声波谐振器22a和23a与第四声波谐振器22b和23b彼此连接的第二部分的连接长度。金属层1180的将第一声波谐振器21a与第二声波谐振器21b彼此连接的第一部分与接合构件1220之间的间隔距离可短于金属层1180的将第三声波谐振器22a和23a与第四声波谐振器22b和23b彼此连接的第二部分与接合构件1220之间的间隔距离。第一声波谐振器21a与第二声波谐振器21b之间的纵横比差异可大于第三声波谐振器22a和23a与第四声波谐振器22b和23b之间的纵横比差异。 [0127]随着多个声波谐振器11、12、13、14、21a、21b、22a、22b、23a和23b中的每个的纵横比增大，多个声波谐振器11、12、13、14、21a、21b、22a、22b、23a和23b中的每个与连接到其的金属层1180和1190之间的连接宽度增大。因此，金属层1180和1190中的每个相对于多个声波谐振器11、12、13、14、21a、21b、22a、22b、23a和23b的连接电阻减小。随着总连接电阻减小，根据本公开的实施例的体声波谐振器封装件的能量损耗减小。 [0128]因此，相对远离接合构件1220设置的声波谐振器11、12、13、14、21b、22b和23b中的每个的纵横比可相对较高，并且相对更靠近接合构件1220设置的声波谐振器21a、22a和23a中的每个的纵横比可相对低于声波谐振器11、12、13、14、21b、22b和23b中的每个的纵横比。例如，声波谐振器21a、22a和23a中的每个的纵横比可比声波谐振器11、12、13、14、21b、22b和23b中的每个的纵横比更接近1。 [0129]多个声波谐振器11、12、13、14、21a、21b、22a、22b、23a和23b可电连接在第一RF端口P1和第二RF端口P2之间。第一RF端口P1可设置在基板1110的第一侧表面附近(例如，在远离基板1110的中心的-Y方向上)，并且第二RF端口P2可设置在基板1110的第二侧表面附近(例如，在远离基板1110的中心的+Y方向上)。第一RF端口P1和第二RF端口P2可在体声波谐振器封装件的内部和外部之间提供垂直电连接路径。 [0130]由于第一RF端口P1和第二RF端口P2可设置在基板1110的第一侧表面和第二侧表面附近(例如，在远离基板1110的中心的-Y方向和+Y方向上)，因此接地端口1320可设置在基板1110的第三侧表面附近(例如，在远离基板1110的中心的-X方向上)和/或基板1110的第四侧表面附近(例如，在远离基板1110的中心的+X方向上)。 [0131]接地端口1320可提供地GND，并且基于金属层1180和1190以及接合构件1220的寄生电容器Cpara的电容可取决于接地端口1320的位置。因此，比声波谐振器11、12、13、14、21b、22b和23b更靠近基板1110的第三侧表面和/或第四侧表面设置或者比声波谐振器11、12、13、14、21b、22b和23b更靠近接地端口1320电连接的声波谐振器21a、22a和23a中的每个的纵横比可相对低于声波谐振器11、12、13、14、21b、22b和23b中的每个的纵横比。例如，声波谐振器21a、22a和23a的纵横比可比声波谐振器11、12、13、14、21b、22b和23b中的每个的纵横比更接近1。 [0132]屏蔽层1230可设置在盖1210的面向多个声波谐振器11、12、13、14、21a、21b、22a、22b、23a和23b的表面(例如，下表面)上，并且可电连接到接合构件1220。屏蔽层1230可抑制多个声波谐振器11、12、13、14、21a、21b、22a、22b、23a和23b从体声波谐振器封装件外部接收电磁噪声。因此，可改善体声波谐振器封装件的性能。 [0133]由于屏蔽层1230可在Z方向上与金属层1180和1190叠置，并且可电连接到地GND，因此屏蔽层1230以及金属层1180和1190可用作寄生电容器Cpara的一部分。如上所述，由于多个声波谐振器11、12、13、14、21a、21b、22a、22b、23a和23b中的各个声波谐振器之间由寄生电容器Cpara引起的寄生阻抗差异可由于多个声波谐振器11、12、13、14、21a、21b、22a、22b、23a和23b中的各个声波谐振器之间的纵横比差异而减小。 [0134]参照图1D，根据本公开的实施例的体声波谐振器滤波器50和体声波谐振器封装件可设置(例如，安装或嵌入)在组基板90上。 [0135]例如，组基板90可以是其中多个导电层和多个绝缘层交替堆叠的印刷电路板，并且多个导电层可包括天线传输路径ANT、收发器传输路径SIG和地GND，并且多个过孔VIA可在Z方向上将多个导电层彼此电连接。 [0136]天线传输路径ANT可电连接到图1A至图1C的第一射频端口P1，并且收发器传输路径SIG可电连接到图1A至图1C的第二射频端口P2。当根据本公开的实施例的体声波谐振器滤波器50被配置为对发送的RF信号进行滤波时，通过第二射频端口P2发送的RF信号的功率可大于通过第一射频端口P1发送的RF信号的功率。因此，多个分流声波谐振器中最靠近第二射频端口P2的分流声波谐振器的尺寸可大于多个分流声波谐振器中的其他分流声波谐振器的尺寸，以改善散热特性和/或减少损耗。相反，当体声波谐振器滤波器50被配置为对接收的RF信号进行滤波时，多个分流声波谐振器中最靠近第一射频端口P1的分流声波谐振器的尺寸可大于多个分流声波谐振器中的其他分流声波谐振器的尺寸，以改善散热特性和/或减少损耗。 [0137]图2A至图2G是示出根据本公开的实施例的体声波谐振器滤波器/封装件的各种变型结构的平面图，并且图3A至图3H是示出根据本公开的实施例的体声波谐振器滤波器的各种变型结构的电路图。 [0138]参照图2A和图3A，根据本公开的实施例的体声波谐振器滤波器50a可包括至少一个串联声波谐振器11、12、13和14以及多个分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a、23b、24a和24b，其中，多个分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a、23b、24a和24b中的至少两个的纵横比可彼此不同。 [0139]多个分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a、23b、24a和24b之间的纵横比差异可大于至少一个串联声波谐振器11、12、13和14与多个分流声波谐振器中的分流声波谐振器21b、22b、23b和24b之间的纵横比差异，分流声波谐振器21b、22b、23b和24b具有更接近至少一个串联声波谐振器11、12、13和14的纵横比的纵横比。由于至少一个串联声波谐振器11、12、13和14的纵横比可以是高的，因此金属层1180和1190的将多个串联声波谐振器11、12、13和14彼此连接的部分的宽度可增大，使得其连接电阻可降低。因此，可减少在第一RF端口P1与第二RF端口P2之间传输的RF信号的损耗。 [0140]多个分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23a和23b可电连接在接地端口GND1、GND2和GND3与多个节点N1、N2和N3之间，并且多个分流声波谐振器24a和24b可电连接在接地端口GND4与第一RF端口P1之间。 [0141]金属层1180(图2A中的各个声波谐振器之间的交叉阴影区域)可连接在彼此相邻的多个声波谐振器的第一电极(例如，设置在压电层的下表面上的电极)之间，并且金属层1190(图2A中的各个声波谐振器之间的非交叉阴影区域)可连接在彼此相邻的多个声波谐振器的第二电极(例如，设置在压电层的上表面上的电极)之间。另外，金属层1190可通过接地延伸构件1185连接到接合构件1220，并且接地端口GND3和GND5可通过接地延伸构件1185使接合构件1220接地。 [0142]第一分流声波谐振器(22a的右分流声波谐振器)和第二分流声波谐振器(22b的右分流声波谐振器)可通过第一电极和金属层1180彼此串联电连接，并且第三分流声波谐振器(22a的左分流声波谐振器)和第四分流声波谐振器(22b的左分流声波谐振器)可通过第二电极和金属层1190彼此串联电连接。由于第一和第三分流声波谐振器22a可彼此并联电连接，因此第一分流声波谐振器(22a的右分流声波谐振器)可通过第二电极和金属层1190电连接到接地端口GND2，并且第三分流声波谐振器(22a的左分流声波谐振器)可通过第一电极以及金属层1180和1190电连接到接地端口GND2。 [0143]因此，由于可有效地增大电连接在多个串联声波谐振器11、12、13和14之间的一个节点与接地端口GND2之间的分流声波谐振器的数量，因此第一分流声波谐振器、第二分流声波谐振器、第三分流声波谐振器和第四分流声波谐振器22a和22b可更有效地增大RF信号的频率，可更有效地增大RF信号的功率，并且可更有效地改善根据本公开的实施例的体声波谐振器滤波器50a的线性特性和/或衰减特性。 [0144]与将第三分流声波谐振器(22a的左分流声波谐振器)和第四分流声波谐振器(22b的左分流声波谐振器)彼此连接的金属层1190相比，将第一分流声波谐振器(22a的右分流声波谐振器)和第二分流声波谐振器(22b的右分流声波谐振器)彼此连接的金属层1180可相对于基板1110设置在更低的高度处。因此，第一分流声波谐振器(22a的右分流声波谐振器)的寄生阻抗可不同于第三分流声波谐振器(22a的左分流声波谐振器)的寄生阻抗。 [0145]第一分流声波谐振器(22a的右分流声波谐振器)和第二分流声波谐振器(22b的右分流声波谐振器)可相对于彼此具有不同的纵横比，或者第三分流声波谐振器(22a的左分流声波谐振器)和第四分流声波谐振器(22b的左分流声波谐振器)可相对于彼此具有不同的纵横比。因此，由于可减小第一和第三分流声波谐振器22a与第二和第四分流声波谐振器22b之间的寄生阻抗差异以及第一分流声波谐振器与第三分流声波谐振器之间的寄生阻抗差异中的至少一个，因此可有效地减小第一分流声波谐振器、第二分流声波谐振器、第三分流声波谐振器和第四分流声波谐振器22a和22b之间的总寄生阻抗差异。 [0146]因此，根据本公开的实施例的体声波谐振器滤波器50a可通过增大第一分流声波谐振器、第二分流声波谐振器、第三分流声波谐振器和第四分流声波谐振器22a和22b的数量来有效地减小第一分流声波谐振器、第二分流声波谐振器、第三分流声波谐振器和第四分流声波谐振器22a和22b中的每个的设计特性与实际特性之间的差异，并且根据第一分流声波谐振器、第二分流声波谐振器、第三分流声波谐振器和第四分流声波谐振器22a和22b的数量的增大来提供优点(例如，改善损耗特性、频率限制特性、最大功率特性、发热特性、线性特性、衰减特性或其他特性)，同时可有效地消除缺点(对设计特性和实际特性之间的差异的敏感性)。 [0147]根据设计，第一分流声波谐振器(22a的右分流声波谐振器)和第二分流声波谐振器(22b的右分流声波谐振器)的纵横比可彼此不同，并且第三分流声波谐振器(22a的左分流声波谐振器)和第四分流声波谐振器(22b的左分流声波谐振器)的纵横比可彼此不同。此外，第一分流声波谐振器(22a的右分流声波谐振器)和第二分流声波谐振器(22b的右分流声波谐振器)之间的纵横比差异可不同于第三分流声波谐振器(22a的左分流声波谐振器)和第四分流声波谐振器(22b的左分流声波谐振器)之间的纵横比差异。因此，根据本公开的实施例的体声波谐振器滤波器50a可有效地减小第一分流声波谐振器、第二分流声波谐振器、第三分流声波谐振器和第四分流声波谐振器22a和22b中的每个的设计特性与实际特性之间的差异。 [0148]参照图2B和图3B，在根据本公开的实施例的体声波谐振器滤波器50b中，电连接在第二节点N2与接地端口GND2之间的第一分流声波谐振器22a和第二分流声波谐振器22b之间的纵横比差异可不同于电连接在第一节点N1与接地端口GND1之间的第三分流声波谐振器21b与电连接在第三节点N3与接地端口GND3之间第四分流声波谐振器23b之间的纵横比差异。 [0149]例如，第一分流声波谐振器22a和第二分流声波谐振器22b的每节点数量(例如，四个)可大于第三分流声波谐振器21b和第四分流声波谐振器23b的每节点数量(例如，两个)，因此第一分流声波谐振器22a和第二分流声波谐振器22b的寄生阻抗差异对体声波谐振器滤波器50b的影响可大于第三分流声波谐振器21b和第四分流声波谐振器23b的寄生阻抗差异对体声波谐振器滤波器50b的影响。因此，第一分流声波谐振器22a与第二分流声波谐振器22b之间的纵横比差异可大于第三分流声波谐振器21b与第四分流声波谐振器23b之间的纵横比差异。 [0150]参照图2C和图3C，根据本公开的实施例的体声波谐振器滤波器50c可具有其中并联连接的第一分流声波谐振器22a和第二分流声波谐振器22b之间的纵横比可不同的结构。例如，具有不同纵横比的第一分流声波谐振器22a和第二分流声波谐振器22b不限于串联连接，并且并联连接的第一分流声波谐振器22a和第二分流声波谐振器22b之间的寄生阻抗差异也可根据以下因素而发生：第一分流声波谐振器22a和第二分流声波谐振器22b之间的外围结构(例如，金属层1180和1190)的差异，或根据本公开的实施例的体声波谐振器滤波器50c的制造工艺的变化。在根据本公开的实施例的体声波谐振器滤波器50c中，具有并联关系的第一分流声波谐振器22a与第二分流声波谐振器22b之间的寄生阻抗差异可通过第一分流声波谐振器22a与第二分流声波谐振器22b之间的纵横比差异来减小。 [0151]例如，第一分流声波谐振器22a可通过金属层1190和设置在第一分流声波谐振器22a的压电层的上表面上的第二电极电连接到接地端口GND2，并且第二分流声波谐振器22b可通过金属层1180、金属层1190和设置在第二分流声波谐振器22b的压电层的下表面上的第一电极电连接到接地端口GND2。这是反并联连接，因为第一分流声波谐振器22a的第二电极连接到第二分流声波谐振器22b的第一电极。在并联连接中，第一分流声波谐振器22a的设置在第一分流声波谐振器22a的压电层的下表面上的第一电极将连接到第二分流声波谐振器22b的第一电极。 [0152]因此，由于第一分流声波谐振器22a和第二分流声波谐振器22b电连接到接地端口GND2的结构可彼此不同，因此第一分流声波谐振器22a和第二分流声波谐振器22b的寄生电容可不同。由于第一分流声波谐振器22a和第二分流声波谐振器22b可具有不同的纵横比，因此可抵消第一分流声波谐振器22a与第二分流声波谐振器22b之间的寄生电容的差异。因此，根据本公开的实施例的体声波谐振器滤波器50c的分流声波谐振器21b、22a、22b、23b和24b不应被解释为限于串联连接到相邻的分流声波谐振器。 [0153]参照图2D和图3D，根据本公开的实施例的体声波谐振器滤波器50d可具有如下结构：具有比第二分流声波谐振器21b和22b的纵横比更接近1的纵横比的第一分流声波谐振器21a和22a被设置为比第二分流声波谐振器21b和22b更远离接地端口GND1和GND2。各种因素确定分流声波谐振器的寄生阻抗，并且第一分流声波谐振器21a和22a的谐振频率和/或反谐振频率可与第二分流声波谐振器21b和22b的谐振频率和/或反谐振频率不同。因此，也可根据设计使用如下结构：具有比第二分流声波谐振器21b和22b的纵横比更接近1的纵横比的第一分流声波谐振器21a和22a被设置为比第二分流声波谐振器21b和22b更远离接地端口GND1和GND2。 [0154]此外，参照图3D，在根据本公开的实施例的体声波谐振器滤波器50d中，第一分流声波谐振器21a和22a以及第二分流声波谐振器21b和22b的尺寸(例如，第一电极、压电层和第二电极叠置的面积)可大于第三分流声波谐振器23b的尺寸，并且可大于第四分流声波谐振器24b的尺寸。第一分流声波谐振器21a和第二分流声波谐振器21b可电连接在第一节点N1与接地端口GND1之间，第一分流声波谐振器22a和第二分流声波谐振器22b可电连接在第二节点N2与接地端口GND2之间，第三分流声波谐振器23b可电连接在第三节点N3与接地端口GND3之间，并且第四分流声波谐振器24b可连接在第一射频端口P1与接地端口GND4之间。 [0155]由于通过电连接到天线的第一射频端口P1发送的RF信号的功率可小于通过第二射频端口P2发送的RF信号的功率，因此电连接在更靠近第二射频端口P2且更远离天线的第一节点N1与接地端口GND1之间的第一分流声波谐振器21a和第二分流声波谐振器21b以及电连接在更靠近第二射频端口P2且更远离天线的第二节点N2与接地端口GND2之间的第一分流声波谐振器22a和第二分流声波谐振器22b可能需要比第三分流声波谐振器23b和第四分流声波谐振器24b更高的散热特性和/或最大输出特性。因此，针对更高的散热特性和/或最大输出特性，第一分流声波谐振器21a和22a以及第二分流声波谐振器21b和22b可被实现为具有比第三分流声波谐振器23b和第四分流声波谐振器24b更大的尺寸。 [0156]因此，第一分流声波谐振器21a和22a与第二分流声波谐振器21b和22b之间的寄生阻抗差异可大于第三分流声波谐振器23b之间的寄生阻抗差异，并且可大于第四分流声波谐振器24b之间的寄生阻抗差异。 [0157]为了减小多个分流声波谐振器之间的总阻抗差异，第一分流声波谐振器21a和22a与第二分流声波谐振器21b和22b之间的纵横比差异可大于第三分流声波谐振器23b之间的纵横比差异，并且可大于第四分流声波谐振器24b之间的纵横比差异。然而，在图2D和图3D的实施例中，在第三分流声波谐振器23b之间不存在纵横比差异，并且在第四分流声波谐振器24b之间不存在纵横比差异。也就是说，两个第三分流声波谐振器23b具有彼此相同的纵横比，并且两个第四分流声波谐振器24b具有彼此相同的纵横比。 [0158]参照图2E，在根据本公开的实施例的体声波谐振器滤波器50e中，在多个分流声波谐振器中，比另一分流声波谐振器21b更靠近接地端口GND1或接合构件1220的一个分流声波谐振器21a的纵横比可大于1，并且更远离接地端口GND1或接合构件1220的另一分流声波谐振器21b的纵横比可大于1。例如，根据设计，与更远离接地端口GND1或接合构件1220的另一分流声波谐振器21b的纵横比相比，更靠近接地端口GND1或接合构件1220的一个分流声波谐振器21a的纵横比可不接近1，并且可与更远离接地端口GND1或接合构件1220的另一分流声波谐振器21b的纵横比相同或基本相同。 [0159]参照图2F和图3E，根据本公开的实施例的体声波谐振器滤波器50f可包括彼此串联电连接的第一分流声波谐振器21a以及第二分流声波谐振器21b、第三分流声波谐振器21b和第四分流声波谐振器21b。第一分流声波谐振器21a和第二分流声波谐振器21b(右分流声波谐振器21b)可通过第一电极和金属层1180彼此连接，第二分流声波谐振器21b(右分流声波谐振器21b)和第三分流声波谐振器21b(中间分流声波谐振器21b)可通过第二电极和金属层1190彼此连接，并且第三分流声波谐振器21b(中间分流声波谐振器21b)和第四分流声波谐振器21b(左分流声波谐振器21b)可通过第一电极和金属层1180彼此连接。第一分流声波谐振器21a可被设置为最靠近接合构件1220。 [0160]由于由金属层1180和1190以及接合构件1220形成的寄生电容器可用作与第一分流声波谐振器21a并联连接的电容器，因此第一分流声波谐振器21a与第二分流声波谐振器21b(右分流声波谐振器21b)之间的寄生阻抗差异可大于第二分流声波谐振器(右分流声波谐振器21b)与第三分流声波谐振器21b(中间分流声波谐振器21b)之间的寄生阻抗差异，并且可大于第三分流声波谐振器21b(中间分流声波谐振器21b)与第四分流声波谐振器21b(左分流声波谐振器21b)之间的寄生阻抗差异。 [0161]为了减小第一分流声波谐振器21a、第二分流声波谐振器21b、第三分流声波谐振器21b和第四分流声波谐振器21b之间的寄生阻抗差异，第一分流声波谐振器21a与第二分流声波谐振器21b(右分流声波谐振器21b)之间的纵横比差异可大于第二分流声波谐振器21b(右分流声波谐振器21b)与第三分流声波谐振器21b(中间分流声波谐振器21b)之间的纵横比差异，并且可大于第三分流声波谐振器21b(中间分流声波谐振器21b)与第四分流声波谐振器21b(左分流声波谐振器21b)之间的纵横比差异。 [0162]参照图2G，根据本公开的实施例的体声波谐振器滤波器50g可包括多个串联声波谐振器11、12、13和14以及多个分流声波谐振器21a、21b、22a、22b、23b、24a和24b，可具有非常高的最大输出性能和/或非常高的散热性能，因此可用在大型电子装置或安装型电子装置中。 [0163]参照图3F，除了根据本公开的实施例的体声波谐振器滤波器50a中包括的组件之外，根据本公开的实施例的体声波谐振器滤波器50h还可包括与多个分流声波谐振器22a、22b、24a和24b串联电连接的电感器29。 [0164]由于电感器29可以是串联LC等效的L等效分量的一部分，并且可与多个分流声波谐振器22a、22b、24a和24b的谐振频率成反比，因此可降低多个分流声波谐振器22a、22b、24a和24b的谐振频率，多个分流声波谐振器22a、22b、24a和24b的谐振频率和/或反谐振频率可与多个分流声波谐振器21a、21b、23a和23b的谐振频率和/或反谐振频率不同，并且根据本公开的实施例的体声波谐振器滤波器50h可有效地形成更宽的带宽和/或获得更尖锐的衰减特性。 [0165]参照图3G，与图1E的体声波谐振器滤波器相比，根据本公开的实施例的体声波谐振器滤波器50i可具有更简化的结构。 [0166]参照图3H，与图3G的体声波谐振器滤波器相比，根据本公开的实施例的体声波谐振器滤波器50j可具有更简化的结构。作为示例，多个分流声波谐振器可包括彼此串联电连接的第一分流声波谐振器、第二分流声波谐振器和第三分流声波谐振器，第一分流声波谐振器和第二分流声波谐振器通过相应的第一电极或相应的第二电极彼此连接，第二分流声波谐振器和第三分流声波谐振器通过相应的第一电极或相应的第二电极彼此连接，并且第一分流声波谐振器与第二分流声波谐振器之间的纵横比差异不同于第二分流声波谐振器与所述第三分流声波谐振器之间的纵横比差异。可以在串联部的不同节点与地之间设置分流声波谐振器，同一节点与地之间的多个分流声波谐振器的纵横比可不同。黑色表示的分流声波谐振器的纵横比与白色表示的分流声波谐振器的纵横比可不同。黑色表示的分流声波谐振器的叠置区域的尺寸可以与白色表示的分流声波谐振器的叠置区域的尺寸不同。 [0167]图4A是示出根据本公开的实施例的体声波谐振器滤波器/封装件的声波谐振器的纵横比的变化的平面图。 [0168]参照图4A，第一声波谐振器21a的叠置区域的纵横比ARa可不同于第二声波谐振器21b的叠置区域的纵横比ARb。纵横比ARa可以是叠置区域在第一声波谐振器21a的最长边的延伸方向上的最长长度L1a与叠置区域在垂直于延伸方向的方向上的最长长度L2a之间的比率，并且可以是低纵横比(低AR)。纵横比ARb可以是叠置区域在第二声波谐振器21b的最长边的延伸方向上的最长长度L1b与叠置区域在垂直于延伸方向的方向上的最长长度L2b之间的比率，并且可以是高纵横比(高AR)。 [0169]对于纵横比测量，可限定共用第一声波谐振器21a和第二声波谐振器21b的最长边的虚拟矩形。可设置虚拟矩形的尺寸，使得虚拟矩形的其余边穿过第一声波谐振器21a和第二声波谐振器21b的顶点。 [0170]根据第一声波谐振器21a和第二声波谐振器21b的具体形状，虚拟矩形的长边的长度可以是最长边的延伸方向上的长度L1a和L1b中的每个，并且可等于或长于最长边的长度。虚拟矩形的短边的长度可以是在垂直于最长边的方向上的长度L2a和L2b中的每个。 [0171]图4A所示的纵横比ARa和ARb可分别是1.2和6，但不限于此。 [0172]为了减小第一声波谐振器21a和第二声波谐振器21b之间的不想要的特性差异，第一声波谐振器21a和第二声波谐振器21b的面积可彼此相等。例如，为了调整纵横比ARa和ARb，可优先调整第一声波谐振器21a和第二声波谐振器21b的最长边的长度，并且可响应于最长边的长度调整而将第一声波谐振器21a和第二声波谐振器21b的其余边的长度调整为计算的长度，使得第一声波谐振器21a和第二声波谐振器21b的面积保持相同。 [0173]因此，由于第一声波谐振器21a和第二声波谐振器21b可具有相似的形状，同时具有不同的纵横比ARa和ARb，因此第一声波谐振器21a的纵横比ARa与第二声波谐振器21b的纵横比ARb的差异可产生反谐振频率差异，而基本不会引起第一声波谐振器21a和第二声波谐振器21b之间的谐振频率差异。 [0174]图4B是示出根据图4A的声波谐振器的纵横比的变化的反谐振频率的变化的曲线图。 [0175]参照图4B，声波谐振器的阻抗Z可在反谐振频率fa1和fa2处最大，并且在谐振频率fr处最小。随着声波谐振器的纵横比AR增大，反谐振频率可从第一反谐振频率fa1减小到第二反谐振频率fa2，并且谐振频率fr可基本固定。 [0176]例如，根据本公开的实施例的体声波谐振器滤波器的多个分流声波谐振器的纵横比可彼此不同，使得多个分流声波谐振器之间的反谐振频率差异fa1-fa2减小。 [0177]图4C是示出随着最靠近地或接合构件连接的分流声波谐振器的纵横比变化，通过图3H的多个分流声波谐振器的功率的变化的曲线图。 [0178]参照图4C，通过图3H的最靠近地或接合构件连接的分流声波谐振器的功率最小处的频率可对应于分流声波谐振器的反谐振频率，并且可随着最靠近地或接合构件连接的分流声波谐振器的纵横比减小而增大。图3H的多个分流声波谐振器之间的纵横比差异ARdiff.可随着最靠近地或接合构件连接的分流声波谐振器的纵横比减小而增大。 [0179]图4D是示出根据图4C所示的通过多个分流声波谐振器的功率的变化，通过图3H的多个分流声波谐振器的功率的变化的曲线图。 [0180]参照图4D，通过图3H的多个分流声波谐振器的具有最低功率的信号的频率可对应于多个分流声波谐振器的总反谐振频率。随着多个分流声波谐振器的反谐振频率差异减小，通过多个分流声波谐振器的功率的最小值增大。通过多个分流声波谐振器的功率的最小值随着多个分流声波谐振器之间的纵横比差异AR diff减小而增大。 [0181]例如，增大多个分流声波谐振器之间的纵横比差异AR diff可减小多个分流声波谐振器之间的寄生阻抗差异。因此，增大多个分流声波谐振器之间的纵横比差异AR diff可减小多个分流声波谐振器的反谐振频率差异，并且减小通过多个分流声波谐振器的功率的最小值。因此，可减少在根据本公开的实施例的体声波谐振器滤波器的带宽中与多个分流声波谐振器的反谐振频率相邻的频率处的能量损耗。 [0182]图4E是示出根据图4D所示的通过多个分流声波谐振器的功率的变化，通过图3H的多个分流声波谐振器的信号中的二次谐波的幅度的曲线图，并且图4F是示出在具有比图3H的多个分流声波谐振器的尺寸更大的尺寸的多个分流声波谐振器中最靠近地连接的分流声波谐振器的纵横比减小时，通过图3H的多个分流声波谐振器的信号中的二次谐波的幅度的曲线图。 [0183]参照图4E和图4F，可增大多个分流声波谐振器之间的纵横比差异AR diff，以抵消多个分流声波谐振器之间的寄生阻抗差异并且减小通过多个分流声波谐振器的信号中的二次谐波的最大幅度。因此，可改善根据本公开的实施例的体声波谐振器滤波器的线性特性和/或散热特性。 [0184]图4G是示出图3H的体声波谐振器滤波器的带宽的曲线图。 [0185]参照图4G，根据本公开的实施例的体声波谐振器滤波器的带宽BW可在第一射频(RF)端口和第二射频(RF)端口之间的S参数高的频率范围内。 [0186]由于多个分流声波谐振器的谐振频率fr(分流)可在带宽BW之外，并且多个分流声波谐振器的反谐振频率fa(分流)可在带宽BW内，因此为了降低能量损耗，减小多个分流声波谐振器的反谐振频率fa(分流)的差异可比减小多个分流声波谐振器的谐振频率fr(分流)的差异更重要。 [0187]因此，多个分流声波谐振器之间的反谐振频率fa(分流)的差异可小于多个分流声波谐振器之间的谐振频率fr(分流)的差异，并且多个分流声波谐振器之间的纵横比的差异可有效地减小多个分流声波谐振器之间的反谐振频率fa(分流)的差异。 [0188]至少一个串联声波谐振器的谐振频率fr(串联)可高于多个分流声波谐振器中的每个的谐振频率fr(分流)，并且至少一个串联声波谐振器的反谐振频率fa(串联)可高于多个分流声波谐振器中的每个的反谐振频率fa(分流)。多个分流声波谐振器之间的谐振频率fr(分流)的差异可小于多个分流声波谐振器的谐振频率fr(分流)中的最高谐振频率fr(分流)与至少一个串联声波谐振器的谐振频率fr(串联)之间的差异。例如，多个分流声波谐振器之间的谐振频率fr(分流)的差异和/或反谐振频率fa(分流)的差异可以是小的。 [0189]图5A是示出根据本公开的实施例的体声波谐振器滤波器/封装件的各种类型的声波谐振器的纵横比测量的视图，并且图5B是示出根据本公开的实施例的体声波谐振器滤波器/封装件的声波谐振器的不对称结构和对称结构的视图。 [0190]参照图5A和图5B，多个声波谐振器R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9和R10的叠置区域中的每个可具有与图4A的第一声波谐振器21a和第二声波谐振器21b的叠置区域中的每个的五边形形状不同的四边形形状。例如，多个声波谐振器R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9和R10的叠置区域中的每个的边的数量可根据设计而改变。 [0191]参照图5A，作为用于确定多个声波谐振器R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9和R10的纵横比AR1、AR2、AR3、AR4、AR5、AR6、AR7、AR8、AR9和AR10的参考的纵向方向和横向方向可根据多个声波谐振器R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9和R10的形状(或旋转)而改变。例如，尽管多个声波谐振器R1、R2、R3、R4和R5相对于彼此具有不同的旋转角度，但是多个声波谐振器R1、R2、R3、R4和R5的纵横比AR1、AR2、AR3、AR4和AR5可彼此相同，并且尽管多个声波谐振器R6、R7、R8、R9和R10相对于彼此具有不同的旋转角度，但是多个声波谐振器R6、R7、R8、R9和R10的纵横比AR6、AR7、AR8、AR9和AR10可彼此相同。 [0192]例如，多个声波谐振器R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9和R10可具有不同的旋转角度，并且可具有不同的对称性(在声波谐振器在纵向方向和/或横向方向上的中心处的对称性)。多个声波谐振器R6、R7、R8、R9和R10的对称性可高于多个声波谐振器R1、R2、R3、R4和R5的对称性。 [0193]根据具有相对低的对称性的多个声波谐振器R1、R2、R3、R4和R5的纵横比AR的特性在下表1中示出。 [0194]表1 [0195] [0196]在这种情况下，插入损耗IL可越低越好，并且衰减特性Attn可越高越好。随着多个声波谐振器R1、R2、R3、R4和R5的纵横比AR从1.3增大到2.4，插入损耗IL可显著变低，随着多个声波谐振器R1、R2、R3、R4和R5的纵横比AR从3.8减小到2.4，多个声波谐振器R1、R2、R3、R4和R5的衰减特性Attn可显著变高。 [0197]因此，根据本公开的实施例的体声波谐振器滤波器的多个分流声波谐振器中具有相对高的纵横比AR的分流声波谐振器可具有大于1.3且小于3.8的纵横比AR，或大约2.4(例如，2.4±0.2)的纵横比AR。因此，体声波谐振器滤波器可具有低插入损耗IL和高衰减特性Attn。 [0198]根据具有相对高的对称性的多个声波谐振器R6、R7、R8、R9和R10的纵横比AR的特性在下表2中示出。 [0199]表2 [0200] [0201]随着纵横比AR增大，连接到声波谐振器的金属层的宽度可增大。因此，插入损耗IL可减小。 [0202]具有相对高的对称性的多个声波谐振器R6、R7、R8、R9和R10可具有4.8至6.6的相对高的纵横比AR，并且可具有与具有相对低的对称性的多个声波谐振器的R1、R2、R3、R4和R5的衰减特性Attn类似的衰减特性Attn。 [0203]例如，具有相对高的对称性的多个声波谐振器R6、R7、R8、R9和R10可具有大于等于4.8且小于等于6.6的纵横比AR。因此，体声波谐振器滤波器可具有低插入损耗IL和高衰减特性Attn。 [0204]具有相对高的对称性和相对高的纵横比AR的声波谐振器可有效地用作其中低插入损耗相对更重要的串联声波谐振器，并且还可用在多个分流声波谐振器中具有相对高的纵横比AR的分流声波谐振器中。在这种情况下，具有相对低的对称性和相对低的纵横比AR(大于1.3且小于3.8)的声波谐振器可有效地用在被设置为更靠近地或接合构件的分流声波谐振器中。 [0205]由于具有表1和表2中列出的纵横比AR的所有声波谐振器至少具有良好的插入损耗IL或至少具有良好的衰减特性Attn，因此根据本公开的实施例的体声波谐振器滤波器的多个分流声波谐振器中的每个的纵横比AR可落在大于1.3且小于等于6.6的范围内，并且可在该范围内适当地优化。 [0206]参照图5B，多个声波谐振器R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9和R10的长轴MA1、MA2、MA3、MA4、MA5、MA6、MA7、MA8、MA9和MA10的中心CP1、CP2、CP3、CP4、CP5、CP6、CP7、CP8、CP9和CP10可以是用于测量多个声波谐振器R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9和R10的对称性的参考。 [0207]例如，随着多个声波谐振器R1、R2、R3、R4和R5的中心CP1、CP2、CP3、CP4和CP5与多个声波谐振器R1、R2、R3、R4和R5的重心之间的距离增大，多个声波谐振器R1、R2、R3、R4和R5可变得更加不对称。例如，当多个声波谐振器R6、R7、R8、R9和R10完全对称时，多个声波谐振器R6、R7、R8、R9和R10的中心CP6、CP7、CP8、CP9和CP10可位于多个声波谐振器R6、R7、R8、R9和R10的重心处。在这种情况下，长轴MA1、MA2、MA3、MA4、MA5、MA6、MA7、MA8、MA9和MA10可具有多个声波谐振器R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9和R10的顶点之间的距离中的最长距离。 [0208]图5C是示出纵横比可根据依据本公开的实施例的体声波谐振器滤波器/封装件的多个分流声波谐振器之间的连接长度而改变的视图。 [0209]参照图5C，当多个分流声波谐振器21a和21b之间的连接长度CL1长时，多个分流声波谐振器21a和21b之间的纵横比差异(AR差异)可以是大的。当多个分流声波谐振器21a和21b之间的连接长度CL2短时，多个分流声波谐振器21a和21b之间的纵横比差异(AR差异)可以是小的。连接长度CL1和CL2可以是金属层1180和1190的位于多个分流声波谐振器21a和21b之间的部分的长度。 [0210]因此，可抵消多个分流声波谐振器21a和21b之间的寄生阻抗差异。根据设计，金属层1180和金属层1190可彼此互换，并且可相应地改变纵横比差异(AR差异)。 [0211]图6A是示出根据本公开的实施例的可包括在体声波谐振器滤波器/封装件中的声波谐振器的具体结构的平面图，图6B是沿着图6A中的线VIB-VIB'截取的截面图，图6C是沿着图6A中的线VIC-VIC'截取的截面图，并且图6D是沿着图6A中的线VID-VID'截取的截面图。 [0212]参照图6A至图6D，声波谐振器100a可包括基板1110、绝缘层1115、谐振部1120和疏水层1130。 [0213]基板1110可以是硅基板。在示例中，硅晶片或绝缘体上硅(SOI)基板可用作基板1110。 [0214]绝缘层1115可设置在基板1110的上表面上，以将基板1110与谐振部1120电隔离。另外，当在制造声波谐振器100a的期间形成腔C时，绝缘层1115可防止基板1110被蚀刻气体蚀刻。 [0215]在这种情况下，绝缘层1115可利用二氧化硅(SiO₂)、氮化硅(Si₃N₄)、氧化铝(Al₂O₃)和氮化铝(AlN)中的至少一种形成，并且可通过诸如化学气相沉积、射频(RF)磁控溅射和蒸镀的工艺中的至少一种形成。 [0216]支撑层1140可形成在绝缘层1115上，并且可设置在腔C和蚀刻停止部1145周围。 [0217]腔C可形成为空的空间，并且可通过去除在支撑层1140的制备期间形成的牺牲层的一部分来形成，并且牺牲层的剩余部分可形成为支撑层1140。 [0218]支撑层1140可利用可被容易地蚀刻的材料(诸如，多晶硅、聚合物或其他合适的材料)形成。然而，支撑层1140的材料不限于此。 [0219]蚀刻停止部1145可沿着腔C的边界设置。可设置蚀刻停止部1145以在腔C的形成期间防止蚀刻超出腔区域。 [0220]膜层1150可形成在支撑层1140上，并且可限定腔C的上表面。因此，膜层1150可利用在腔C的形成期间不容易被去除的材料形成。 [0221]在示例中，当使用包括氟(F)或氯(Cl)的卤化物的蚀刻气体来去除支撑层1140的一部分(例如，腔区域)时，膜层1150可利用与上述蚀刻气体具有低反应性的材料形成。在这种情况下，膜层1150可包括二氧化硅(SiO₂)、氮化硅(Si₃N₄)等中的至少一种。 [0222]此外，膜层1150可包括包含氧化镁(MgO)、二氧化锆(ZrO₂)、氮化铝(AlN)、锆钛酸铅(PZT)、砷化镓(GaAs)、二氧化铪(HfO₂)、氧化铝(Al₂O₃)、二氧化钛(TiO₂)和氧化锌(ZnO)中的至少一种材料的介电层，或者可包括包含铝(Al)、镍(Ni)、铬(Cr)、铂(Pt)、镓(Ga)和铪(Hf)中的至少一种材料的金属层。然而，本公开的构造不限于此。 [0223]谐振部1120可包括第一电极1121、压电层1123和第二电极1125。在谐振部1120中，第一电极1121、压电层1123和第二电极1125可从第一电极1121开始依次堆叠。因此，在谐振部1120中，压电层1123可设置在第一电极1121和第二电极1125之间。 [0224]谐振部1120可形成在膜层1150上，使得膜层1150、第一电极1121、压电层1123和第二电极1125顺序堆叠，膜层1150也可以是谐振部1120的一部分。谐振部1120可具有纵横比，该纵横比是第一电极1121、压电层1123和第二电极1125叠置的叠置区域的纵横比。 [0225]谐振部1120的压电层1123可根据施加到第一电极1121和第二电极1125的信号谐振，以产生谐振频率和反谐振频率。 [0226]谐振部1120可被分成中央部分S和延伸部分E，在中央部分S中，第一电极1121、压电层1123和第二电极1125以基本平坦的方式堆叠，在延伸部分E中，插入层1170介于第一电极1121和压电层1123之间。 [0227]中央部分S是设置在谐振部1120的中央的区域，并且延伸部分E是沿着谐振部1120的中央部分S的外周设置的区域。因此，延伸部分E是从中央部分S向外延伸的区域，并且是沿着中央部分S的外周形成为连续环形形状的区域。根据需要，延伸部分E可形成为其中一些区域被去除的不连续环形形状。 [0228]因此，如图6B所示，在谐振部1120被切割成穿过中央部分S的截面中，延伸部分E可设置在中央部分S的相对侧上。另外，插入层1170可设置在延伸部分E上。 [0229]插入层1170可具有倾斜表面L，该倾斜表面L的厚度在远离中央部分S的方向上增大。倾斜表面L的厚度是插入层1170的包括倾斜表面L的倾斜部的厚度，倾斜表面L的角度或倾斜角度是倾斜表面L相对于第一电极1121的平坦上表面的角度。 [0230]在延伸部分E中，压电层1123和第二电极1125可设置在插入层1170上。因此，设置在延伸部分E中的压电层1123和第二电极1125可具有符合插入层1170的形状的倾斜表面。 [0231]延伸部分E可被定义为包括在谐振部1120中，使得谐振也可发生在延伸部分E中。然而，本公开不限于此。根据延伸部分E的结构，谐振可不发生在延伸部分E中，而是可仅发生在中央部分S中。 [0232]第一电极1121和第二电极1125可利用导电材料(例如，金、钼、钌、铱、铝、铂、钛、钨、钯、钽、铬、镍或包括其中至少一种的合金)形成。然而，本公开不限于此。 [0233]在谐振部1120中，第一电极1121可形成为具有大于第二电极1125的面积的面积，并且第一金属层1180可沿着第一电极1121的外周形成在第一电极1121的至少一部分上。因此，第一金属层1180可被设置为与第二电极1125间隔开预定距离并围绕谐振部1120。 [0234]由于第一电极1121设置在膜层1150上，因此第一电极1121可形成为完全平坦的。由于第二电极1125可设置在压电层1123上，因此第二电极1125可弯曲以对应于压电层1123的形状。 [0235]第一电极1121可被实现为输入诸如射频(RF)信号的电信号的输入电极和输出诸如射频(RF)信号的电信号的输出电极中的任一个。 [0236]第二电极1125可全部设置在中央部分S中，也可部分设置在延伸部分E中。第二电极1125可被分成设置在压电层1123的压电部分1123a上的部分和设置在压电层1123的弯曲部分1123b上的部分。 [0237]特别地，第二电极1125可被设置为完全覆盖压电部分1123a并且部分地覆盖压电层1123的倾斜部分11231。因此，第二电极1125的设置在延伸部分E中的部分(1125a，图6D)可形成为具有小于倾斜部分11231的倾斜表面的面积的面积，并且第二电极1125的设置在谐振部1120中的部分可形成为具有小于压电层1123的面积的面积。 [0238]因此，如图6B所示，在谐振部1120被切割成穿过中央部分S的垂直截面中，第二电极1125的端部可设置在延伸部分E中。此外，第二电极1125的设置在延伸部分E中的端部的至少一部分可被设置为与插入层1170叠置。术语“叠置”是指当第二电极1125投影到其上设置有插入层1170的平面上时，第二电极1125的投影到该平面上的形状与插入层1170叠置。 [0239]第二电极1125可用作输入诸如射频(RF)信号的电信号的输入电极和输出诸如射频(RF)信号的电信号的输出电极中的任一个。例如，当第一电极1121用作输入电极时，第二电极1125可用作输出电极。可选地，当第一电极1121用作输出电极时，第二电极1125可用作输入电极。 [0240]如图6D所示，当第二电极1125的端部设置在压电层1123的倾斜部分11231(稍后描述)上时，谐振部1120的局部结构的声阻抗可从中央部分S以稀疏/密集/稀疏/密集形式形成，以增大朝向谐振部1120的内部反射横向波的反射界面。因此，大多数横向波可不流出谐振部1120，而是可被反射以朝向谐振部1120的内部流动，使得可改善声波谐振器100a的性能。 [0241]压电层1123可以是通过压电效应将电能转换为弹性波形式的机械能的部分，并且可形成在第一电极1121和插入层1170(稍后描述)上。 [0242]可选择性地将氧化锌(ZnO)、氮化铝(AlN)、掺杂氮化铝、锆钛酸铅、石英或其他压电材料用作压电层1123的材料。在掺杂氮化铝的情况下，可进一步包括稀土金属、过渡金属或碱土金属。稀土金属可包括钪(Sc)、铒(Er)、钇(Y)和镧(La)中的至少一种。过渡金属可包括铪(Hf)、钛(Ti)、锆(Zr)、钽(Ta)和铌(Nb)中的至少一种。此外，碱土金属可包括镁(Mg)。以掺杂氮化铝(AlN)的总含量为基准，掺杂到氮化铝(AlN)中的元素的量可在0.1at％至30at％的范围内，但不限于此。 [0243]压电层1123可利用通过用钪(Sc)掺杂氮化铝(AlN)获得的材料形成。在这种情况下，可增大压电常数以增大声波谐振器100a的K_t²。 [0244]压电层1123可包括设置在中央部分S中的压电部分1123a和设置在延伸部分E中的弯曲部分1123b。 [0245]压电部分1123a可以是直接堆叠在第一电极1121的上表面上的部分。因此，压电部分1123a可介于第一电极1121和第二电极1125之间，以与第一电极1121和第二电极1125一起平坦形成。 [0246]弯曲部分1123b可被定义为从压电部分1123a向外延伸的区域，并且设置在延伸部分E中。 [0247]弯曲部分1123b可设置在插入层1170(稍后描述)上，并且可形成为其上表面随着插入层1170的形状升高的形状。因此，压电层1123可在压电部分1123a和弯曲部分1123b之间的边界上弯曲或弯折，并且弯曲部分1123b可升高以对应于插入层1170的厚度和形状。 [0248]弯曲部分1123b可被分成倾斜部分11231和延伸部分11232。 [0249]倾斜部分11231可以是形成为沿着插入层1170(稍后描述)的倾斜表面L倾斜的部分。延伸部分11232可以是从倾斜部分11231向外延伸的部分。 [0250]倾斜部分11231可形成为平行于插入层1170的倾斜表面L，并且倾斜部分11231的倾斜角度可与插入层1170的倾斜表面L的倾斜角度θ相同(参见图6D中的放大部分)。 [0251]插入层1170可沿着由膜层1150、第一电极1121和蚀刻停止部1145形成的表面设置。因此，插入层1170可部分地设置在谐振部1120中，并且可设置在第一电极1121和压电层1123之间。 [0252]插入层1170可绕着中央部分S设置，以支撑压电层1123的弯曲部分1123b。因此，压电层1123的弯曲部分1123b可被分成沿着插入层1170的形状设置的倾斜部分11231和延伸部分11232。 [0253]在示例中，插入层1170可设置在除了中央部分S之外的区域中。例如，插入层1170可在基板1110上设置在除了中央部分S之外的全部区域中，或者可在基板1110上设置在除了中央部分S之外的一些区域中。 [0254]插入层1170的一部分可形成为具有在远离中央部分S延伸的方向上增大的厚度。因此，插入层1170可形成为具有与中央部分S相邻设置的侧表面，并且该侧表面形成为具有预定倾斜角度θ的倾斜表面L。在示例中，预定倾斜角度θ可形成为大于等于5度且小于等于70度，但不限于此。 [0255]压电层1123的倾斜部分11231可沿着插入层1170的倾斜表面L形成，因此可以以与插入层1170的倾斜表面L的倾斜角度相同的倾斜角度形成。因此，与插入层1170的倾斜表面L一样，倾斜部分11231的倾斜角度也可形成为大于等于5度且小于等于70度，但不限于此。这样的构造也可同样应用于第二电极1125的堆叠在插入层1170的倾斜表面L上的部分。 [0256]插入层1170可利用介电材料(诸如二氧化硅(SiO₂)、氮化铝(AlN)、氧化铝(Al₂O₃)、氮化硅(Si₃N₄)、氧化镁(MgO)、二氧化锆(ZrO₂)、锆钛酸铅(PZT)、砷化镓(GaAs)、二氧化铪(HfO₂)、二氧化钛(TiO₂)、氧化锌(ZnO)或其他合适的介电材料)形成，但可利用与压电层1123的材料不同的材料形成。 [0257]可选地，插入层1170可利用金属材料形成。当声波谐振器100a用于5G通信时，谐振部1120可能产生大量的热，因此谐振部1120产生的热应被均匀地散发。插入层1170可利用包含钪(Sc)的铝合金材料形成。 [0258]谐振部1120可被设置为通过形成为空的空间的腔C与基板1110间隔开。 [0259]在制造声波谐振器100a的工艺中，可通过向入口孔(图6A的H)供应蚀刻气体(或蚀刻溶液)以去除支撑层1140的一部分来形成腔C。 [0260]因此，腔C可以是具有由膜层1150限定的上表面(顶表面)和侧表面(壁表面)以及由基板1110或绝缘层1115限定的底表面的空间。膜层1150可根据制造方法的顺序仅形成在腔C的上表面(顶表面)上。 [0261]保护层1160可沿着声波谐振器100a的表面设置，以保护声波谐振器100a免受外部环境的影响。保护层1160可沿着由第二电极1125和压电层1123的弯曲部分1123b限定的表面设置。 [0262]在制造方法的最终工艺中，可部分地去除保护层1160以用于频率控制。例如，可通过制造方法中的频率微调来调整保护层1160的厚度。 [0263]保护层1160可包括二氧化硅(SiO₂)、氮化硅(Si₃N₄)、氧化镁(MgO)、二氧化锆(ZrO₂)、氮化铝(AlN)、锆钛酸铅(PZT)、砷化镓(GaAs)、二氧化铪(HfO₂)、氧化铝(Al₂O₃)、二氧化钛(TiO₂)、氧化锌(ZnO)、非晶硅(a-Si)和多晶硅(p-Si)中的任何一种，但是本公开不限于此。 [0264]第一电极1121和第二电极1125可从谐振部1120向外延伸。另外，第一金属层1180和第二金属层1190可各自设置在谐振部1120的延伸部分的上表面上。 [0265]第一金属层1180和第二金属层1190可利用金(Au)、金-锡(Au-Sn)合金、铜(Cu)、铜-锡(Cu-Sn)合金、铝(Al)和铝合金中的任何一种材料形成。铝合金可以是铝-锗(Al-Ge)合金或铝-钪(Al-Sc)合金。 [0266]第一金属层1180和第二金属层1190可用作将声波谐振器100a的电极(例如，第一电极1121和第二电极1125)电连接到基板1110上的相邻声波谐振器的电极的连接布线。 [0267]第一金属层1180的至少一部分可与保护层1160接触，并且可接合到第一电极1121。 [0268]在谐振部1120中，第一电极1121可形成为具有大于第二电极1125的面积的面积，并且第一金属层1180可形成在第一电极1121的外周部分上。 [0269]因此，第一金属层1180可沿着谐振部1120的外周设置，并且可被设置为围绕第二电极1125。然而，本公开不限于此。 [0270]在声波谐振器100a中，疏水层1130可设置在保护层1160的表面和腔C的内壁上。疏水层1130可抑制水和羟基(OH基团)的吸附以显著减小频率变化，使得谐振器性能可保持均匀。 [0271]疏水层1130可利用自组装单层(SAM)形成材料而不是聚合物形成。当疏水层1130利用聚合物形成时，聚合物的质量会影响谐振部1120。由于在声波谐振器100a中，疏水层1130可利用自组装单层形成，因此声波谐振器100a的谐振频率的变化可显著减小。另外，腔C中的疏水层1130的厚度可以是均匀的。 [0272]疏水层1130可通过可具有疏水性的前体的气相沉积形成。在这种情况下，疏水层1130可被沉积为具有100埃或更小(在示例中，几埃至几十埃)的厚度的单层。可具有疏水性的前体可用沉积后与水的静态接触角为90度或更大的材料形成。在示例中，疏水层1130可包含氟(F)组分，并且可包括氟(F)和硅(Si)。特别地，可使用具有硅头的碳氟化合物，但本公开不限于此。 [0273]为了改善形成疏水层1130的自组装单层与保护层1160之间的粘附性，可在形成疏水层1130之前在保护层1160上形成粘附层(未示出)。 [0274]可通过在保护层1160的表面上气相沉积具有疏水性官能团的前体来形成粘附层。 [0275]用于沉积粘附层的前体可以是具有硅头的烃或具有硅头的硅氧烷，但不限于此。 [0276]疏水层1130可在形成第一金属层1180和第二金属层1190之后形成，因此可沿着保护层1160、第一金属层1180和第二金属层1190的表面形成。 [0277]图6B至图6D示出了疏水层1130未设置在第一金属层1180和第二金属层1190的表面上的示例，但本公开不限于此。根据需要，疏水层1130也可设置在第一金属层1180和第二金属层1190的表面上。 [0278]此外，疏水层1130不仅可设置在保护层1160的上表面上，而且可设置在腔C的内表面上。 [0279]当疏水层1130形成在腔C中时，疏水层1130可形成在形成腔C的整个内壁上。因此，疏水层1130也可形成在形成谐振部1120的下表面的膜层1150的下表面上。在这种情况下，可抑制谐振部1120的下部对羟基的吸附。 [0280]羟基的吸附不仅发生在保护层1160中，而且还发生在腔C中。因此，为了显著减小由羟基的吸附引起的质量负载以及所导致的声波谐振器100a的谐振频率的下降，可在保护层1160中以及腔C的上表面(膜层1150的下表面)(例如，谐振部的下表面)上通过疏水层1130阻挡羟基的吸附。 [0281]另外，当疏水层1130形成在腔C的上表面、下表面和侧表面上时，可提供抑制静摩擦现象发生的效果，静摩擦现象是在形成腔C之后在润湿工艺或清洁工艺中由于表面张力而使谐振部1120粘附到绝缘层1115的现象。 [0282]已经描述了疏水层1130形成在腔C的整个内壁上的示例，但是本公开不限于此。可选地，可进行各种修改，例如，疏水层1130可仅形成在腔C的上表面上，或者疏水层1130可仅形成在腔C的下表面和侧表面的至少一部分上。 [0283]与根据本公开的实施例的体声波谐振器滤波器/封装件的多个分流声波谐振器的纵横比的比率相比，多个分流声波谐振器在Z方向上的厚度T的比率可更接近1。在这种情况下，厚度T可被定义为从膜层1150的上表面到疏水层1130的上表面的厚度，并且可影响声波谐振器的谐振频率和/或反谐振频率。当多个分流声波谐振器的谐振频率和/或反谐振频率基本彼此相等时，多个分流声波谐振器的厚度T可基本彼此相等，并且多个分流声波谐振器的厚度T的比率可以是1。例如，可通过使用透射电子显微镜(TEM)、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、光学显微镜和表面轮廓仪中的至少一种进行分析来测量厚度T。 [0284]图6E和图6F是示出根据本公开的实施例的用于电连接体声波谐振器滤波器/封装件的内部空间和外部空间的结构的截面图。 [0285]参照图6E和图6F，根据本公开的实施例的体声波谐振器封装件100f和100g还可包括凸块1310、连接图案11320和第二疏水层1330中的至少一个。 [0286]疏水层1130可设置在谐振部1120和盖1210之间，并且可比盖1210更疏水。因此，可减少谐振部1120对在形成接合构件1220的工艺中可能产生的有机物质、水分或其他异物的吸附，使得可进一步改善谐振部1120的特性。在示例中，疏水层可形成在谐振部1120的上表面上。 [0287]参照图6E，连接图案11320的至少一部分可穿过基板1110，可电连接到第一电极1121和第二电极1125中的至少一个，并且可与第二疏水层1330接触。因此，谐振部1120可电连接到体声波谐振器封装件100f外部的外部装置。 [0288]第二疏水层1330可设置在基板1110的与基板1110的面向盖1210的表面(例如，上表面)相对的表面(例如，下表面)上，并且可比基板1110更疏水。因此，可减少连接图案11320对在形成接合构件1220的工艺中可能产生的有机物质、水分或其他异物的吸附，使得可进一步减少连接图案11320中的传输损耗。 [0289]参照图6F，连接图案11320的至少一部分可穿过盖1210，可电连接到第一电极1121和第二电极1125中的至少一个，并且可与第二疏水层1330接触。因此，谐振部1120可电连接到体声波谐振器封装件100g外部的外部装置。 [0290]第二疏水层1330可设置在盖1210的与盖1210的面向基板1110的表面(例如，下表面)相对的表面(例如，上表面)上，并且可比盖1210更疏水。因此，可减少连接图案11320对在形成接合构件1220的工艺中可能产生的有机物质、水分或其他异物的吸附，使得可进一步减少连接图案11320中的传输损耗。 [0291]在示例中，在基板1110和/或盖1210的一部分中存在孔的状态下，可通过在孔的侧壁上沉积、涂覆或填充导电金属(例如，金、铜、钛-铜(Ti-Cu)合金或其他合适的材料)的工艺来形成连接图案11320。 [0292]可省略在基板1110和/或盖1210的一部分中形成孔的工艺。在示例中，谐振部1120可通过引线接合接收电信号。 [0293]凸块1310可具有支撑体声波谐振器封装件100f和100g的结构，使得体声波谐振器封装件100f和100g可在其一侧上安装在外部印刷电路板(PCB)上。在示例中，连接图案11320的一部分可具有接触凸块1310的焊盘形状。 [0294]根据本公开的实施例的体声波谐振器滤波器和体声波谐振器封装件可有效地改善性能(例如，损耗特性、频率限制特性、最大功率特性、发热特性、线性特性、衰减特性或其他特性)。 [0295]虽然本公开包括具体示例，但是在理解本申请的公开内容之后将易于理解的是，在不脱离权利要求及其等同方案的精神和范围的情况下，可在形式和细节上对这些示例做出各种改变，例如，不同的实施例中的技术特征可以彼此进行组合。因此，本公开的范围不由具体实施方式限定，而是由权利要求及其等同方案限定，并且在权利要求及其等同方案的范围内的全部变型将被解释为被包括在本公开中。