CN218827147U
有效
一种耦合板HEMT器件
本实用新型公开了一种耦合板HEMT器件，在基底层上设置包括栅极、第一钝化层、第二钝化层和感应金属板的耦合板，其中T型栅通过高介电常数的第二钝化层对感应金属板的耦合效应实现了类似于场板的作用，降低了栅极靠近漏极侧的电场峰值，有效提升了HEMT器件的击穿电压，同时避免了大面积场板带来的寄生电容效应，实现了兼顾高耐压与高频率的HEMT器件。本实用新型可广泛应用于半导体技术领域。
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| 专利时间轴 | |
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| 专利类型/受理局 | UTILITY( CN) |
| [标]当前申请（专利权）人 | 河源市众拓光电科技有限公司 |
| 当前申请（专利权）人 |
河源市众拓光电科技有限公司 517000 广东省河源市高新技术开发区高新五路、泥金路西边 |
| [标]原始申请（专利权）人 | 河源市众拓光电科技有限公司 |
| 原始申请（专利权）人 | 河源市众拓光电科技有限公司 517000 广东省河源市高新技术开发区高新五路、泥金路西边 |
| IPC分类号 |
IPC(8):
H01L29/778H01L29/40H01L29/423H01L21/335
+4
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| 技术主题分类 | |
| 应用领域分类 | |
| 发明人 |
李国强 |
| 代理机构 |
广州嘉权专利商标事务所有限公司 (郑宏谋) |
