1.一种耦合板HEMT器件，其特征在于，包括：
基底层，包括AlGaN/GaN异质结；
源极，设置在所述基底层的一侧；
漏极，设置在所述基底层的设置有所述源极的一侧；
耦合板，包括栅极、第一钝化层、第二钝化层和感应金属板，所述栅极设置在所述基底层设置有所述源极的一侧，所述栅极为T型栅，所述第一钝化层设置在所述基底层的设置有所述源极的一侧，所述第二钝化层设置在所述第一钝化层远离所述基底层的一侧，所述感应金属板设置在所述第一钝化层和所述第二钝化层之间，所述感应金属板在垂直空间上与所述栅极的栅帽部分重叠，所述感应金属板位于所述源极和所述漏极之间靠近所述漏极的一侧，所述栅极位于所述感应金属板远离所述漏极的一侧，所述感应金属板不接触所述栅极。
2.根据权利要求1所述的一种耦合板HEMT器件，其特征在于，所述基底层包括：
衬底；
缓冲层，设置在所述衬底的一侧；
沟道层，设置在所述缓冲层远离所述衬底的一侧；
势垒层，设置在所述沟道层远离所述缓冲层的一侧，所述势垒层远离所述沟道层的一侧设置有所述源极。
3.根据权利要求2所述的一种耦合板HEMT器件，其特征在于，所述衬底包括金刚石衬底、蓝宝石衬底、GaN衬底、硅衬底和碳化硅衬底中的任意一种。
4.根据权利要求2所述的一种耦合板HEMT器件，其特征在于，所述沟道层采用GaN制备而成。
5.根据权利要求1所述的一种耦合板HEMT器件，其特征在于，所述第一钝化层采用Al2O3和SiO2中的任意一种制备而成。
6.根据权利要求1所述的一种耦合板HEMT器件，其特征在于，所述第二钝化层采用TiO2、La2O3、HfO2和Y2O3中的任意一种制备而成。
