1.一种多芯片器件包括：
基底，其包括处于其中的低密度互连电路；
基底上的无机中介件，该无机中介件包括电气连接至低密度互连电路的高密度互连电路，该无机中介件包括无机材料；以及
电气连接至无机中介件的两个或更多芯片，该两个或更多芯片通过高密度互连电路彼此电气连接。
2.根据权利要求1所述的器件，其中该无机中介件包括基底上的氮化硅和氮化硅上的氧化硅。
3.根据权利要求2所述的器件，其中该无机中介件进一步包括氧化硅上的另一氮化硅。
4.根据权利要求1所述的器件，其中该高密度互连电路包括小于约2微米的行宽度和行间隔。
5.根据权利要求1所述的器件，其中该无机中介件包括双镶嵌基底。
6.根据权利要求1所述的器件，其中该无机中介件包括处在电路层和堆积层之间的导电晶种材料。
7.根据权利要求1所述的器件，其中该两个或更多个芯片包括逻辑芯片和存储器芯片。
8.一种形成无机中介件的方法包括：
将无机材料沉积在基底上，该基底包括处于其中的低密度互连电路；
使抗蚀材料位于无机材料上；
蚀刻被抗蚀材料暴露的无机材料；
在蚀刻之后沉积晶种层；以及
将铜电镀在晶种层上。
9.根据权利要求8所述的方法，其中该无机材料是包括氮化硅和氧化硅的多种无机材料中的一种，并且使用镶嵌工艺来构建无机中介件，该镶嵌工艺包括：
将第一氮化硅沉积在基底上，该基底包括处于其中的低密度互连电路；
将氧化硅沉积在第一氮化硅上；
将第二氮化硅沉积在氧化硅上；
使抗蚀材料位于第二氮化硅上；
蚀刻被抗蚀材料暴露的第二氮化硅和氧化硅；
在蚀刻之后沉积晶种层；以及
将铜电镀在晶种层上。
10.根据权利要求9所述的方法，进一步包括在沉积晶种层之前在基底中用激光钻出通孔。
11.根据权利要求9所述的方法，进一步包括移除电镀的铜以暴露被蚀刻的第二氮化硅。
12.根据权利要求11所述的方法，进一步包括：
在第二氮化硅上沉积第二氧化硅，以及
在第二氧化硅上沉积第三氮化硅。
13.根据权利要求12所述的方法，进一步包括：
使第二抗蚀材料位于第三氮化硅上；以及
蚀刻第二氧化硅和第三氮化硅的暴露部分以暴露电镀铜的部分。
14.根据权利要求13所述的方法，进一步包括：
将第二晶种层沉积在第三氮化硅上和电镀铜的暴露部分上；以及
将铜电镀在第二晶种层上。
15.根据权利要求8所述的方法，进一步包括使用半加成工艺来构建无机中介件，该半加成工艺包括：
将氧化硅沉积在堆积层上；
使第三抗蚀材料位于氧化物上；
蚀刻被抗蚀材料暴露的氧化物和堆积层的部分以暴露基底的低密度互连电路和堆积层的部分；
将晶种层溅射在被暴露的低密度互连电路上和堆积层的部分上；
使图案镀抗蚀材料位于晶种层上；
将铜电镀在被图案镀抗蚀材料暴露的晶种层的部分上；
剥离图案镀抗蚀材料；以及
将另一氧化硅材料沉积在铜和堆积层的暴露表面上。
16.根据权利要求8所述的方法，进一步包括使用减成工艺来构建无机中介件，该减成工艺包括：
将氧化硅沉积在堆积层上；
使第三抗蚀材料位于氧化物上；
蚀刻被抗蚀材料暴露的氧化物和堆积层的部分以暴露基底的低密度互连电路和堆积层的部分；
将晶种层溅射在被暴露的低密度互连电路上和堆积层的部分上；
将铜电镀在晶种层上；
使第四抗蚀材料位于被电镀的铜上；
将被电镀的铜的暴露部分蚀刻到堆积层；
剥离第四抗蚀材料；以及
将另一氧化硅材料沉积在铜和堆积层的暴露表面上。
17.一种器件包括：
基底，其包括处于其中的低密度互连电路；
基底上的无机中介件，该无机中介件包括电气连接至低密度互连电路的高密度互连电路，该无机中介件包括交替的无机材料层；
电气连接至无机中介件的两个或更多芯片，该两个或更多芯片通过高密度互连电路彼此电气连接；以及
表面抛光层，其位于过渡层与两个或更多芯片之间。
18.根据权利要求17所述的器件，其中该无机材料包括氮化硅和氧化硅。
19.根据权利要求18所述的器件，其中该高密度互连电路包括小于约2微米的行宽度和行间隔。
20.根据权利要求17所述的器件，其中该两个或更多个芯片包括逻辑芯片和存储器芯片。
