1.一种降低CMOS电路静态功耗的数据依赖性的结构,其中静态CMOS电路(100)包含PMOS(104)和NMOS(105)块的标准连接,其中PMOS(104)块连接在虚拟电路之间。 电源节点(102)连接到电源轨和输出O(101),NMOS块(105)连接在连接到地轨的虚拟接地节点(103)和输出O(101)之间,其特征在于 第一平衡反相器(200)的输出连接到静态CMOS电路(100)的输出(101),其输出(201)是整个电路的输出(Y),和/或 虚拟电源节点(102)通过串行 P 型晶体管(111)连接到电源轨,其漏极(D)连接到虚拟电源节点(102),源极(S)连接到电源 轨,以及端子(113)、栅极(G)连接到接地轨,和/或虚拟接地节点(103)通过串联N型晶体管(112)、漏极连接到接地轨 其(D)连接到虚拟接地节点(103),源极(S)连接到地轨,端子(114),栅极(G)连接到电源轨,和/或 互补P型晶体管(121)的源极(S)连接到虚拟电源节点(102),其漏极(D)连接到输出O(101)和端子(123), 栅极(G)连接到电源轨和/或虚拟接地节点(103),互补N型晶体管(122)的源极(S)连接,其漏极(D)是 连接到输出O(101),并且端子(124)、栅极(G)连接到地轨。 2.根据权利要求1所述的结构,其中N型串联晶体管(112)的端子(114)、栅极(G)与电源轨和/或 P型互补晶体管(121)的端子(123)、栅极(G)与电源导体的互连通过连接到由P型晶体管(131)形成的光照敏感反相器的输出来实现 ,其源极(S)连接到电源轨,漏极(D)通过公共节点(135)连接到N型晶体管(132)的漏极(D),其源极(S)连接 到接地轨,P型晶体管(131)和N型晶体管(132)的栅极(G)连接到接地轨,其中公共节点(135)是以下的输出(C1) 第一控制信号,它连接到端子(114),N 型串联晶体管(112)的栅极(G)和端子(123),互补 P 型的栅极(G) 晶体管(121)和/或来自照度敏感反相器的第一控制信号的输出(C1),反相器(133)的输入与第二控制信号(C2)的输出(134)连接,其中连接 串联 P 型晶体管(111)的栅极(G)和/或互补 N 型晶体管(122)的栅极(G)与地轨的连接通过连接到输出端(134 )的第二控制信号(C2),其连接到串联P型晶体管(111)的栅极(G)的端子(113)和/或互补N的栅极(G)的端子(124) 型晶体管(122)。 3.根据权利要求1或2中任一项所述的结构,其中第二平衡逆变器(300)的输入连接到第一平衡逆变器(200)的输出(201),其输出(301)是第一平衡逆变器(200)的负输出。 结构并且还连接到反馈反相器(400),其输出连接到第一平衡反相器(200)的输出(201),其中该反馈反相器(400)被实现为相对于第一平衡的弱反相器 逆变器 (200)。