1.一种双传输门，包括：
第一PMOS晶体管，设置在电子器件设计基板面的多行中的第一行内，配置为接收第一时钟信号；
第一NMOS晶体管，设置在所述多行中的第二行内，配置为接收第二时钟信号；
第二PMOS晶体管，设置在所述多行中的第三行内，配置为接收所述第二时钟信号；
第二NMOS晶体管，设置在所述多行中的第四行内，配置为接收所述第一时钟信号，其中，所述第一行、所述第二行、所述第三行和所述第四行为彼此不同的行；
第一区和第二区，对应于第一时钟信号，分别沿着所述第一行和所述第四行设置在半导体堆叠件的第一互连层内；
第三区，沿着所述电子器件设计基板面的多列中的第一列设置在所述半导体堆叠件的第二互连层内，并且配置为电连接所述第一区和所述第二区。
2.根据权利要求1所述的双传输门，其中，所述第一区配置为电连接至沿所述多列中的第二列设置在所述半导体堆叠件的多晶硅层内的多晶硅材料的第一区，所述多晶硅材料的第一区配置为形成所述第一PMOS晶体管的第一栅极区，以及
其中，所述第二区配置为电连接至沿所述第二列设置在所述半导体堆叠件的多晶硅层内的多晶硅材料的第二区，所述多晶硅材料的第二区配置为形成所述第二NMOS晶体管的第二栅极区。
3.根据权利要求1所述的双传输门，其中，所述第一互连层包括：所述半导体堆叠件的第一金属层，以及
其中，所述第二互连层包括：
所述半导体堆叠件的多晶硅层；
所述半导体堆叠件的氧化物扩散(OD)层；
所述半导体堆叠件的第二金属层。
4.根据权利要求1所述的双传输门，还包括：
第四区，对应于所述第二时钟信号，沿所述第三行设置在所述第一互连层内，
其中，所述第四区配置为电连接至沿所述多列中的第二列设置在所述半导体堆叠件的多晶硅层内的多晶硅材料的第一区，所述多晶硅材料的第一区配置为形成所述第一NMOS晶体管的第一栅极区和所述第二PMOS晶体管的第一栅极区。
5.根据权利要求1所述的双传输门，还包括：
第四区，对应于所述双传输门的第一输入端子，设置为沿所述多列中的第二列设置，所述第四区配置为形成所述第一PMOS晶体管的第一源极/漏极区和所述第一NMOS晶体管的第一源极/漏极区；以及
第五区，对应于所述双传输门的第二输入端子，设置为沿所述第二列，所述第五区配置为形成所述第二PMOS晶体管的第一源极/漏极区和所述第二NMOS晶体管的第一源极/漏极区。
6.根据权利要求5所述的双传输门，还包括：
导电材料的第六区，对应于所述双传输门的输出端子，设置为沿所述多列中的第三列，所述第六区配置为形成第一PMOS晶体管的第二源极/漏极区、所述第一NMOS晶体管的第二源极/漏极区、所述第二PMOS晶体管的第二源极/漏极区和所述第二NMOS晶体管的第二源极/漏极区。
7.根据权利要求1所述的双传输门，其中，沿所述多列中的第二列设置所述第一PMOS晶体管、所述第一NMOS晶体管、所述第二PMOS晶体管和所述第二NMOS晶体管中的至少两个。
8.根据权利要求7所述的双传输门，其中，沿所述多列中的第三列设置所述第二PMOS晶体管和所述第二NMOS晶体管。
9.根据权利要求1所述的双传输门，还包括：
第四区和第五区，对应于所述第二时钟信号，设置在所述半导体堆叠件的所述第一互连层内；
其中，所述第四区配置为电连接至沿所述多列中的第二列设置在所述半导体堆叠件的多晶硅层内的多晶硅材料的第一区，所述多晶硅材料的第一区配置为形成所述第一NMOS晶体管的第一栅极区，以及
其中，所述第五区配置为电连接至沿所述第二列设置在所述多晶硅层内的多晶硅材料的第二区，所述多晶硅材料的第五区配置为形成所述第二PMOS晶体管的第二栅极区；以及
第六区，沿所述多列中的第三列设置在所述半导体堆叠件的所述第二互连层内，配置为电连接所述第四区和所述第五区。
10.一种双传输门，包括：
第一对CMOS晶体管，设置在电子器件设计基板面的多列中的第一列内，布置为形成第一传输门，所述第一传输门配置为响应于处于第一逻辑电平的第一时钟信号和处于第二逻辑电平的第二时钟信号，在第一端子和第二端子之间传送第一信号；
第二对CMOS晶体管，设置在所述电子器件设计基板面的多列中的第二列内，布置为形成第二传输门，所述第二传输门配置为响应于处于第二逻辑电平的第一时钟信号和处于第一逻辑电平的第二时钟信号，在所述第二端子和第三端子之间传送第二信号；
第一区和第二区，对应于所述第一时钟信号，并且分别沿所述电子器件设计基板面的多行中的第一行和第二行设置在半导体堆叠件的第一互连层内；
第三区，沿所述电子器件设计基板面的所述多列中的所述第二列设置在所述半导体堆叠件的第二互连层内，配置为电连接所述第一区和所述第二区；
第四区和第五区，对应于所述第二时钟信号，分别沿所述多行中的第三行和第四行设置在所述半导体堆叠件的所述第一互连层内；以及
第六区，沿所述电子器件设计基板面的所述多列中的第三列设置在所述半导体堆叠件的所述第二互连层内，配置为电连接所述第四区和所述第五区。
11.根据权利要求10所述的双传输门，其中，所述第一互连层包括：所述半导体堆叠件的第一金属层，以及
其中，所述第二互连层包括：
所述半导体堆叠件的多晶硅层；
所述半导体堆叠件的氧化物扩散(OD)层；
所述半导体堆叠件的第二金属层。
12.根据权利要求10所述的双传输门，其中，所述第三区的长度等于所述第六区的长度。
13.根据权利要求10所述的双传输门，其中，所述第一对互补金属氧化物半导体场效应晶体管包括：
第一PMOS晶体管，设置在所述电子器件设计基板面的所述多行中的所述第一行内；以及
第一NMOS晶体管，设置在所述多行中的第二行内，以及
其中，所述第二对互补金属氧化物半导体场效应晶体管包括：
第二PMOS晶体管，设置在所述多行中的第三行内；以及
第二NMOS晶体管，设置在所述多行中的第四行内。
14.根据权利要求13所述的双传输门，还包括：
第七区，对应于所述第一端子，设置为沿所述多列中的第四列，所述第七区配置为形成所述第一PMOS晶体管的第一源极/漏极区和所述第一NMOS晶体管的第一源极/漏极区；
第八区，对应于所述第三端子，设置为沿所述第四列，所述第八区配置为形成所述第二PMOS晶体管的第一源极/漏极区和所述第二NMOS晶体管的第一源极/漏极区；以及
导电材料的第九区，对应于所述第二端子，沿所述多列中的第五列，所述第九区配置为形成所述第一PMOS晶体管的第二源极/漏极区、所述第一NMOS晶体管的第二源极/漏极区、所述第二PMOS晶体管的第二源极/漏极区和所述第二NMOS晶体管的第二源极/漏极区。
15.根据权利要求13所述的双传输门，还包括：
其中，所述第一区配置为电连接至沿所述多列中的第四列设置在所述半导体堆叠件的多晶硅层内的多晶硅材料的第一区，所述多晶硅材料的第一区配置为形成所述第一PMOS晶体管的第一栅极区，
其中，所述第二区配置为电连接至沿所述第四列设置在所述半导体堆叠件的多晶硅层内的多晶硅材料的第二区，所述多晶硅材料的第二区配置成形成所述第二NMOS晶体管的第二栅极区，
其中，所述第四区配置为电连接至沿所述第四列设置在所述半导体堆叠件的多晶硅层内的多晶硅材料的第三区，所述多晶硅材料的第四区配置成形成所述第二PMOS晶体管的第一栅极区，以及
其中，所述第五区配置为电连接至沿所述第四列设置在所述半导体堆叠件的多晶硅层内的多晶硅材料的第四区，所述多晶硅材料的第五区配置为形成所述第一NMOS晶体管的第二栅极区。
16.一种双传输门，具有第一输入端子、第二输入端子和输出端子，所述双传输门包括：
第一PMOS晶体管，具有与所述第一输入端子相对应的第一源极/漏极区，与所述输出端子相对应的第二源极/漏极区，以及配置为接收第一时钟信号的第一栅极区；
第一NMOS晶体管，具有与所述第一输入端子相对应的第三源极/漏极区、与所述输出端子相对应的第四源极/漏极区，以及配置为接收第二时钟信号的第二栅极区；
第二PMOS晶体管，具有与所述第二输入端子相对应的第五源极/漏极区、与所述输出端子相对应的第六源极/漏极区、以及配置为接收所述第一时钟信号的第三栅极区；
第二NMOS晶体管，具有与所述第二输入端子相对应的第七源极/漏极区、与所述输出端子相对应的第八源极/漏极区、以及配置为接收所述第二时钟信号的第四栅极区；
第一区和第二区，对应于所述第一时钟信号，沿电子器件设计基板面的多行中的第一行和第二行的设置在半导体堆叠件的第一互连层内；
第三区，沿所述电子器件设计基板面的多列中的第一列设置在所述半导体堆叠件的第二互连层内，配置为电连接所述第一区和所述第二区。
17.根据权利要求16所述的双传输门，其中，所述第一互连层包括：
所述半导体堆叠件的第一金属层，以及
其中，所述第二互连层包括：
所述半导体堆叠件的多晶硅层；
所述半导体堆叠件的氧化物扩散(OD)层；
所述半导体堆叠件的第二金属层。
18.根据权利要求16所述的双传输门，其中，沿所述第一行设置所述第一PMOS晶体管，以及
其中，沿所述第二行设置所述第二NMOS晶体管。
19.根据权利要求17所述的双传输门，其中，沿所述多行中的介于所述第一行和所述第二行之间的第三行设置第一NMOS晶体管，以及
其中，沿所述多行中的介于所述第二行和所述第三行之间的第四行设置所述第二PMOS晶体管。
20.根据权利要求16所述的双传输门，其中，沿所述多列中的第二列设置所述第一PMOS晶体管、所述第一NMOS晶体管、所述第二PMOS晶体管和所述第二NMOS晶体管中的至少两个。
