CN115948123A
审中
一种单晶硅碱抛光添加剂及碱抛光方法
本发明公开了一种单晶硅碱抛光添加剂及碱抛光方法，按照重量百分比，由以下组分组成：反应促进剂2‑4％，缓蚀阻垢剂1‑2％，光亮剂0.1‑0.5％，润湿剂0.01‑0.03％，脱泡剂0.5‑1％，余量为去离子水。本发明提供的一种单晶硅碱抛光添加剂及碱抛光方法，其可以实现低减重下的良好抛光效果，降低薄片化大趋势下的碎片率以及提高刻蚀后的背面平整度和反射率，进而降低太阳能电池制造成本以及提高太阳能电池的转换效率。
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| 专利时间轴 | |
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| 专利类型/受理局 | APPLICATION( CN) |
| [标]当前申请（专利权）人 | 嘉兴市小辰光伏科技有限公司 |
| 当前申请（专利权）人 |
嘉兴市小辰光伏科技有限公司 314031 浙江省嘉兴市秀洲区康和路1288号嘉兴光伏科创园3号楼10F1001室 |
| [标]原始申请（专利权）人 | 嘉兴市小辰光伏科技有限公司 |
| 原始申请（专利权）人 | 嘉兴市小辰光伏科技有限公司 314031 浙江省嘉兴市秀洲区康和路1288号嘉兴光伏科创园3号楼10F1001室 |
| IPC分类号 |
IPC(8):
C09G1/18C30B33/10H01L31/18H01L21/02C09K13/02
+5
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| 技术主题分类 | |
| 应用领域分类 | |
| 发明人 |
常帅锋 周浩 武圆圆 李斯良 丁雁鸿 |
| 代理机构 |
浙江嘉腾专利代理有限公司 (黄江) |
