1.一种单晶硅碱抛光添加剂，其特征在于，按照重量百分比，由以下组分组成：
余量为去离子水。
2.根据权利要求1所述的单晶硅碱抛光添加剂，其特征在于，所述反应促进剂为香兰素、苦味酸、过氧乙酸、苯胺中一种或两种以上的组合。
3.根据权利要求1所述的单晶硅碱抛光添加剂，其特征在于，所述缓蚀阻垢剂为2-羟基膦酸基乙酸、双1，6-亚己基三胺五甲叉膦酸、苯骈三氮唑、膦酰基羧酸共聚物、双1，6-亚己基三胺五甲叉膦酸中的一种或者两种以上的组合。
4.根据权利要求1所述的单晶硅碱抛光添加剂，其特征在于，所述光亮剂为烟酸、苯甲酸钠、壬基酚聚氧乙烯醚、苄叉丙酮、聚对苯乙烯磺酸钠中的一种或两种以上的组合。
5.根据权利要求1所述的单晶硅碱抛光添加剂，其特征在于，所述润湿剂为丙二醇、吐温-80、聚乙二醇200-400、二甲基亚砜、聚氧乙烯脂肪醇醚等物质中的一种或者两种以上的组合。
6.根据权利要求1所述的单晶硅碱抛光添加剂，其特征在于，所述脱泡剂为百合提取物、灰树花提取物、石斛提取物、白桦茸提取物、金针菇提取物中的一种或两种以上组合。
7.一种单晶硅碱抛光方法，根据权利要求1-6任一所述的单晶硅碱抛光添加剂，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1、配制添加剂
将质量百分含量为2％～4％的反应促进剂、1％～2％的缓蚀阻垢剂、0.1％～0.5％的光亮剂、0.01％～0.03％的润湿剂、0.5％～1％脱泡剂加入到余量的水中，混合均匀配成添加剂；
步骤S2、配制抛光液
将步骤S1制成的添加剂加到碱液中，混合均匀配成抛光液；添加剂与碱液的质量比为10～15:100；碱液为NaOH溶液或KOH溶液，且质量浓度为45％；
步骤S3、抛光处理
利用步骤S2制得的抛光液对硅片背面进行抛光处理，抛光处理的温度控制在60～65℃，时间控制在130s～240s。
8.根据权利要求7所述的单晶硅碱抛光方法，其特征在于，
所述促进剂选自香兰素、苦味酸、过氧乙酸、苯胺中的一种或多种；
所述缓蚀阻垢剂选自2-羟基膦酸基乙酸、双1，6-亚己基三胺五甲叉膦酸、苯骈三氮唑、膦酰基羧酸共聚物、双1，6-亚己基三胺五甲叉膦酸中的一种或多种；
所述光亮剂选自烟酸、苯甲酸钠、壬基酚聚氧乙烯醚、苄叉丙酮、聚对苯乙烯磺酸钠中的一种或多种；
所述润湿剂选自丙二醇、吐温-80、聚乙二醇200-400、二甲基亚砜、聚氧乙烯脂肪醇醚中的一种或多种；
所述脱泡剂选自百合提取物、灰树花提取物、石斛提取物、白桦茸提取物、金针菇提取物中的一种或多种。
