1.一种MEMS封装结构，其特征在于，包括：
MEMS芯片，所述MEMS芯片具有封闭的微腔和用于连接外部电信号的接触垫；
器件晶圆，所述器件晶圆具有彼此相对的第一表面和第二表面，所述MEMS芯片接合于所述第一表面，所述器件晶圆中设置有与所述MEMS芯片对应的控制单元；
互连结构，位于所述器件晶圆中，所述互连结构与所述接触垫和所述控制单元均电连接；以及
再布线层，设置于所述第二表面，所述再布线层与所述互连结构电连接。
2.如权利要求1所述的MEMS封装结构，其特征在于，多个所述MEMS芯片设置于所述第一表面，且多个所述MEMS芯片根据制作工艺区分属于相同或不同的类别。
3.如权利要求1所述的MEMS封装结构，其特征在于，多个所述MEMS芯片设置于所述第一表面，且多个所述MEMS芯片根据对应的微腔内的真空度区分属于相同或不同的类别。
4.如权利要求1所述的MEMS封装结构，其特征在于，多个所述MEMS芯片设置于所述第一表面，且多个所述MEMS芯片包括陀螺仪、加速度计、惯性传感器、压力传感器、位移传感器、微致动器中的至少一种。
5.如权利要求1所述的MEMS封装结构，其特征在于，所述控制单元包括一个或多个MOS晶体管。
6.如权利要求5所述的MEMS封装结构，其特征在于，所述互连结构包括：
第一导电插塞和第二导电插塞，所述第一导电插塞至少贯穿部分所述器件晶圆并与所述控制单元电连接，所述第二导电插塞贯穿所述器件晶圆并与所述接触垫电连接，其中，所述再布线层与所述第一导电插塞和所述第二导电插塞均电连接。
7.如权利要求6所述的MEMS封装结构，其特征在于，所述器件晶圆中还设置有隔离结构，所述隔离结构位于相邻的MOS晶体管之间，所述第一导电插塞和所述第二导电插塞均贯穿所述隔离结构。
8.如权利要求1所述的MEMS封装结构，其特征在于，还包括：
接合层，所述接合层覆盖所述第一表面，所述MEMS芯片通过所述接合层接合于所述第一表面；以及
封装层，所述封装层覆盖所述MEMS芯片和所述接合层。
9.如权利要求8所述的MEMS封装结构，其特征在于，所述接合层包括胶黏材料。
10.如权利要求9所述的MEMS封装结构，其特征在于，所述胶黏材料包括干膜。
11.如权利要求1所述的MEMS封装结构，其特征在于，所述微腔内填充有阻尼气体或者为真空。
12.如权利要求1所述的MEMS封装结构，其特征在于，所述再布线层包括再布线以及与所述再布线电连接的焊垫。
13.一种MEMS封装结构的制作方法，其特征在于，包括：
提供MEMS芯片和用于控制所述MEMS芯片的器件晶圆，所述MEMS芯片具有封闭的微腔和用于连接外部电信号的接触垫，所述器件晶圆具有第一表面，所述器件晶圆中形成有控制单元；
将所述MEMS芯片接合于所述第一表面；
在所述器件晶圆中形成互连结构，所述互连结构与所述接触垫和所述控制单元均电连接；以及
形成再布线层于所述器件晶圆的与所述第一表面相对的一侧表面，所述再布线层与所述互连结构电连接。
14.如权利要求13所述的MEMS封装结构的制作方法，其特征在于，将所述MEMS芯片接合于所述第一表面的步骤包括：
形成接合层，利用所述接合层接合所述MEMS芯片与所述第一表面；以及
形成封装层，所述封装层覆盖所述MEMS芯片和所述接合层。
15.如权利要求13所述的MEMS封装结构的制作方法，其特征在于，在所述器件晶圆中形成所述互连结构的步骤包括：
在所述器件晶圆中形成第一导电插塞和第二导电插塞，所述第一导电插塞至少贯穿部分所述器件晶圆并与所述控制单元电连接，所述第二导电插塞贯穿所述器件晶圆并与所述接触垫电连接，其中，所述第一导电插塞和所述第二导电插塞的一端在所述器件晶圆的与所述第一表面相对的一侧表面被暴露出来。
16.如权利要求13所述的MEMS封装结构的制作方法，其特征在于，在所述器件晶圆中形成所述互连结构之前，还包括：
从所述器件晶圆的与所述第一表面相对的一侧沿厚度方向减薄所述器件晶圆。
