1.一种基于圆弧型悬臂微桥的静电调谐滤波器，其特征在于，该静电调谐滤波器由下而上依次的硅衬底层(1)、底部“回”字形金电极层(2)、空气悬空层(3)、顶部“S”形硅桥面层(4)和顶部金“插指”电极层(5)构成；该静电调谐滤波器的俯视图呈正方形，所述的硅顶部桥面层(4)的桥面悬臂拐角(41)和桥腿固定连接处(42)为“圆弧”结构，所述的顶部金“插指”电极层(5)的四个内边各有一根“插指”电极(51)，该“插指”电极(51)的固定端(512)的圆弧半径R与所述的硅顶部桥面层(4)的拐角的桥面圆弧(41)，即桥腿固定处的圆弧半径(R1)一致，所述的四根“插指”电极(51)各自沿逆时针方向向对边延伸，所述的“插指”电极(51)的末端(511)与相邻内边的硅顶部桥面层(4)的桥面圆弧(41)的拐角的直径齐平，所述的“插指”电极(51)下的硅顶部桥面层(4)的桥面与所述的底部金电极层“回”字形区域(2)直接面对。
2.权利要求1所述的基于圆弧型悬臂微桥工艺的静电调谐滤波器的制备方法，其特征在于包括下列步骤：
1)在所述的硅衬底层(1)上用光刻剥离工艺，制作所述的金底部电极层(2)，底部电极整体呈现“回”字形,中间区域为滤波器透光区域；四周为电极，用于施加静电偏置电压；
2)在所述的金底部电极层(2)上CVD方法生长牺牲层(3’)；
3)在所述的牺牲层(3’)上用CVD方法生长一层硅，再采用微纳加工方法，利用光刻胶作为刻蚀掩膜材料，用反应离子刻蚀(RIE)的方法刻蚀加工得到所述的硅顶部桥面层(4)图形，注意所述的桥面悬臂拐角(41)和桥腿固定连接处(42)为“圆弧”形；
4)用光刻剥离工艺制作顶部金电极层(5)，包括四根顶部“插指”电极(51)，所述的顶部“插指”电极(51)的固定端(512)的圆弧半径R与所述的顶部桥面层(4)的圆弧半径R一致，四根“插指”电极(51)的末端(511)与所述的圆弧拐角(41)的直径齐平；
5)用气体干法刻蚀方法，刻蚀释放所述的牺牲层(3’)的中间部分，得到所述的空气悬空层(3)，使所述的“插指”电极的硅顶部桥面层(4)与所述的金底部电极层“回”字区域(2)直接面对。
