CN115924838A 审中 一种MEMS器件及其制备方法、电子装置
本发明提供一种MEMS器件及其制备方法、电子装置,所述方法包括:提供基底,在基底上形成有第一牺牲层,在第一牺牲层上形成有振膜,在振膜上形成有第二牺牲层;在第二牺牲层上形成界面层;在第二牺牲层和界面层上形成第三牺牲层;在第三牺牲层上形成背板层,背板层中形成有释放孔;去除部分第二牺牲层和部分第三牺牲层,以形成空腔,使部分背板层悬置于振膜上方;在基底的第二表面形成背腔。本发明的方法通过设置界面层,在刻蚀时减少对于界面处材料的刻蚀损伤,从而改善界面性质,进而减少界面处裂缝。
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专利时间轴
  • 28 Dec 2022 申请日
    CN/202211694847.5
    优先权
  • 28 Dec 2022 申请日
    CN/115924838
    当前专利 申请号
  • 07 Apr 2023 公开(公告)日期
    CN115924838A
    申请号
专利类型/受理局 APPLICATION( CN)
[标]当前申请(专利权)人 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
当前申请(专利权)人 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司

312000 浙江省绍兴市皋埠镇临江路518号

[标]原始申请(专利权)人 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
原始申请(专利权)人 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司

312000 浙江省绍兴市皋埠镇临江路518号

IPC分类号
IPC(8): B81C1/00B81B7/02B81B7/00 +3
技术主题分类
应用领域分类
发明人

徐希锐

刘金磊

艾俊

代理机构

北京磐华捷成知识产权代理有限公司 (翟海青)

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