1.一种MEMS器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
提供基底，在所述基底的第一表面上形成有第一牺牲层，在所述第一牺牲层上形成有振膜，在所述振膜上形成有第二牺牲层；
在所述第二牺牲层的表面上形成界面层，所述界面层覆盖所述第二牺牲层的外周边缘区域；
在所述第二牺牲层和所述界面层上形成第三牺牲层；
在所述第三牺牲层的表面上形成背板层，所述背板层中形成有露出所述第三牺牲层的部分表面的释放孔；
去除部分所述第二牺牲层和部分所述第三牺牲层，以在所述背板层和所述振膜之间形成空腔，使部分所述背板层悬置于所述振膜上方；
在所述基底的第二表面形成背腔，其中，所述第二表面和所述第一表面相背，所述背腔自所述基底的所述第二表面贯穿所述基底以及所述第一牺牲层并露出所述振膜的部分表面。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述基底的第二表面形成背腔，包括：
在去除部分所述第二牺牲层和部分所述第三牺牲层之前，自所述基底的第二表面对所述基底进行减薄；
自所述基底的第二表面刻蚀所述基底停止于所述第一牺牲层，以形成腔体；
在去除部分所述第二牺牲层和部分所述第三牺牲层的同时去除部分所述第一牺牲层，以形成所述背腔。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，去除部分所述第一牺牲层、部分所述第二牺牲层和部分所述第三牺牲层，包括：
采用湿法刻蚀去除部分所述第一牺牲层、部分所述第二牺牲层和部分所述第三牺牲层，其中，所述湿法刻蚀对所述第一牺牲层、所述第二牺牲层和所述第三牺牲层的第一刻蚀速率高于对所述界面层的第二刻蚀速率。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一刻蚀速率是所述第二刻蚀速率的两倍或两倍以上。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述第二牺牲层和所述第三牺牲层中预定形成空腔的区域外侧形成通孔，所述通孔露出所述振膜的部分表面；
形成再布线层，所述再布线层覆盖所述通孔的底部和侧壁并部分延伸到所述第三牺牲层的表面上；
在所述再布线层上形成第一焊盘，在所述背板层上形成第二焊盘，其中，所述第一焊盘通过所述再布线层电连接所述振膜，所述第二焊盘电连接所述背板层。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述界面层呈环状。
7.一种MEMS器件，其特征在于，所述MEMS器件包括：
基底，所述基底包括第一表面和与所述第一表面相背的第二表面；
第一牺牲层，覆盖所述基底的第一表面的部分区域；
振膜，位于所述第一牺牲层上，且所述振膜的外周边缘区域搭接于所述第一牺牲层；
第二牺牲层，覆盖部分所述振膜；
界面层，覆盖所述第二牺牲层的外周边缘区域；
第三牺牲层，覆盖所述第二牺牲层和所述界面层；
背板层，部分所述背板层悬置于所述振膜上方，所述背板层的外周边缘覆盖所述第三牺牲层；
空腔，形成在所述背板层和所述振膜之间，并贯穿所述第二牺牲层和所述第三牺牲层；
背腔，自所述基底的所述第二表面贯穿所述基底以及所述第一牺牲层并露出所述振膜的部分表面。
8.根据权利要求7所述的MEMS器件，其特征在于，所述界面层的外边缘凸出于所述第二牺牲层的边缘和所述第三牺牲层的边缘；和/或，所述界面层呈环状。
9.根据权利要求7所述的MEMS器件，其特征在于，所述MEMS器件还包括：
多个释放孔，多个所述释放孔相互间隔设置并且穿透所述背板层，所述释放孔露出所述振膜；
再布线层，在所述空腔外侧的所述第二牺牲层和所述第三牺牲层中形成有通孔，所述通孔露出所述振膜的部分表面，所述再布线层覆盖所述通孔的底部和侧壁并部分延伸到所述第三牺牲层的表面上；
第一焊盘和第二焊盘，所述第一焊盘设置于所述再布线层上，所述第二焊盘设置于所述背板层上，其中，所述第一焊盘通过所述再布线层电连接所述振膜，所述第二焊盘电连接所述背板层。
10.一种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括权利要求7至9之一所述的MEMS器件。
