JP2023052829A 审中 储存设备
本发明提供一种兼具高温保持动作和低温高速动作的存储装置。 存储装置包括驱动电路和多个存储单元,每个存储单元包括晶体管和电容器,并且每个晶体管包括沟道形成区中的金属氧化物。 当晶体管具有第一栅极和第二栅极时,驱动电路具有驱动第二栅极的功能,驱动电路在存储单元保持数据的同时驱动存储设备的第二栅极。它输出对应于温度或存储设备安装环境的温度。
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专利时间轴
  • 01 Feb 2023 申请日
    JP/2023014102
    优先权
  • 01 Feb 2023 申请日
    JP/2023052829
    当前专利 申请号
  • 12 Apr 2023 公开(公告)日期
    JP2023052829A
    申请号
专利类型/受理局 APPLICATION( JP)
[标]当前申请(专利权)人 株式会社半導体エネルギー研究所
当前申请(专利权)人 株式会社半導体エネルギー研究所

神奈川県厚木市長谷398番地

[标]原始申请(专利权)人 株式会社半導体エネルギー研究所
原始申请(专利权)人 株式会社半導体エネルギー研究所

神奈川県厚木市長谷398番地

IPC分类号
IPC(8): G11C11/408G11C7/04H10B12/00H10B41/70H10B99/00 +5
技术主题分类
应用领域分类
发明人

山崎 舜平 (神奈川県厚木市長谷398番地 株式会社半導体エネルギー研究所内)

木村 肇 (神奈川県厚木市長谷398番地 株式会社半導体エネルギー研究所内)

上妻 宗広 (神奈川県厚木市長谷398番地 株式会社半導体エネルギー研究所内)

青木 健 (神奈川県厚木市長谷398番地 株式会社半導体エネルギー研究所内)

井上 広樹 (神奈川県厚木市長谷398番地 株式会社半導体エネルギー研究所内)

原田 伸太郎 (神奈川県厚木市長谷398番地 株式会社半導体エネルギー研究所内)

松林 大介 (神奈川県厚木市長谷398番地 株式会社半導体エネルギー研究所内)

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