CN111524637B 有效 同位素温差电池气路接口一次密封及二次密封保护的方法
本发明涉及一种同位素温差电池气路接口一次密封及二次密封保护的方法,包括:制造气氛处置接口和保护帽;将气氛处置接口与电池壳端盖螺接定位并进行密封连接;利用超声波高频振荡原理结合特选薄壁铝合金材料,采用超声波封口机对气氛处置接口进行密封焊接,完成气路接口的一次密封;二次密封保护帽,使暴露在电池壳端盖外的气氛处置接口管体和焊口全部伸入保护帽内腔中,采用氩弧焊方式在保护帽台阶坡口环缝位置焊接密封保护帽,完成二次密封保护。本发明有效地提高了同位素温差电池的接口密封成品率和密封性、增强了薄壁接口安全性、缩短了接口密封操作时间,有效保障了同位素温差电池安全性和可靠性、在轨服役寿命、以及操作人员辐射安全性。
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专利时间轴
  • 22 Apr 2020 申请日
    CN/202010320332.3
    优先权
  • 22 Apr 2020 申请日
    CN/111524637
    当前专利 申请号
  • 07 Apr 2023 公开(公告)日期
    CN111524637B
    申请号
  • 07 Apr 2023 公开(公告)日期
    授权日
    CN111524637B
    当前专利 申请号
专利类型/受理局 PATENT( CN)
[标]当前申请(专利权)人 中国电子科技集团公司第十八研究所
当前申请(专利权)人 中国电子科技集团公司第十八研究所

300384 天津市滨海新区滨海高新技术产业开发区华科七路6号

[标]原始申请(专利权)人 中国电子科技集团公司第十八研究所
原始申请(专利权)人 中国电子科技集团公司第十八研究所

300384 天津市滨海新区滨海高新技术产业开发区华科七路6号

IPC分类号
IPC(8): G21H1/00B23P15/00 +2
技术主题分类
应用领域分类
发明人

侯旭峰

任保国

陈媛媛

阎勇

刘锐

代理机构

天津市鼎和专利商标代理有限公司 (张倩)

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