本发明涉及芯片封装技术领域，且公开了一种键合银丝的三元配方及制备方法，包括以下步骤：S1、将特定比例的高纯银(98‑99％)与高纯铜(1‑2％)以及高纯铟(0.1‑0.5％)一同投入真空熔铸炉元素投入真空熔铸炉，经过高温熔铸，得到特定直径的合金银棒；S2、合金银棒再经过多组模具进行拉伸，此拉伸过程中在某一线径利用适合的温度进行中间正火；S3、中间正火的线材再次拉伸至半成品线材；S4、半成品线材经特定温度正火、水油淬火及低温回火后，对其机械性能进行测试，测试完成后覆绕，包装成成品线材，本发明通过加入铜和铟在相比纯银丝可以有效的抑制银离子迁移的速度，防止因银离子迁移从而发生的短路，导致元器件的失效。