WO2023059601A1 PCT指定期内 与 3-d 培养相关的方法和组合物
本文描述的是双层 3-D 培养物,包括在两层边界处具有微观特征的培养物,以及制造和使用此类培养物的方法。
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专利时间轴
  • 04 Oct 2022 申请日
    US/PCT/US2022/045626
    优先权
  • 04 Oct 2022 申请日
    WO/2023059601
    当前专利 申请号
  • 13 Apr 2023 公开(公告)日期
    WO2023059601A1
    申请号
专利类型/受理局 APPLICATION( WO)
[标]当前申请(专利权)人 PRESIDENT AND FELLOWS OF HARVARD COLLEGE
当前申请(专利权)人 PRESIDENT AND FELLOWS OF HARVARD COLLEGE

17 Quincy Street,Cambridge, Massachusetts 02138 US

[标]原始申请(专利权)人 PRESIDENT AND FELLOWS OF HARVARD COLLEGE
原始申请(专利权)人 PRESIDENT AND FELLOWS OF HARVARD COLLEGE

17 Quincy Street,Cambridge, Massachusetts 02138 US

IPC分类号
IPC(8): C12M1/32C12M3/00C12Q1/02C12N5/077C12N5/071 +5
技术主题分类
应用领域分类
发明人

NAGARAJAN (c/o Office of Technology Development)

MAXWELL BENJAMIN (1350 Massachusetts Ave)

LEWIS (Smith Campus Center 727E)

JENNIFER (Cambridge)

REYNOLDS ( Massachusetts 02138 US)

DANIEL STEVEN (c/o Office of Technology Development)

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