1.一种三通道放大滤波多功能芯片，其特征在于，包括公共通道栅控放大网络、开关切换网络、多通道滤波网络以及检波网络；
所述公共通道栅控放大网络的输入端作为三通道放大滤波多功能芯片的射频输入端，所述公共通道栅控放大网络的输出端与开关切换网络的输入端连接，所述开关切换网络的第一输出端~第三输出端分别与多通道滤波网络的第一输出端~第三输入端一一对应连接；
所述多通道滤波网络的第一输出端作为所述三通道放大滤波多功能芯片的第一射频输出端，所述多通道滤波网络的第二输出端作为所述三通道放大滤波多功能芯片的第二射频输出端，所述多通道滤波网络的第三输出端作为所述三通道放大滤波多功能芯片的第三射频输出端，所述多通道滤波网络的第三输出端还与检波网络的输入端连接，所述检波网络的输出端作为所述三通道放大滤波多功能芯片的检波输出端；
所述公共通道栅控放大网络包括电容C1；
所述电容C1的一端作为所述公共通道栅控放大网络的输入端，所述电容C1的另一端分别与电感L1的一端和微带线TL1的一端连接；
所述电感L1的另一端分别与接地电容C2、电阻R1的一端以及电阻R2的一端连接，所述电阻R1的另一端与接地电容C3连接，所述电阻R2的另一端分别与电阻R18的一端和晶体管M8的漏极连，所述电阻R18的另一端与驱动电源电压Vs连接，所述晶体管M8的源极与接地电阻R16连接，所述晶体管M8的栅极与电阻R17的一端连接，所述电阻R17的另一端分别与电阻R15的一端、晶体管M7的源极和晶体管M26的栅极连接，所述晶体管M26的栅极接地，所述晶体管M26的漏极与电阻R15的另一端连接，所述晶体管M7的漏极分别与电阻R11的一端、晶体管M6的漏极以及驱动电源电压Vs连接，所述晶体管M7的栅极分别与晶体管M6的源极、晶体管M25的栅极以及电阻R14的一端连接，所述晶体管M25的源极接地，所述晶体管M25的漏极与电阻R14的另一端连接，所述电阻R11的另一端分别与电阻R10的一端和晶体管M3的漏极连接，所述电阻R10的另一端分别与电阻R9的一端和晶体管M4的栅极连接，所述电阻R9的另一端与二极管D5的负极连接，所述二极管D5的正极与二极管D4的负极连接，所述二极管D4的正极与二极管D3的负极连接，所述二极管D3的正极与二极管D2的负极连接，所述二极管D2的正极与二极管D1的负极连接，所述二极管D1的正极与控制信号电压Vpd连接；
所述晶体管M6的栅极与晶体管M3的栅极连接，所述晶体管M3的源极分别与电阻R11的一端和晶体管M5的漏极连接，所述晶体管M5的源极分别与电阻R13的一端和晶体管M24的栅极连接，所述晶体管M24的源极接地，所述晶体管M25的栅极分别与晶体管M6的栅极、晶体管M4的源极、晶体管M23的栅极和电阻R12的一端连接，所述电阻R12的另一端与晶体管M23的漏极连接，所述晶体管M23的源极接地；
所述微带线TL1的另一端分别与晶体管M1的栅极和电阻R3的一端连接，所述电阻R3的另一端与电容C4的一端连接，所述电容C4的另一端与电感L2的一端连接，所述晶体管M1的源极与接地微带线TL3连接，所述晶体管M1的漏极与微带线TL2的一端连接，所述微带线TL2的另一端与晶体管M2的源极连接，所述晶体管M2的漏极与微带线TL4的一端连接，所述晶体管M2的栅极与电阻R4的一端连接，所述电阻R4的另一端分别与接地电容C5和电阻R6的一端连接，所述电阻R6的另一端分别与接地电阻R7和电阻R5的一端连接，所述电阻R5的另一端分别与电感L3的一端、接地电容C6、电阻R8的一端和漏极正电压VD连接，所述电阻R8的另一端与接地电容C7连接，所述电感L3的另一端分别与微带线LT4的另一端、电感L2的另一端以及微带线TL5的一端连接，所述微带线TL5的另一端分别与接地电容C8和电容C9连接，并作为所述公共通道栅控放大网络的输出端。
2.根据权利要求1所述的三通道放大滤波多功能芯片，其特征在于，所述开关切换网络包括微带线TL6；
所述微带线TL6的一端作为所述开关切换网络的输入端，所述微带线TL6的另一端分别与晶体管M9的源极和晶体管M11的源极连接，所述晶体管M11的漏极与微带线TL9的一端连接，所述微带线TL9的另一端分别与晶体管M12的源极和微带线TL10的一端连接，所述晶体管M12的漏极接地，所述微带线TL10的另一端与接地电阻R19连接；
所述晶体管M9的漏极与微带线TL7的一端连接，所述微带线TL7的另一端分别与微带线TL8的一端和晶体管M10的源极连接，所述晶体管M10的漏极接地，所述微带线TL8的另一端分别与晶体管M15的源极、晶体管M17的漏极以及晶体管M13的源极连接；
所述晶体管M15的漏极与微带线TL11的一端连接，所述微带线TL11的另一端分别与微带线TL14的一端和晶体管M16的栅极连接，所述晶体管M16的漏极接地，所述微带线TL14的另一端作为所述开关切换网络的第一输出端；
所述晶体管M17的源极与微带线TL15的一端连接，所述微带线TL15的另一端分别与微带线TL16的一端和晶体管M18的源极连接，所述晶体管M18的漏极接地，所述微带线TL16的另一端作为所述开关切换网络的第二输出端；
所述晶体管M13的漏极与微带线TL12的一端连接，所述微带线TL12的另一端分别与微带线TL13的一端和晶体管M14的源极连接，所述晶体管M14的漏极接地，所述微带线TL13的另一端作为所述开关切换网络的第三输出端。
3.根据权利要求1所述的三通道放大滤波多功能芯片，其特征在于，所述多通道滤波网络包括带通滤波匹配单元、带阻滤波匹配单元以及温补均衡衰减直通单元；
所述带通滤波匹配单元的输入端和输出端分别作为所述多通道滤波网络的第一输入端和第一输出端，所述带阻滤波匹配单元的输入端和输出端分别作为所述多通道滤波网络的第二输入端和第二输出端，所述温补均衡衰减直通单元的输入端和输出端分别作为所述多通道滤波网络的第三输入端和第三输出端。
4.根据权利要求3所述的三通道放大滤波多功能芯片，其特征在于，所述带通滤波匹配单元包括电感L4；
所述电感L4的一端作为所述带通滤波匹配单元的输入端，分别与接地电容C10和电容C11的一端连接，所述电感L4的另一端分别与电容C11的另一端、电感L5的一端、电容C13的一端以及接地电容C12连接，所述电感L5的另一端、电容C13的另一端相互连接并分别与接地电容C14连接和电容C15的一端连接，所述电容C15的另一端分别与电容C17的一端和电容C16的一端连接，所述电容C16的另一端与接地电感L6连接，所述电容C17的另一端分别与电容C18的一端和电容C19的一端连接，所述电容C18的另一端与接地电感L7连接，所述电容C19的另一端作为所述带通滤波匹配单元的输出端。
5.根据权利要求3所述的三通道放大滤波多功能芯片，其特征在于，所述带阻滤波匹配单元包括电感L8；
所述电感L8的一端作为所述带阻滤波匹配单元的输入端，分别与电容C20的一端和电容C21的一端连接，所述电容C20的另一端与接地电感L12连接，所述电感L8的另一端与电容C21的另一端相互连接，并分别与电感L9的一端和电容C22的一端连接，所述电感L9的另一端和电容C22的另一端相互连接，并分别与电感L10的一端、电容C23的一端和电容C24的一端连接，所述电容C23的另一端与接地电感L13连接，所述电感L10的另一端与电容C24的另一端相互连并分别与电感L11的一端和电容C25的一端连接，所述电感L11的另一端和电容C25的另一端相互连接作为所述带阻滤波匹配单元的输出端，并与电容C26的一端连接，所述电容C26的另一端与接地电感L14连接。
6.根据权利要求3所述的三通道放大滤波多功能芯片，其特征在于，所述温补均衡衰减直通单元包括晶体管M19；
所述晶体管M19的栅极作为所述温补均衡衰减直通单元的输入端，并分别晶体管M19的源极、电阻R20的一端和电阻R21的一端连接，所述电阻R20的另一端与接地电感L15连接，所述电阻R21的另一端分别与电阻R22的一端、接地电阻R23、电阻R25的一端和晶体管M19的漏极连接，所述电阻R22的另一端与接地电感L16连接，所述电阻R25的另一端与接地电阻R24连接，并作为所述温补均衡衰减直通单元的输出端。
7.根据权利要求1所述的三通道放大滤波多功能芯片，其特征在于，所述检波网络包括电阻R33；
所述电阻R33的一端作为所述检波网络的输入端，所述电阻R33的另一端与电容C28的一端连接，所述电容C28的另一端分别与晶体管M22的源极、晶体管M22的栅极和电阻R32的一端连接，所述晶体管M22的漏极接待，所述电阻R32的另一端分别与电阻R31的一端和晶体管M21的栅极连接，所述晶体管M21的源极与电阻R28的一端连接，所述电阻R28的另一端分别与接地电阻R29和接地电容C27连接；
所述晶体管M21的漏极分别与电阻R30的一端和电阻R34的一端连接，所述电阻R34的另一端与晶体管M20的栅极连接，所述晶体管M20的漏极与电阻R27的一端连接，所述晶体管M20的源极与接地电阻R26连接，并作为所述检波网络的输出端；
所述电阻R27的另一端、电阻R30的另一端和电阻R31的另一端均与漏极正电压VD连接。
