CN115928051A 审中 金刚石纳米针阵列光吸收层及其制备方法
本申请提供一种金刚石纳米针阵列光吸收层及其制备方法,涉及材料领域。金刚石纳米针阵列光吸收层的制备方法,包括:在硅基底上采用微波等离子化学气相沉积法制备金刚石薄膜,然后采用电子回旋共振微波等离子化学气相沉积法对所述金刚石薄膜进行干法刻蚀成纳米针阵列结构。金刚石纳米针阵列光吸收层,使用所述的金刚石纳米针阵列光吸收层的制备方法制得。本申请提供的金刚石纳米针阵列光吸收层的制备方法,制得的光吸收层属于金刚石纳米针阵列光吸收层,具有优异的光吸收性能,耐高温、抗化学腐蚀。
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专利时间轴
  • 29 Nov 2022 申请日
    CN/202211511167.5
    优先权
  • 29 Nov 2022 申请日
    CN/115928051
    当前专利 申请号
  • 07 Apr 2023 公开(公告)日期
    CN115928051A
    申请号
专利类型/受理局 APPLICATION( CN)
[标]当前申请(专利权)人 香港中文大学(深圳)
当前申请(专利权)人 香港中文大学(深圳)

518000 广东省深圳市龙岗区龙城街道龙翔大道2001号

[标]原始申请(专利权)人 香港中文大学(深圳)
原始申请(专利权)人 香港中文大学(深圳)

518000 广东省深圳市龙岗区龙城街道龙翔大道2001号

IPC分类号
IPC(8): C23C16/511C23C16/27C23C16/56C23C16/02B22F1/054 +5
技术主题分类
应用领域分类
发明人

袁牧锋

王春栋

梁永波

叶彦恺

代理机构

北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) (陈秋梦)

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