CN111115564B 有效 一种干法转印光刻胶制备微纳结构的方法
本发明揭示了一种干法转印光刻胶制备微纳结构的方法。本发明通过对衬底进行修饰以降低光刻胶与衬底的粘附力,然后在光刻胶上曝光并显影得到所需的结构,再利用黏贴层选择性的把光刻胶从衬底上剥离,把剥离下来的光刻胶转移释放到所需要的衬底上,然后镀金属并lift‑off处理,本发明突破了传统加工对衬底材料,形状和尺寸的限制,可实现任意衬底上微纳结构的制备。
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专利时间轴
  • 23 Dec 2019 申请日
    CN/201911339879.1
    优先权
  • 23 Dec 2019 申请日
    CN/111115564
    当前专利 申请号
  • 07 Apr 2023 公开(公告)日期
    CN111115564B
    申请号
  • 07 Apr 2023 公开(公告)日期
    授权日
    CN111115564B
    当前专利 申请号
专利类型/受理局 PATENT( CN)
[标]当前申请(专利权)人 湖南大学
当前申请(专利权)人 湖南大学

410082 湖南省长沙市岳麓区麓山南路1号

[标]原始申请(专利权)人 湖南大学
原始申请(专利权)人 湖南大学

410082 湖南省长沙市岳麓区麓山南路1号

IPC分类号
IPC(8): B81C1/00G03F7/20 +2
技术主题分类
应用领域分类
发明人

段辉高

刘卿

陈艺勤

舒志文

代理机构

深圳市兴科达知识产权代理有限公司 (王翀,阳江军)

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