本发明适用于标准物质制备技术领域，提供了一种微米级台阶高度标准样块的制备方法，该方法包括：获取第一硅晶圆片，在第一硅晶圆片上生长二氧化硅氧化层，并在二氧化硅氧化层上键合第二硅晶圆片，获得第一样品；对第一样品上的第二硅晶圆片进行减薄处理以及抛光处理，获得第二样品；其中，减薄后的第二硅晶圆片的厚度与预设标称高度相同；对第二样品上的第二硅晶圆片的预设区域进行刻蚀，直至露出二氧化硅氧化层，获得第三样品；在第三样品上表面溅射金属保护层，获得微米级台阶高度标准样块。本发明的微米级台阶高度标准样块的制备方法，制备成本相对较低，可以在获得预设标称高度的微米级台阶高度标准样块的同时，获得较好的表面粗糙度。