1.一种MEMS器件，其特征在于，包括衬底，以及基于所述衬底层叠设置的第一电极层和第二电极层，其中：
所述第二电极层包括相连接的锚点与横梁，所述锚点支撑在所述横梁的至少一个端部与所述第一电极层之间，所述横梁的中部悬空于所述第一电极层；
所述锚点包括第一锚固部与第二锚固部，所述第一锚固部与所述第二锚固部间隔设置且分别固定在所述横梁的端部的相对两侧。
2.根据权利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，所述第一锚固部具有第一宽度，所述第二锚固部具有第二宽度，所述第一宽度与所述第二宽度之和为所述横梁的端部的宽度的10％～50％。
3.根据权利要求2所述的MEMS器件，其特征在于，所述横梁具有对称面，所述第一锚固部与所述第二锚固部关于所述横梁的对称面对称。
4.根据权利要求1-3任一项所述的MEMS器件，其特征在于，所述第一锚固部远离所述第二锚固部的端面平齐于所述横梁的端部的端面；和/或，所述第二锚固部远离所述第一锚固部的端面平齐于所述横梁的端部的端面。
5.根据权利要求1-4任一项所述的MEMS器件，其特征在于，所述第一锚固部与所述第二锚固部均为多个，多个所述第一锚固部沿所述横梁的延伸方向间隔布置，多个所述第二锚固部沿所述横梁的延伸方向间隔布置。
6.根据权利要求1-5任一项所述的MEMS器件，其特征在于，所述MEMS器件包括MEMS谐振器。
7.一种MEMS器件的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底上形成第一电极层，并刻蚀所述第一电极层，形成贯穿所述第一电极层的第一凹槽；
在所述第一电极层上以及所述第一凹槽内形成牺牲层，并刻蚀所述牺牲层以形成第二凹槽，所述第二凹槽暴露出对应的第一电极层；
在所述牺牲层上以及所述第一电极层上形成第二电极层，并刻蚀所述第二电极层，以暴露出部分牺牲层；刻蚀后的所述第二电极层包括层叠设置的锚点与横梁，所述锚点填充于所述第二凹槽且与所述横梁的至少一个端部固定；所述锚点包括第一锚固部与第二锚固部，所述第一锚固部与所述第二锚固部间隔设置且分别固定在所述横梁的端部的相对两侧；
去除所述牺牲层，以释放所述横梁。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述第一锚固部具有第一宽度，所述第二锚固部具有第二宽度，所述第一宽度与所述第二宽度之和为所述横梁的端部的宽度的10％～50％。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述横梁具有对称面，所述第一锚固部与所述第二锚固部关于所述横梁的对称面对称。
10.根据权利要求7-9任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第一锚固部远离所述第二锚固部的端面平齐于所述横梁的端部的端面；和/或，所述第二锚固部远离所述第一锚固部的端面平齐于所述横梁的端部的端面。
11.根据权利要求7-10任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第一锚固部与所述第二锚固部均为多个，多个所述第一锚固部沿所述横梁的延伸方向间隔布置，多个所述第二锚固部沿所述横梁的延伸方向间隔布置。
12.根据权利要求7-11任一项所述的制备方法，其特征在于，所述MEMS器件包括MEMS谐振器。
